Dynamic behaviors of saturated-fatty acids $C_{16}$, $C_{18}$, $C_{20}$ and 8A5H with azobenzene were measured by displacement current method when the molecules are stimulated by pressure light and heat. When a barrier was compressed I-A, $\pi$-A isotherms of $C_{16}$, $C_{18}$, and $C_{20}$ were similar to each other but the displacement current of $C_{20}$ which has a long alkyl chain was relatively low. 8A5H showed the form of double liquid films and had a reversible reaction when a barrier was compressed and then expanded. When the molecules of 8A5H were stimulated by 365[nm] light the positive currents which were generated by the structural changes from trans to cis were measured. But the negative currents of the structural changes from cis to trans by 450[nm] light were too weak to detect. When the temperature of the water subphase was increased the surface pressures of the monolayers were increased early because of the thermal activations of the molecules and the double liquid films of 8A5H were disappeared above 40[$^{\circ}C$]EX>].
The objectives of this research were to improve the film-forming properties of Channel Catfish Ictalurus punctatus skin gelatin (CSG) by cross-linking with transglutaminase (TG), determine and optimize the TG reaction time, and characterize the mechanical and barrier properties of CSG edible film. Cross-linking of CSG was performed by TG for 0, 10, 20, 30, and 40 min at $50^{\circ}C$, and the reaction was confirmed by sodium dodecyl sulfate-polyacrylamide gel electrophoresis (SDS-PAGE). The color and mechanical and barrier properties of edible films fabricated with CSG cross-linked with TG were characterized. Gelatin yields from the extraction ranged from 18.2% to 23.3%. SDS-PAGE exhibited dark bands at 120 and 250 kDa, indicating successful TG-mediated cross-linking. The color of CSG film was not affected by TG cross-linking. The tensile strength of CSG films cross-linked with TG decreased from 42.59 to 21.73 MPa and the percent elongation increased from 42.92% to 76.96% as reaction times increased from 0 to 40 min. There was no significant difference in water vapor permeability of CSG films.
electroplating(EP)법을 이용하여 ULSI용 Cu 박막을 제조하였다. seed Cu는 sputtering으로 증착하였으며, 확산방지막으로 TaN를 사용하였다. 제작된 EP Cu 박막은 seed Cu의 영향으로 열처리 조건에 관계없이 Cu(111)방향으로 강하게 우선 배향 하였다. 열처리 온도와 시간이 증가함에 따라 Cu박막의 미세조직이 non-columnar structure에서 약 2배 이상 결정립 성장하여 columnar structure로 바뀌었으며, 또한 as-deposit시 관찰되었던 stacking fault, twin, dislocation들이 상당히 줄어드는 것이 관찰되었다. Cu의 확산에 의하여 생기는 copper-silicide는 관찰할 수 없었으며, 이것은 두께 45nm의 TaN막이 $450^{\circ}C$, 30분 열처리시 확산방지막으로 충분한 역할을 한 것으로 판단된다. Cu(111)우선 배향과 열처리에 의한 결정립 성장 및 defect감소는 Cu 박막의 결정립계에서 발생하는 electromigration 현상을 상당히 줄일 수 있을 것으로 판단된다.
Magnetic random access memory (MRAM), based on magnetic tunnel junction (MTJ) and CMOS, is one of the best semiconductor memories because it can provide nonvolatility, fast access time, unlimited read/write endurance, low operating voltage and high storage density. For the realization of high density MRAM, the etching of MTJ stack with good properties is one of a key process. Recently, there has been great interest in the MTJ stack using MgO as barrier layer for its huge room temperature MR ratio. The use of MgO barrier layer will undoubtedly accelerate the development of MTJ stack for MRAM. In this study, high-density plasma reactive ion etching of MgO films was investigated in an inductively coupled plasma of $Cl_2$/Ar gas mixes. The etch rate, etch selectivity and etch profile of this magnetic film were examined on vary gas concentration. As the $Cl_2$ gas concentration increased, the etch rate of MgO monotonously decreased and etch slop was slanted. The effective of etch parameters including coil rf power, dc-bais voltage, and gas pressure on the etch profile of MgO thin film was explored, At high coil rf power, high dc-bais voltage, low gas pressure, the etching of MgO displayed better etch profiles. Finally, the clean and vertical etch sidewall of MgO films was achieved using $Cl_2$/Ar plasma at the optimized etch conditions.
