• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.20-21
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• 2003

Erbium doped fiber (EDF) sources are useful devices for characterization of optical components for wavelength division multiplexing (WDM) fiber optic communication system. Therefore, there are many efforts to extend the bandwidth and to increase the power of the light source. Especially, L-band ASE source uses the low inversion state of EDF. It makes the power efficiency very low and needs a lot of fiber as several times as the fiber needed in C-band ASE generation. (omitted)

• 대한약침학회지
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• 제6권3호
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• pp.91-106
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• 2003

Objectives : The aim of this study was to examine the effects of electroacupuncture(EA) at the PC6(Naegwan) and the TE5 (Oegwan) on nounal humans using power spectral analysis. Methods : EEG power spectrum exhibit site-specific and state-related differences in specific frequency bands. In this study, power spectrum was used as a measure of complexity. 30 channel EEG study was carried out in 30 subjects(30 males ; age=23.7 years). Results : In ${\alpha}$(alpha) band, the power values at F7 channels(p<0.05) during the PC6-acupoint treatment were significantly were decreased. In ${\beta}$(beta) band, the power values at Fp1, Fz, TT1, T5, P3, P4, Po1, P02, O1, Oz, O2 channels(p<0.05) during the non-acupoint treatment and at Fp1, F4, F8 channels(p<0.05) during the TE5-acupoint treatment significantly were increased. In ${\theta}$(theta) band, the power values at Fp1 channels(p<0.05) during the non-acupoint treatment and at Oz channels(p<0.05) the TE5-acupoint treatment significantly were increased. but, the power values at F7 channels(p<0.05) during the non-acupoint treatment were significantly were decreased. In ${\delta}$(delta) band, the power values at TCP1, TCP2, CP1, T5 channels(p<0.05) during PC6-acupoint treatment were increased and the power values at F7, TT2 channels(p<0.05) during non-acupoint treatment were increased. but, the power values at the TE5-acupoint treatment significantly was decreased than the before-acupuncture treatment.

• 한국전자파학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.264-272
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• 2009

본 논문에서는 다수의 MMIC 전력증폭기 칩과 박막 기판을 결합하여 MIC 모듈을 구성함으로써 Ka-대역 중심주파수에서 10 W의 출력 전력을 낼 수 있는 전력증폭기 모듈을 설계 및 제작하였다. 전력증폭기 모듈의 제작에는 밀리미터파 대역에 적합한 수정된 형태의 윌킨슨 전력분배기/합성기를 사용하였고, 모듈의 구성 과정에서 발생할 수 있는 손실을 줄이고 공진을 억제하기 위해 CBFGCPW-Microstrip 천이 구조를 활용하였다 전력증폭기 모듈은 총 7개의 MMIC 칩으로 구성되었으며 MMIC 칩을 펄스 모드로 동작시키기 위해 칩의 게이트에 펄스 전압을 인가하는 게이트 전압 제어기가 설계되고 적용되었다. 제작된 전력증폭기 모듈의 측정 결과 58 dB의 전력 이득과 39.6 dBm의 포화 출력 전력을 얻을 수 있었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제14권1호
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• pp.15-24
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• 2014

A compact dual-band three-way metamaterial power divider is proposed that has three in-phase outputs. Fully printed composite rightand left-handed (CRLH) unequal and equal power dividers are first implemented for 900-MHz and 2.4-GHz bands with the power-division ratios of 2:1 and 1:1, respectively. An initial 1:1:1 power divider is then achieved by incorporating the input of the two-way equal block into an output of the unequal block, and trimming the interconnection parameters. The condition of an identical phase at the three outputs of the power divider is then met by devising a hybrid CRLH phase-shift line to compensate for the different phase errors at the two frequencies. This scheme is confirmed by predicting the performance of the power divider with circuit analysis and full-wave simulation and measuring the fabricated prototype. They results show agreement; the in-phase outputs as well as the desirable power-division are accomplished and outdo the conventional techniques.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제38권11호
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• pp.49-54
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• 2001

GaAs pHEMT와 도파관-마이크로스트립 변환구조를 이용하여 고출력, 고이득 특성을 갖는 Ka-band 하이브리드 전력증폭기 모듈을 개발하였다. 본 전력증폭기는 10 mil 두께의 duroid 기판을 이용한 마이크로스트립 라인과 도파관 마이크로스트립 변환구조로 이루어져 있다. 제작된 도파관-마이크로스트립 변환구조는 32 40 GHz 대역까지 약 1 dB의 삽입손실(back to back)을 보인다. 전력증폭기 모듈의 측정 결과, 36.1 - 37.1 GHz에서 1W 이상의 출력 전력, 23dB 이상의 전력 이득을 보이며 36.5GHz에서 31dBm의 출력전력, 24dB의 전력 이득, 15%의 PAE을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권9호
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• pp.685-697
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• 2017

