• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1256-1258
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• 1993

Optical data storage offer high density storage and archival storage capability. In this study, we selected the ablation mechanism-one of an irreversible recording system-using the antireflection trilayer(ART) structure. Optical recording medium is a $(Te_{86}Se_{14})_{50}Bi_{50}$ thin films. Actually, ART structure is fabricated and compared to monolayer structure. ART structure leads to the reduction of recording power as well as an increase in the effciency compared to the monolayer structure.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1988년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.74-77
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• 1988

This paper reports the properties of antireflection structure and hole formation of Te-based systems. The optical-recording characteristics of metallic recording media are enhanced significantly by incorporating the metal(Al) layer into an antreflection trilayer structure. Due to the interface condition inherent in the design of the trilayer structure, reflectivity from holes is ranked low fraction (<10%). The hole formation is carried by $Ar^+$ Laser(488nm). For 20nsec pulse duration, hole opening power(threschold) of $(Te_{86}Se_{14})_{50}Bi_{50}$ trilayer is lower than that of monolayer that used in this experiment. Hole shapes of the whole sample were clean.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 추계학술대회 논문집
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• pp.623-623
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• 2008

• 한국산학기술학회논문지
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• 제12권11호
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• pp.5172-5177
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• 2011

본 논문은 박막 실리콘 태양전지에 적용되는 반사방지 또는 고반사 코팅 기술에 관한 연구이다. 태양광 흡수율을 개선하기 위하여 박막 실리콘 태양전지의 앞면에는 반사를 줄이는 반사방지막 기술이 필요하며, 뒷면에는 반대로 반사를 높이는 고반사 기술이 필요하다. 반사방지막 기술에서 단층의 구조에서는 코팅의 두께에 따라 반사율이 틀려지고, 적절한 범위에서 두께를 제어하면 낮은 반사율을 얻을 수 있다. 대칭형태의 다층의 구조에서는 단층구조에 비해서 넓은 파장대에 걸쳐서 낮은 반사율을 얻을 수 있다. 또한 뒷면에 적용되는 고반사막 기술에서는 높은 굴절율을 갖는 매질과 낮은 굴절율을 갖는 매질을 대칭 구조로 구성하여 계산한 결과 높은 반사율을 얻을 수 있다는 것을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제13권6호
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• pp.389-393
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• 2003

The effect of antireflection layer on the reduction of optical loss has been investigated in Si photodiodes detecting red light with central wavelength of 670 nm. The theoretical analysis showed minimum reflection loss of 6% for the $SiO_2$thickness of about $1100∼1200\AA$ in the $SiO_2$-Si system with the single antireflection layer and no reflection loss for the X$N_3$N$_4$$SiO_2$thickness of $2000\AA$/$1200\AA$ in the $Si_3$$N_4$$SiO_2$-Si system with double antireflection layer. In our experiments, Si photodiodes with the web-patterned $p^{＋}$-shallow diffusion region were fabricated by bipolar IC process technology and the devices were classified into three kinds according to the structure of $Si_3$$N_4$/$SiO_2$antireflection layer. The fabricated devices showed maximum spectral response in the optical spectrum of 650∼700 nm. The average photocurrents of the devices with the $Si_3$$N_4$$SiO_2$thickness of $1000\AA$/X$SiO\AA$, and $2000\AA$$1800\AA$ under the incident power, of -17 dBm were 3.2 uA, 3.5 uA and 3.1 uA, respectively.

• Current Optics and Photonics
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• 제5권4호
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• pp.375-383
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• 2021

We present a simulation method to design antireflection coating (ARCs) for fiber-coupled superconducting nanowire single-photon detectors. Using a finite-element method, the absorptance of the nanowire is calculated for a defined unit-cell structure consisting of a fiber, ARC layer, nanowire absorber, distributed Bragg reflector (DBR) mirror, and air gap. We develop a method to evaluate the uncertainty in absorptance due to the uncontrollable parameter of air-gap distance. The validity of the simulation method is tested by comparison to an experimental realization for a case of single-layer ARC, which results in good agreement. We show finally a double-layer ARC design optimized for a system detection efficiency of higher than 95%, with a reduced uncertainty due to the air-gap distance.