The present work is concerned with the formation behavior of anodic oxide films on Al7075 alloy under a galvanostatic condition in 20 vol.% sulfuric acid solution. The formation behaviour of anodic oxide films was studied by the analyses of voltage-time curves and observations of colors, morphologies and thicknesses of anodic films with anodization time. Hardness of the anodic oxide films was also measured with anodization time and at different positions in the anodic films. Six different stages were observed with anodiziation time : barrier layer formation (stage I), pore formation (stage II), growth of porous films (stage III), abnormal rapid oxide growth (stage IV), growth of non-uniform oxide films (stage V) and breakdown of the thick oxide films under high anodic voltages (stage VI). Hardness of the anodic oxide films appeared to decrease with increasing anodization time and with the position towards the outer surface. This work provides useful information about the thickness, uniformity, imperfections and hardness distribution of the anodic oxide films formed on Al7075 alloy in sulfuric acid solution.
이원계 산화막인 비정질 $SiO_2$와 다결정 $TiO_2$의 저항 변화 특성을 연구하였다. Metal-Insulator-Metal의 저항 소자를 형성하여 전압 sweep에 의한 I-V를 측정하여 저항 상태를 확인하였다. 즉, 낮은 저항 상태 (LRS) 와 높은 저항 상태 (HRS) 의 두 가지 저항 상태가 존재하였으며, LRS는 전압에 의한 절연체의 불완전한 breakdown 후에, HRS는 전압에 의한 negative differential resistance 후에 각각 나타났다. LRS의 경우에는 Ohmic 전도 mechanism에 의해서, HRS의 경우에는 Schottky contact에 의한 potential barrier의 생성이 저항 상태를 결정한다고 제안하였다. 즉, potential barrier의 생성과 소멸이 두 저항 상태를 형성한다고 할 수 있다. 유전율이 높은 $TiO_2$가 $SiO_2$에 비하여, 낮은 동작 특성 전압을 나타내었으며, 1 V에서의 저항비도 높았다.
An OLED(Organic Light-Emitting Diode) device based on the emissive electroluminescent layer a film of organic materials. OLED is used for many electronic devices such as TV, mobile phones, handheld games consoles. ULVAC's mass production systems are indispensable to the manufacturing of OLED device. ULVAC is a manufacturer and worldwide supplier of equipment and vacuum systems for the OLED, LCD, Semiconductor, Electronics, Optical device and related high technology industries. The SMD Series are single-substrate sputtering systems for deposition of films such as metal films and TCO (Transparent Conductive Oxide) films. ULVAC has delivered a large number of these systems not only Organic Evaporating systems but also LTPS CVD systems. The most important technology of thin-film encapsulation (TFE) is preventing moisture($H_2O$) and oxygen permeation into flexible OLED devices. As a polymer substrate does not offer the same barrier performance as glass substrate, the TFE should be developed on both the bottom and top side of the device layers for sufficient lifetimes. This report provides a review of promising thin-film barrier technologies as well as the WVTR(Water Vapor Transmission Rate) properties. Multilayer thin-film deposition technology of organic and inorganic layer is very effective method for increasing barrier performance of OLED device. Gases and water in the organic evaporating system is having a strong influence as impurities to OLED device. CRYO pump is one of the very useful vacuum components to reduce above impurities. There for CRYO pump is faster than conventional TMP exhaust velocity of gases and water. So, we suggest new method to make a good vacuum condition which is CRYO Trap addition on OLED evaporator. Alignment accuracy is one of the key technologies to perform high resolution OLED device. In order to reduce vibration characteristic of CRYO pump, ULVAC has developed low vibration CRYO pumps to achieve high resolution alignment performance between Metal mask and substrate. This report also includes ULVAC's approach for these issues.
