In this study, we evaluated effect of particle size on arsenic solid-state speciation and bioaccessibility in soils highly contaminated with arsenic from smelting and mining. Soils were partitioned into six particle size fractions ($2000-500{\mu}m$, $500-250{\mu}m$, $250-150{\mu}m$, $150-75{\mu}m$, $75-38{\mu}m$, <$38{\mu}m$), and arsenic solid-state speciation and bioaccessibility were characterized in each particle size fraction. Arsenic solid-state speciation was characterized via sequential extraction and XRD analysis, and arsenic bioaccessibility was evaluated by SBRC (Solubility Bioaccessibility Research Consortium) method. In smelter site soil, arsenic was mainly present as arsenic bound to amorphous iron oxides. Fine particle size fractions showed higher arsenic concentration, but lower arsenic bioaccessibility. On the other hand, arsenic in mine site soil showed highest concentration in largest particle size fraction ($2000-500{\mu}m$), while higher bioaccessibility was observed in smaller particle size fractions. Arsenic in mine site soil was mainly present as arsenolite ($As_2O_3$) phase, which seemed to affect the distribution of arsenic and arsenic bioaccessibility in different particle size fractions of the mine soil.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.20
no.5
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pp.394-398
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2007
A simple doping method to fabricate a very thin channel body of the nano-scaled n-type fin field-effect-transistor (FinFET) by arsenic solid-Phase-diffusion (SPD) process is presented. Using the As-doped spin-on-glass films and the rapid thermal annealing for shallow junction, the n-type source-drain extensions with a three-dimensional structure of the FinFET devices were doped. The junction properties of arsenic doped regions were investigated by using the $n^+$-p junction diodes which showed excellent electrical characteristics. The n-type FinFET devices with a gate length of 20-100 nm were fabricated by As-SPD and revealed superior device scalability.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.11a
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pp.133-134
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2006
A simple doping method to fabricate a very thin channel body of the n-type fin field-effect-transistor (FinFET) with a 20 nm gate length by solid-phase-diffusion (SPD) process is presented. Using As-doped spin-on-glass as a diffusion source of arsenic and the rapid thermal annealing, the n-type source-drain extensions with a three-dimensional structure of the FinFET devices were doped. The junction properties of arsenic doped regions were investigated by using the $n^+$-p junction diodes which showed excellent electrical characteristics. Single channel and multi-channel n-type FinFET devices with a gate length of 20-100 nm was fabricated by As-SPD and revealed superior device scalability.
Lee, Kyo Suk;Shim, Ho Young;Lee, Dong Sung;Chung, Doug Young
Korean Journal of Soil Science and Fertilizer
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v.48
no.2
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pp.73-80
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2015
Arsenic which is found in several different chemical forms and oxidation states and causes acute and chronic adverse health effects is a toxic trace element widely distributed in soils and aquifers from both geologic and anthropogenic sources. Arsenic which has a mysterious ability to change color, behavior, reactivity, and toxicity has diverse chemical behavior in the natural environment. Arsenic which has stronger ability to readily change oxidation state than nitrogen and phosphorus due to a consequence of the electronic configuration of its valence orbitals with partially filled states capable of both electron donation and acceptance although the electronegativity of arsenic is greater than that of nitrogen and similar to that of phosphorus. Arsenate (V) is the thermodynamically stable form of As under aerobic condition and interacts strongly with solid matrix. However, it has been known that adsorption and oxidation reactions of arsenite (III) which is more soluble and mobile than As(V) in soils are two important factors affecting the fate and transport of arsenic in the environment. That is, the movement of As in soils and aquifers is highly dependent on the adsorption-desorption reactions in the solid phase. This article, however, focuses primarily on understanding the fate and speciation of As in soils and what fate arsenic will have after it is incorporated into soils.
Kwon, H.W.;Shin, T.C.;Kim, J.J.;Ha, D.W.;Kim, Min Gyu;Kim, Young-Hun
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.20
no.2
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pp.1-5
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2018
Arsenic (As) is one of the elements having most harmful impact on the human health. Arsenic is a known carcinogen and arsenic contamination of drinking water is affecting on humans in many regions of the world. Adsorption has been proved most preferable technique for the removal of arsenic. Many researchers have studied various types of solid materials as arsenic adsorbent, and iron oxide and its modified forms are considered as the most effective adsorbent in terms of adsorption capacity, recovery, and economics. However, most of all iron oxides have small surface area in comparing with common adsorbents in environmental application such as activated carbon but the activated carbon has weak sorption affinity for arsenic. We have used an activated carbon as base adsorbent and iron oxide coating on the activated carbon as high affinity sorption sites and giving magnetic attraction ability. In this study, adsorption properties of arsenic and magnetic separation efficiency of the magnetized activated carbon (MAC) were evaluated with variable iron oxide content. As the iron oxide content of the MAC increased, adsorption capacity has also gradually increased up to a point where clogging by iron oxide in the pore of activated carbon compensate the increased sorption capacity. The increase of iron oxide content of the MAC also affected magnetic properties, which resulted in greater magnetic separation efficiency. Current results show that magnetically modified common adsorbent can be an efficiency improved adsorbent and a feasible environmental process if it is combined with the magnetic separation.