본 논문에서는 탐색 레이다에서 사용되는 C-대역의 고출력전력증폭장치 및 구성품의 설계, 제작과 측정에 대하여 기술하였다. 반도체 소자인 GaN(질화갈륨)을 적용하여 반도체전력증폭조립체를 설계 및 제작하였고, 설계 제작된 도파관 형태의 송신신호결합조립체를 통해 병렬로 구성된 반도체전력증폭조립체의 송신신호 출력을 결합하여 고출력 송신신호 출력을 발생한다. 제작된 고출력전력증폭장치는 C-대역 500 MHz 대역폭, 최대 10.5 % 듀티, 송신펄스폭 $0.0{\sim}000{\mu}s$에서 송신출력 44.98 kW(76.53 dBm) 이상이다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제20권5호
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• pp.51-56
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• 2020

측정 명령어에 따른 정확도와 소요시간은 효율적인 Ka 밴드용 자동 시험 장비(ATE)를 구축하는데 중요한 요소이다. 이에 따라 본 논문에서는 RF 대표 계측기 Power Meter의 측정 명령어에 대해 연구하였다. 30 G ~ 31 GHz에서 Power Meter의 측정 명령어 FETCH와 MEASURE의 각 측정 레벨에 따른 정확도와 소요시간을 비교하였으며, -70 ~ +20 dBm 영역을 2가지 Power Sensor로 측정하였다. 측정 결과 신속하게 데이터를 불러오는 FETCH 명령어는 잡음 레벨보다 높은 선형 구간에서 비교적 정확한 데이터를 얻을 수 있었다. 가장 정확한 데이터를 얻을 수 있는 MEASURE 명령어는 FETCH 대비 시간이 많이 소요 되었으며, 최대 13.2초가 소요 되었다. 이를 통해 30 G ~ 31 GHz에서 Power Meter 측정 명령어의 정확도와 측정 소요시간을 확인할 수 있었고, 해당 연구 결과는 효율적인 Ka 밴드용 ATE를 구축하는데 기준을 제시할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권11호
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• pp.1311-1316
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• 2014

본 논문의 X-대역 25W 전력증폭기 모듈은 위성통신용 지상단말기의 송신기에 사용되는 것으로, 정지궤도 36,000Km 통신위성에 송신하기 위한 송출장비인 고출력증폭기를 구성하는 일부분이다. 지상단말에서 사용하는 고출력증폭기는 총 4개의 전력증폭기 모듈이 연계구조형으로 구성되어 고출력의 특성을 갖는다. 연계구조형에 사용된 전력증폭기 모듈 4개중에 각 모듈은 순차구조형(Serial Combining Structure)으로 구성된다. 이 전력증폭기 모듈은 Hybrid 기법을 이용하여 10개의 MMIC 전력 증폭기 칩과 Al2O3 박막 기판으로 제작한 회로를 결합하여 PAM(Power Amplifier Module)을 구성함으로써 X-대역 운용주파수에서 출력전력 25W의 전력증폭기 모듈을 구현하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권2호
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• pp.99-104
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• 2020

In this study, we fabricated a metamorphic high-electron-mobility transistor (mHEMT) device with a T-type gate structure for the implementation of W-band monolithic microwave integrated circuits (MMICs) and investigated its characteristics. To fabricate the mHEMT device, a recess process for etching of its Schottky layer was applied before gate metal deposition, and an e-beam lithography using a triple photoresist film for the T-gate structure was employed. We measured DC and RF characteristics of the fabricated device to verify the characteristics that can be used in W-band MMIC design. The mHEMT device exhibited DC characteristics such as a drain current density of 747 mA/mm, maximum transconductance of 1.354 S/mm, and pinch-off voltage of -0.42 V. Concerning the frequency characteristics, the device showed a cutoff frequency of 215 GHz and maximum oscillation frequency of 260 GHz, which provide sufficient performance for W-band MMIC design and fabrication. In addition, active and passive modeling was performed and its accuracy was evaluated by comparing the measured results. The developed mHEMT and device models could be used for the fabrication of W-band MMICs.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.327-330
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• 1998

A 2watts MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits) SSPA(Solid State Power Amplifiers) for 20GHz band communication systems has been designed, manufactured and measured. The 0.15um pHEMT technologywith the gate size of 400um for single device was used for the fabrication of MMIC Power Amplifier chips. The precision MIC patterns for the peripherals like power combiner/divider and microstrip lines were realized using hard substrate for gold wire/ribbon bonding. The measured data shows that this MMIC SSPA has the linear gain of 18dB, output power of 33.42dBm(2.2Watts)at 20~21GHz.