Ha, Seungbum;Jee, Sanghoon;Tanveer, Waqas Hassan;Lee, Yoonho;Cha, Suk Won
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2011.11a
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pp.84.1-84.1
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2011
Typical solid oxide fuel cells (SOFCs) have limited applications because they operate at high temperature due to low ionic conductivity of electrolyte. Thin film solid oxide fuel cell with yttria stabilized zirconia (YSZ) electrolyte is developed to decrease operating temperature. Pt/YSZ/Pt thin film SOFC was fabricated on anodic aluminum oxide (AAO). The crystalline structure of YSZ electrolyte by sputter is heavily depends on the roughness of porous Pt layer, which results in pinholes. To deposit YSZ electrolyte without pinholes and electrical shortage, it is necessary to deposit smoother and denser layer between Pt anode layer and YSZ layer by sputter. Atomic Layer Deposition (ALD) technique is used to deposit pre-YSZ layer, and it improved electrolyte quality. 300nm thick Bi-layered YSZ electrolyte was successfully deposited without electrical shortage.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.42
no.2
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pp.63-67
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2009
CdSe is one of the composite semiconductor materials used in hybrid solar cell. CdSe nanorods were fabricated using electrochemical deposition in anodic aluminum oxide (AAO) template. CdSe were deposited from $CdSO_4$ and $H_2SeO_3$ dissolved aqueous solution by direct current electrochemical deposition. Uniformity of CdSe nanorods were dependent on the diameter and the height of holes in AAO. The current density, current mode, bath composition and temperature were controlled to obtained 1:1 atomic composition of CdSe. CdSe electroplating in AAO is bottom-up filling so we applied direct current is better than others for good uniformity of CdSe nanorods. The optimum conditions to obtain 1:1 atomic composition of CdSe nanorods are direct current $10\;mA/cm^2$, 0.25 M $CdSO_4$-5 mM $H_2SeO_3$ electrolytes at room temperature.
Kim, Bong-Seo;Lee, Dong-Yoon;Lee, Hee-Woong;Chung, Won-Sub
Proceedings of the KIEE Conference
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2005.07c
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pp.2028-2030
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2005
The electrical conductivity of manganese oxide and complex manganese oxide produced by anodic deposition method was measured. The additive transition metal is Cu, Co and Fe. The transition metals like as Cu, Co and Fe improved electrical conductivity of complex manganese oxide compared with manganese oxide. This is coincide with the results of molecular orbital calculation by DV-Xa.
Single-crystalline silicon nanowire arrays (SiNWAs) using electroless metal-assisted etchings of p-type silicon were successfully fabricated. Ag nanoparticle deposition on silicon wafers in HF solution acted as a localized micro-electrochemical redox reaction process in which both anodic and cathodic process took place simultaneously at the silicon surface to give SiNWAs. The growth effect of SiNWs was investigated by changing of etching times. The morphologies of SiNWAs were obtained by SEM observation. Well-aligned nanowire arrays perpendicular to the surface of the silicon substrate were produced. Optical characteristics of SiNWs were measured by FT-IR spectroscopy and indicated that the surface of SiNWs are terminated with hydrogen. The thicknesses and lengths of SiNWs are typically 150-250 nm and 2 to 5 microns, respectively.
Kastro, Kanido Camerun;Seo, Min Ji;Jeong, Hwakyeung;Kim, Jongwon
Journal of Electrochemical Science and Technology
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v.10
no.2
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pp.206-213
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2019
The development of simple methods for As detection has received great attention because As is a toxic chemical element causing environmental and health-related issues. In this work, the effect of nanostructures of Au electrodes on their electroanalytical performance during As detection was investigated. Different Au nanostructures with various surface morphologies such as nanoplate Au, nanospike Au, and dendritic Au structures were prepared, and their electrochemical behaviors toward square-wave anodic stripping voltammetric As detection were examined. The difference in intrinsic efficiency for As detection between nanostructured and flat Au electrodes was explained based on the crystallographic orientations of Au surfaces, as examined by the underpotential deposition of Pb. The most efficient As detection performance was obtained with nanoplate Au electrodes, and the effects of the pre-deposition time and interference on As detection of the nanoplate Au electrodes were also investigated.