• 한국표면공학회지
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• 제42권2호
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• pp.59-62
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• 2009

Antireflection pattern, moth-eye structure, was fabricated on lens using Ultra Violet nanoimprint lithography and flexible template. Ni template with conical shaped structure was used as a master template to molding. The flexible poly vinyl alcohol template was fabricated by molding. This poly vinyl alcohol template was used as an imprint template of imprint at lens. Using Ultra Violet nanoimprint lithography and poly vinyl alcohol template, polymer based moth-eye structure was formed on lens and its transmittance was increased up to 94% from 92% at 550 nm wavelength.

• 한국안광학회지
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• 제1권1호
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• pp.93-102
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• 1996

렌즈의 광학계의 분광투과률을 높이기 위한 방법으로 무반사막의 다층화에 의한 광대역화와 낮은 반사률이 중요하다. 그러나 잔류반사광이 발생하여 반사색광이 미약하게 나타난다. 이런 반사색광은 두께, 굴절율, 층수, 입사광의 파장, 기판물질 등의 구조에 의한 반사광의 파장 영역을 제어할 수 있다. l층, 2층 구조에서 ${\lambda}s/{\lambda}$=1.0인 조건하에서 무반사시키면, 다른 영역에서 나온 반사광들이 색혼합된 반사색광을 얻을 수 있고, 3층 구조에서 ${\lambda}0/{\lambda}$가 $PI{\ll}1$, $P2{\gg}1$ 에서 무반사시키면 P1< ${\lambda}0/{\lambda}$

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권9호
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• pp.4139-4145
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• 2012

본 논문에서는 향후 태양전지 반사방지막에 적용여부를 알기 위하여 굴절률 분포에 따른 반사방지막의 성능을 분석하였다. 기존논문에서 제시되었던 1차, 3차 및 5차 함수의 굴절률 분포를 6층 구조의 두께 180 nm 반사방지막에 적용하고 각 굴절률 분포에 대한 반사율을 계산하고 비교하였다. 또한 새로운 구배형 굴절률(graded index) 구조를 제안하였고, 제안한 구조와 기존의 1차, 3차 및 5차 함수의 반사율과 비교하였다. 그 결과로써, 굴절률 분포가 고차 함수로 갈수록 반사율이 대체적으로 감소하였고, 구배형 굴절률 분포의 경우는 짧은 파장대(500 nm ~ 700 nm 이하)에서는 1차, 3차 및 5차 함수보다 더 높은 반사율을 보였고, 긴 파장대(700 nm 이상 ~ 800 nm)에서는 더 낮은 반사율을 보였다. 따라서 긴 파장대에서는 구배형 굴절률 분포가 기존의 1차, 3차, 5차 함수인 경우보다 더 좋은 반사방지막이 될 수 있다는 것을 발견했고, 이 결과는 긴 적색 가시광선에서 적외선 영역에 적용되는 광소자 및 광필터에 적용 가능하리라 판단된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.251-254
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• 2001

This paper describes an efficiency improvement of buried contact solar cell (BSCS) with a structure of MgF$_2$/CeO$_2$/Ag/Cu/Ni grid/n$^{+}$ emitter/p-type Si base/p$^{+}$/Al. Theoretical and experimental investigations were performed on a double layer antireflection (DLAR) coating of MgF$_2$/CeO$_2$. We investigated CeO$_2$ films as an AR layer because they have a proper refractive index of 2.46 and demonstrate the same lattice constant as Si substrate. An optimized DLAR coating shewed a reflectance as low as 2.04 % in the wavelengths ranged from 0.4 ${\mu}{\textrm}{m}$ to 1.1 ${\mu}{\textrm}{m}$. BCSC cell efficiency was improved from 16.2 % without any AR coating to 19.9 % by employing DLAR coatings. Further details on MgF$_2$/CeO$_2$ DLAR coatings on the BCSC cells are presented in this paper.per.