The role of magnetic anisotropy of the antiferromagnetic layer on the magnetization process of exchange coupled polycrystalline ferromagnetidantiferromagnetic bilayers is discussed. In order to elucidate the magnetic torque response of Ni-Fe/Mn-Ir bilayers, the single spin ensemble model is newly introduced, taking into account the two-dimensionally random distribution of the magnetic anisotropy axes of the antiferromagnetic grains. The mechanism of the reversible inducement of the exchange anisotropy along desirable directions by field cooling procedure is successfully explained with the new model. Unidirectional anisotropy constant, J$k$, of polycrystalline Ni-Fe/Mn-Ir and Co-Fe/Mn-Ir bilayers is investigated as functions of the chemical composition of both the ferromagnetic layer and the antiferromagnetic layer. The effects of microstructure and surface modification of the antiferromagnetic layer on JK are also discussed. As a notable result, an extra large value of J$k$, which exceeds 0.5 erg/cm$^2$, is obtained for $Co_{70}Fe_{30}Mn_{75}Ir_{25}$ bilayer with the ultra-thin (50${\AA}$∼100${\AA}$) Mn-Ir layer. The exchange anisotropy of $Co_{70}Fe_{30}$ 40 ${\AA}/Mn_{75}Ir_{25}$ 100 ${\AA}$ bilayer is stable for thermal annealing up to $400{^{\circ}C}$, which is sufficiently high for the application of spin valve magnetoresistive devices.
DC 마그네트론 스퍼터링법으로 증착된 700 $\AA$의 NiFe 박막을 박막 증착시 형성시킨 자화용이축에 수직한 자기장을 인가하여 열처리한 후 일축 이방성 자기장의 회전을 조사하였다. NiFe 박막은 열처리온도 160 $^{\circ}C$에서 자화용이축과 자화곤란축을 구분할 수 없는 등방적인 상태가 되었고, 열처리온도가 증가함에 따라 다시 일축 이방성을 갖는 상태가 되었다. 열처리 온도가 400 $^{\circ}C$ 이상인 경우에 급격한 보자력의 증가를 보였다. 열처리 온도가 400 $^{\circ}C$인 경우에 XRD 분석과 AES depth profile은 NiFe 박막 내에서 (111) 방향으로 결정성장이 활발히 일어나며 인접한 전극 Au와 상호화산 현상도 광범위하게 일어남을 보여주었다.
충북 보은 일대에 분포하는 옥천계 지층 및 중생대 화강암을 대상으로 기반암의 지진파 속도 및 시편으로부터 3차원적인 지진파의 전달속도를 측정하고, 이의 결과 자료를 비교분석 하였다. 야외에서 측정된 P파의 평균속도는 불국사화강암이 2697m/s로서 최대이고 구룡산층2에서 861m/s로 최소의 속도를 보인다. 각 방위에 따른 P파의 이방성을 암종별로 비교하면 불굴사화강암에서 최대치(81%)를 장리층에서 최소치(46%)를 보이고, 8곳의 평균 이방성지수는 68.5%이다. 시료에서 측정된 P파의 평균속도를 비교하여 보면 구룡산층1, 구룡산층2,창리층 및 문주리층2에서 5000m/s이상이며, S파의 경우도 동일한 시료에서 3500m/s 이상의 높은 속도가 측정되었는데 이는 야외의 경우보다 3∼5배의 빠른 속도를 나타낸다. 또한 P파의 이방성지수는 불국사화강암과 구룡산1에서 60% 이상의 높은 수치를 보이나 다른 시료에서는 30%이하의 낮은 수치를 보인다. 이 수치는 야외에서 측정된 P파의 평균이방성지수 68.5%보다 현저히 낮은 수치로서 야외에서 측정된 P파의 방향에 따른 속도 차이가 시료의 경우보다 현저히 높았음을 뜻한다.
An overview will be given on recent Mossbauer and magnetization investigation of the applied field dependence of the magnetic properties of typical systems without strong magnetic anisotropy and showing the absence of magnetic saturation in high fields (including iron-rich spin glass (amorphous $Fe_{93}Zr_{7}$, soft ferromagnets (amorphous $Fe_{88}Zr_{12}$, $Fe_{70}Ni_{20}Zr_{10}$ and $Fe_{88}B_{12}$) and pure Fe). The results emphasize that shape anisotropy due to surface irregularities causes misalignment between the magnetization and the applied field in the otherwise collinear magnetic structure.