알긴산 필름의 수분저항 특성을 증진시키기 위하여 지방산 (lauric, palmitic, stearic, oleic acid)과 복합필름을 제조하고 $CaCl_{2}$용액으로 처리하고, 이들의 처리 효과를 필름의 두께, 표면색, 미세구조, 인장강도, 신장률, 투습도, 수분용해도 및 등온 흡습곡선을 측정하여 조사하였다. 알긴산 필름은 지방산과의 복합필름을 형성하거나 $CaCl_{2}$ 처리를 하므로 필름의 미세구조가 크게 변하였다. 필름의 인장강도는 사용한 지방산의 종류에 따라 25-70% 정도 감소하였으나, $CaCl_{2}$ 처리에 의해 1.5-2배 증가하였다. 필름의 신장률은 두 가지의 처리에 의해 모두 감소하였다. 투습도는 불포화 지방산인 oleic acid를 제외하고는 지방산과 복합필름을 제조하므로 유의적으로(p<0.05) 감소하였다. 수분용해도 역시 두 가지 처리에 의해 모두 감소하였는데, stearic acid의 경우는 두 가지 방법을 병용하여 사용하므로 수분용해도가 약 30배 정도까지 감소하였다. 모든 알긴산 필름의 등온흡습곡선은 전형적인 두 단계의 변화 양상을 나타냈으며, 그 전환점은 수분활성도 0.75의 범위였다. 등온흡습곡선과 단분자층 수분함량의 결과는 $CaCl_{2}$ 처리에 의해 필름의 친수성이 감소하였음을 나타냈다.
자몽씨추출물(GSE)과 ZnONP을 아가필름에 동시에 첨가하여 다기능성 복합필름을제조하였다. Agar/GSE/ZnONP복합필름은 특히 자외선차단성과 항균성에 대한 시너지 효과를 나타냈다. 광 차단성은 자외선 파장범위인 280 nm와 가시광선 파장범위인 660 nm에서 유의적인 차이를 보이며 크게 나타났다. 자외선차단성은 agar/GSE와 agar/ZnONP 필름에 비해 agar/ZnONP3%/GSE5% 필름에서의 크게 상승하여 GSE와 ZnONP의 시너지 효과를 확인할 수 있었다. 항균성으로는 그람양성균인 L. monocytogenes와 그람음성균인 E. coli O157: H7 모두 agar/ZnONP3%/GSE5% 필름에서 강한 항균성 및 시너지 효과가 있었다. 자외선 차단성과 항균성은 포장식품의 안전성을 확보하고 유통기한을 연장시키는데 필수적인 특성으로 agar/ZnONP3%/GSE5% 필름은 식품의 유통기한 연장과 식품의 안전성을 위한 포장필름으로 활용 가치가 높을 것으로 사료된다.
Bicyclo(2,2,2)oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride(BTDA)와 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene(BAPB) 단량체를 사용하여 중합한 폴리아믹산(poly(amic acid))에 용액 삽입법을 이용해서 다양한 함량의 유기화 점토를 넣은 후 열 이미드화 방법을 통해 투명한 나노복합체 polyimide(PI) 필름을 합성하였다. 0-1.5 wt%의 다양한 함량의 유기화점토를 포함하는 복합체 필름을 제조한 후, 필름의 광 투과성, 모폴로지, 그리고 가스차단성을 각각 측정하였다. 1.0 wt%의 Cloisite 30B가 포함된 복합체에서 가장 우수한 가스차단성이 측정되었으며, 유기화 점토의 함량이 증가하게 되면 가스차단성은 오히려 감소하였다. PI 복합체 필름은 우수한 광 투과성을 가지며 대체로 무색을 나타내었다. 하지만 점토의 함량이 증가함에 따라 광 투과성은 조금씩 감소하였다. Cloisite 30B가 포함된 투명한 PI 복합체 필름의 광 투과성과 가스차단성을 더 자세히 연구하기 위하여 100-140%까지 다양한 비율로 이축연신하였다. 120% 이상 연신된 PI 복합체 필름에서 고분자 매트릭스에 점토가 균일하게 분산되어 박리되었음을 확인 하였으며, 가장 높은 가스 차단성은 130%로 이축연신된 필름에서 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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