본 연구에서는 돈분을 이용한 열분해공정(pyrolysis)에 의한 바이오오일의 특성을 분석하여 보고하였다. 기본적으로 bio-oil 생산을 위한 pilot auger형 반응기는 $400^{\circ}C{\sim}600^{\circ}C$의 고온을 유지하였다. 바이오오일의 특성은 수질분석, 열량가, 원소분석, GC/MS를 이용한 마이오일의 원소, $^1H$ NMR분광기에 의한 functional group 구명 등을 포함한다. 돈분시료를 이용한 바이오오일 생산량은 pilot auger 반응기의 온도가 $550^{\circ}C$일 때 바이오일 생산율은 질량의 21%로서 최대를 나타내었다. 이 결과는 본 연구에서 연속 auger형 반응기의 이송이 편리하고 bio-oil 생산량이 적지 않아 대체 축분처리기술의 하나로 검토할 수 있음을 보였다. 그러나 auger 반응기의 원료로의 열전도가 유동상 반응조보다 낮아서 향후 이를 개선하기 위한 연구가 성공적으로 수행되면 바이오오일 생산량을 제고시킬 수 있을 것으로 판단된다.
오거 반응기를 이용하여 해조류 바이오매스인 다시마로부터 열분해 오일 제조 실험을 수행하였으며, 열분해 오일의 물리화학적 특성을 살펴보았다. 주요 공정 변수인 열분해 온도 및 오거 컨베이어 속도의 최적 조건은 각각 $412^{\circ}C$, 20 rpm이었으며, 이 때 열분해 오일의 최대 수율은 32 wt%이었다. 낮은 탄소 함량 및 높은 산소 함량으로 인해, 다시마 유래 열분해 오일의 발열량($23.6MJ\;kg^{-1}$)은 기존 화석연료의 약 60% 이었다. 열분해 오일의 GC/MS 분석 결과, 1,4-Anhydro-d-galactitol, dianhydromannitol, 1-hydroxy 2-propanone, isosorbide 등이 주요 화합물로 확인되었다. 촤는 탄소 함량이 낮고 산소함량이 높아 발열량($13.0MJ\;kg^{-1}$)이 낮으며 다량의 무기 성분 및 황을 포함하고 있는 것으로 확인되었다.
TiN thin films were grown on (100) Si substrate by atomic layer epitaxy at 130 - $240^{\circ}C$ using TEMAT and NH3 as precursors. Reactants were injected into the reactor in sequence of TEMAT precursor vapor pulse, N2 purging gas pulse, NH3 gas pulse and N2 purging gas pulse so that gas-phase reactions could be removed. The films were characterized by means of x-ray diffraction(XRD), 4-point probe, atomic force microscopy(AFM) and auger electron spectroscopy(AES).
NH3-pplasma treatment has been used for ppassivation of native-oxide-contaminated GaAs surface. Ex-situ band-gapp pphotoluminescence(ppL) measurement shows enhanced intensity for the treated surfaces. Auger electron sppectroscoppy(AES) shows that the treated surface contains nitrogen atoms but no arsenic atoms, which leads us to sppeculate that the graded GaN thin layer was formed on the surface. Based on these results, new metal-insulator-GaAs structure is ppropposed.
Traveling wave reactor atomic layer epitaxy(ALE) 방법으로 ZnS와 ZnS:Tb박막을 성장하고 성장 조건에 따른 박막 특성을 연구하였다. ZnS박막의 precursor로는 ZnCl2와 H2S를 이용하였으며, 기판 온도 400-$500^{\circ}C$범위에서 성장하였다. 본 연구 논문에서는 성장온 도에 따른 ZnS박막의 결정성의 변화와 precursor에 의한 Cl유입량의 변화를 살펴보고 투과 전자현미경과 주사형 전자현미경으로 ZnS박막의 표면 형상과 미세구조를 관찰하였다. 연구 결과에 의하면 ALE에 의하여 매우 균일하고 hexagonal 2H구조의 결정성이 향상되었다. 성 장온도 $400^{\circ}C$에서 약 9at.%, $500^{\circ}C$에서 약 1at.%의 Cl이 유입되었으며, 박막 내에 유입된 Cl 은 표면으로의 segregation현상을 나타내었다. 또한 electroluminescent 소자의 녹색 형광재 료인 ZnS:Tb을 Tb precursor로 tris(2,2,6,6-tetramethyl 3,5-heptandionato)terbium을 이용하 여 성장하고 박막 결정성과 박막 내 불순물이 유입되는 경향 등을 연구하였다. Auger electron spectroscopy분석 결과에 의하면 0.5at.%의 Tb이 표함된 AnS:Tb박막은 C은 거의 포함하고 있지 않았으나 O은 약 1at.%정도 포함되어 있었다. ZnS:Tb박막은 Tb과 소량의 O 을 함유하고 있음에도 불구하고 결정성은 우수한 hexagonal구조를 유지하고 있었다.