Shafiquzzam, Md.;Hasan, Md. Mahmudul;Nakajima, Jun
Environmental Engineering Research
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v.18
no.3
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pp.163-168
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2013
In this study, an innovative media, iron mixed ceramic pellet (IMCP) has been developed for arsenic (As) removal from groundwater. A porous, solid-phase IMCP (2-3 mm) was manufactured by combining clay soil, rice bran, and Fe(0) powder at $600^{\circ}C$. Both the As(III) and As(V) adsorption characteristics of IMCP were studied in several batch experiments. Structural analysis of the IMCP was conducted using X-ray absorption fine structure (XAFS) analysis to understand the mechanism of As removal. The adsorption of As was found to be dependent on pH, and exhibited strong adsorption of both As(III) and As(V) at pH 5-7. The adsorption process was described to follow a pseudo-second-order reaction, and the adsorption rate of As(V) was greater than that of As(III). The adsorption data were fit well with both Freundlich and Langmuir isotherm models. The maximum adsorption capacities of As(III) and As(V) from the Langmuir isotherm were found to be 4.0 and 4.5 mg/g, respectively. Phosphorus in the water had an adverse effect on both As(III) and As(V) adsorption. Scanning electron microscopy results revealed that iron(III) oxides/hydroxides are aggregated on the surface of IMCP. XAFS analysis showed a partial oxidation of As(III) and adsorption of As(V) onto the iron oxide in the IMCP.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.562-565
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2001
In this paper, novel device structures in order to realize ultra fast and ultra small silicon devices are investigated using ultra-high vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD) and Excimer Laser Annealing (ELA). Based on these fundamental technologies for the deep sub-micron device, high speed and low power devices can be fabricated. These junction formation technologies based on damage-free process for replacing of low energy ion implantation involve solid phase diffusion and vapor phase diffusion. As a result, ultra shallow junction depths by ELA are analyzed to 10~20nm for arsenic dosage(2${\times}$10$\_$14//$\textrm{cm}^2$), exciter laser source(λ=248nm) is KrF, and sheet resistances are measured to 1k$\Omega$/$\square$ at junction depth of 15nm and realized sub-50nm n-MOSFET.
Arsenic contamination around Au-Ag mining areas occurs mainly from the oxidation of arsenopyrite which is frequently contained in mine tailings. In weathered tailings, oxidation of sulfide minerals typically results in the formation of abundant ferric (oxy)hydroxides or (oxy)hydroxysulfates near the tailings surface, and arsenic may be associated with these secondary precipitates. In this study, solid phases of arsenic in weathered tailings of some Au-Ag mines were investigated through the SEM/EDS and sequential extraction analyses. The stability of As solid phases and the leaching potential were assessed with the variation of pH and Eh conditions. Oxidation of sulfides in the tailings samples was indicated by depletion of S molar concentrations compared to As and heavy metals. Under XRD examinations, jarosite as an Fe-oxyhydroxysulfate was found in the tailings of Deokeum, Dongil and Dadeok, and scorodite as an As-bearing crystalline mineral was identified from Dadeok which has the highest concentration of As (4.36 wt.%). Beudantite-like phases and some Pb-arsenates were also found under SEM/EDS analysis, and most of As phases were associated with Fe-(oxy)hydroxides and (oxy)hydroxysulfates despite a few arsenopyrite from Samgwang and Gubong. Sequential extraction analysis also showed that As was present predominantly as coprecipitated with Fe hydroxides from Dongil, Dadeok and Myungbong (72∼99%), and as sulfides (58%) and Fe hydroxide-associated forms (40%) from Samgwang and Gubong. In the tailings leaching experiment, As was released with high amounts by the dissolution of As-bearing Fe(oxy)hydroxysulfates in the lowest pH (2.7) conditions of Deokeum, and by desorption under alkaline conditions of Samgwang and Gubong. Higher leaching rates of arsenite(+3) were found under acidic conditions, which pose a higher risk to water quality. Changes in pH and Eh conditions coupled with microbial processes could influence the stabilities of the As solid phases, and thus, time amendments or landfilling of weathered tailings may result in enhanced As mobilization.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2001.05a
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pp.349-352
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2001
In this paper, novel device structure in order to realize ultra fast and ultra small silicon devices are investigated using ultra-high vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD) and Excimer Laser Annealing (ELA) for ultra pn junction formation. Based on these fundamental technologies for the deep sub-micron device, high speed and low power devices can be fabricated. These junction formation technologies based on damage-free process for replacing of low energy ion implantation involve solid phase diffusion and vapor phase diffusion. As a result, ultra shallow junction depths by ELA are analyzed to 10~20 nm for arsenic dosage (2$\times$10$^{14}$$\textrm{cm}^2$), excimer laser source(λ=248nm) is KrF, and sheet resistances are measured to 1k$\Omega$/$\square$ at junction depth of 15nm.
Waste can be utilized as secondary or alternative fuel. Solid recovered fuel (SRF) and dried sewage sludge were combusted to investigate heavy metal emissions from their combusiton in this study. Content of copper (Cu), chromium (Cr), cadmium (Cd), nickel (Ni), zinc (Zn), lead (Pb), arsenic (As) and mercury (Hg) of coal, SRF and dried sewage sludge were determined, respectively. Concentrations of these heavy metals in the combustion flue gas were also determined. As a result, emissions of gas-phase Cu, Cr, Cd, Ni, Zn, Pb and As compounds were found to be little. However, a significant amount of gas-phase Hg was emitted from combustion of coal, SRF and dried sewage sludge. While SRF showed a high mercury oxidation percentage in its combustion flue gas, dried sewage sludge showed a high level of gaseous mercury emission.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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