Il Kwang Kim;Hyun Ja Chun;Seung Il Jeong;Sung Woo Park;Jae Hoon You
Journal of the Korean Chemical Society
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v.37
no.11
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pp.943-950
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1993
The determination of trace level germanium in 5.0 ${\times}\;10^{-2}$ M perchloric acid supporting electrolyte solution containing 8.0 ${\times}\;10^{-2}$ M catechol has been investigated by the square wave anodic stripping voltammetry. The optimum conditions in determination of germanium were as follows: deposition time; 120 sec, deposition potential; -0.9 volts vs. Ag/AgCl and frequency; 100 Hz. The determination of germanium was possible regardless of coexistent ion such as copper, lead and silicon. Calibration curve was shown a good linearlity in the range of 0.40 ppb to 2.0 ppm and the detection limit was 0.080 ppb. This method was useful for trace level germanium due to the short analysis time and higher sensitivity.
The simultaneous determination of Zn, Cd, Pb and Cu in 1.000%(w/v) tungsten matrix by differential pulse anodic stripping voltammetry at a hanging mercury drop electrode has been studied. Tartaric acid(pH=5.00) was used as a supporting electrolyte. Optimum analytical conditions were found that the deposition potential was -1.2 volt(vs. Ag/AgCl), the deposition time was 3 minutes. The linear concentration range of all trace metal ions in 1.000%(w/v) tungsten matrix were 10 to 50 ppb. And the detection limit(3${\sigma}$) of zinc, cadmium, lead and copper were 1.25, 1.02, 1.69, and 1.02 ppb respectively. This method was superior to the ICP-AES method which detection limits(3${\sigma}$) in 1.000%(w/v) tungsten matrix were 8.0, 5.0, 120 and 5 ppb respectively.
The micro particle,s shapes of the magnetic films obtained by electrode position of Iron ions and Cobalt-Iron mixed ions in aluminum anodic oxidized films are dependent on the size of particle diameter. When the diameter of deposited particles is larger than $300\AA$, the film plane anisotropy caused by bottom extremity increases, and the crystalization orientation of FeC deposited unusually in the part of the bottom extremities affects on the coercive force Hc and the magnetic anisotropy energy Ku. It was confirmed that the shape anisotropy of particle affects on the both Hc and Ku because the FeC did not deposit in the Iron deposited samples entirely, but in the Cobalt-Iron alloy deposited samples, the effects by the very strong crystalization orientation of the FeC is larger than that of the shape anisotropy. From these results, the Cobalt-Iron alloyed films could switchover the film plane magnetic anisotropy to the perpendicular magnetic anisotropy energy by using the constrainting method of FeC deposition with Cu deposition instead of Cobalt-Iron alloy in the bottom extremities.
In order to increase the electrical conductivity and the mechanical properties of carbon fabric composites, multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs) and carbon nanofibers (CNFs) were deposited on carbon fabrics by anodic and cathodic electrophoretic deposition (EPD) processes. In the cathodic EPD, carbon nano-particles and nano-sized Cu particles were simultaneously deposited on the carbon fabric, which gave a synergetic effect on the enhancement of properties as well as the degree of deposition. The hybridization of carbon nano-particles and micron-sized carbon fiber significantly improved the through-the-thickness electrical conductivity. In addition, both MWCNTs and CNFs were deposited onto the carbon fabric for multi-scale hybrid composites. Multi-scale deposition improved the through-the-thickness electrical conductivity, compared to the deposition of either MWCNTs or CNFs.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.8
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pp.708-713
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2005
An alumina membrane with nano-sized pore array by anodic oxidation using the thin film aluminum deposited on silicon wafer was fabricated. It Is important that the sample prepared by metal deposition method has a flat aluminum surface and a good adhesion between the silicon wafer and the thin film aluminum. The oxidation time was controlled by observation of current variation. While the oxalic acid with 0.2 M was used for low voltage anodization under 100 V, the chromic acid with 0.1 M was used for high voltage anodization over 100 V. The nano-sized pores with diameter of $60\~120$ nm was obtained by low voltage anodization of $40\~80$ V and those of $200\~300$ nm was obtained by high voltage anodization of $140\~200$ V. The pore widening process was employed for obtaining the one-channel with flat surface because the pores of the alumina membrane prepared by the fixed voltage method shows the structure of two-channel with rough surface. Finally, the sample was immersed to the phosphoric acid with 0.1 M concentration to etching the barrier layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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