Ion-surface collision studies at low kinetic energies (1-100 eV) provide a unique opportunity for investigating reactions and collision dynamics at surfaces. A special ion optics system for generating an energy- and mass-selected ion beam of this energy is designed and constructed. An ultrahigh vacuum (UHV) reaction chamber, in which the ions generated from the beamline collide with a solid surface, is equipped with Auger electron spectroscopy (AES) and thermal desorption spectrometry (TDS) as in-situ surface analytical tools. The resulting beam from the system has the following characteristics : ion current of 5-50 nA, energy spread < 2eV, current stability within ${\pm}5%,$ and unit mass resolution below 20 amu. The performance of the instrument is illustrated with data representing the implantation behavior of $Ar^+$ into a graphite (0001) surface.
Thermally growon SiO2 films were thermally nitrided in a hot-wall furnace and in a RF-heated cold-wall reactor and their characteristics were investigated by the AES and the C-V dmeasurements. The Auger depth profile show that 200\ulcornerSiO2 film nitrided at 1200\ulcorner, for 2hrs by the hot-wall process has a nitrogen-rich layer near the SiOxNy-Si interface. However the nitrogen-ri h layer is not observed in the case of cold-wall process. The maximum flat-band voltage for the SiO2 films nitrided by the hot-wall process is higher than by the cold-wall process, and the peak value of flat-band voltage for the hot-wall process appears the longer nitridation time than that for the cold-wall process. The SiOxNy-Si interface shift toward the Si substrate for the case of the hot-wall process is larger than that for the cold-wall process.
We report the effects of etch process parameters on the ohmic contact formation in the plasma etching of GaN. Planar inductively coupled plasma system with $CH_4/H_2/Ar$gas chemistry has been used as etch reactor. The contact resistance and the specific contact resistance have been investigated using transfer length method as a function of RF bias power and %Ar gas concentration in total flow rate. AES(Auger electron spectroscopy) analysis revealed that the etched GaN has nonstoichiometric Ga rich surface and was contaminated by carbon and oxygen. Especially large amount of carbon was detected at the sample etched for high bias power (or voltage) condition, where severe degradation of contact resistance was occurred. We achieved the low ohmic contact of $2.4{\times}10^{-3} {\Omega}cm^2$ specific contact resistance at the input power 400 W, RF bias power 150 W, and working pressure 10mTorr with 10 sccm $CH_4$, 15 sccm H2, 5 sccm Ar gas composition.
zinc acetate를 포함하는 용액으로부터 r-plane 사파이어 기판 위에 ZnO 막(膜)을 증착하였다. 초음파(超音波) 발생기(發生器)로 용액을 진동시켜 증기입자를 만든 후 이것을 고온 반응로(反應盧) 내에서 열분해(熱分解) 시켜 막(膜)을 증착하였다. 제조된 막(膜)의 결정성, 표면형태 및 조성을 XRD, SEM 및 AES로 각각 분석하였다. 기판온도가 막(膜)의 특성에 미치는 영향에 대해 조사하였다. 기판온도 $300^{\circ}C$에서 (110) 방향으로 강하게 성장된 막(膜)을 얻을 수 있었다. 구리의 첨가(添加)와 습식산화(濕式酸化)에 의해 막(膜)의 저항율을 $3{\times}10^{6}{\Omega}{\cdot}cm$이상으로 높일 수 있었다.
바이오매스를 바이오오일로 전환시기키 위하여 오거형의 반응조를 설계, 제작하여 실험하였다. 10.2L의 반응조는 $550^{\circ}C$를 유지하며 Batch식으로 운영하였다. 돈분뇨 혼합물, 돈분 왕겨혼합물, 돈분 톱밥혼합물 등 세 가지 혼합물을 대상으로 주(主) 구성성분인 헤미셀루로즈, 리그닌, 셀루로즈, 단백질, 지질(脂質)등을 화학적으로 분석하였다. 실험결과에 의하면 전섬유소 (holocellulose = hemicellulose + cellulose), 리그닌(lignin)의 함유량이 클수록 바이오오일 생산량은 많았으나, 회분(ash)함량은 현저한 감소를 나타내었다. 본 연구에서는 다양한 바이오매스기질을 평가하였으며, 돈분과 왕겨의 상관성은 거의 나타나지 않았으나 돈분과 톱밥의 상관성은 매우 높게 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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