Local magnetization reversal in the exchange-biased NiFe/FeMn and $[Pd/Co]_5/FeMn$ multilayers with in-plane and out-of-plane magnetic anisotropy was achieved by using laser annealing. The local annealed NiFe/FeMn film under the opposite magnetic field shows a magnetoresistance (MR) curve having two symmetric peaks at the positive and negative exchange biasing field (${\pm}H_{ex}$). The intensity of the nucleated MR peak rises as the exposed area extends during the laser annealing process, and the peak disappears under the reverse magnetic field. In the case of [Pd/Co]/FeMn films, the local magnetization reversal increased gradually as the laser power increases. The locally reversed magnetization was restored under the opposite magnetic field.
The present paper is to investigate the phase stability and soft magnetic properties of amorphous CoNbZr films when Pd is added as a substitution for CoNbZr alloys. The films were prepared by a RF magnetron sputtering method. The CoNbZrPd films deposited on Si wafers exhibited amorphous structures being independent upon the amount of Pd added in the films. On the addition of 4.34% Pd, the excellent soft magnetic characteristics of the films were observed with a coercive force of 0.54 Oe and an anisotropy field of 11 Oe, whereas a coercive force of 1 Oe and an anisotropy field of 3.5 Oe were shown in the film without the addition of Pd. The increased anisotropy field and low coercive force of the films may be attributed to the occupancy of Pd in the preferred sites parallel to the external magnetic field applied on the deposition process. A permeability of about 1100 was kept constant in the operation frequency ranging up to 100 MHz, which can be explained by the Landau-Lifshitz formula.
The FFS (fringe-field switching) mode was known to exhibit both a wide viewing angle and high transmittance, especially when using a liquid crystal with negative dielectric anisotropy. We have studied cell gap-dependent electrode-optic characteristics of the FFS mode using the LC with negative dielectric anisotropy. In case of a small cell gap of 2 ${\mu}$m, the transmittance at the center of pixel and common electrodes is relatively low because effect of surface anchoring that holds the LC to the initial state is larger than that in a large cell gap of 4 .urn such that the LCs in those regions cannot rotate enough. However, in case of a large cell gap of 4 .urn, the effect of surface anchoring becomes relatively small so that the LCs at the center of pixel and common electrode can be twisted enough by applied voltage, giving rise to high transmittance. Therefore, we can conclude that the light efficiency is dependent on the cell gap.
The present paper is to investigate the phase stability and soft magnetic properties of amorphous CoNbZr films when Pd is added as a substitution for CoNbZr alloys. The films were prepared by a RF magnetron sputtering method. The CoNbZrPd films deposited on Si wafers exhibited amorphous structures being independent upon the amount of Pd added in the films. On the addition of 4.34% Pd, the excellent soft magnetic characteristics of the films were observed with a coercive force of 0.54 Oe and an anisotropy field of 11 Oe, whereas a coercive force of 1 Oe and an anisotropy field of 3.5 Oe were shown in the film without the addition of Pd. The increased anisotropy field and low coercive force of the films may be attributed to the occupancy of Pd in the preferred sites parallel to the external magnetic field applied on the deposition process. A permeability of about 1100 was kept constant in the operation frequency ranging up to 100 MHz, which can be explained by the Landau-Lifshitz formula.
임의의 전기 이방성을 갖는 지하 층상 구조에 유입되는 전류에 의한 전위와 전기장의 계산을 위하여, Das (1995)에 의해 연구되었던 해석해 알고리듬을 면밀하게 검토하고 개선하였다. 모든 이론 전개를 단계별로 확인하였으며, 그에 따라 전류 전극에 의한 전위 및 전류를 구하는 컴퓨터 프로그램을 작성하였다. 전위와 전기장의 계산을 통해 이방성 층상구조에 대한 전기 비저항 탐사 겉보기 비저항 변화를 전극 간격과 전극 운영 방향에 따라 계산하였다. 이러한 결과들을 예시로 도시화함으로써 전기적 이방성 매체의 효과를 검토하였다.
We have investigated the photoinduced birefrinence by the electric field effects in chalcogenide thin films. The electric field effects have investigated the various applied bias voltages(forward and reverse) in chalcogenide thin films. A pumping (inducing) and a probing bean were using a linearly polarized He-Ne laser light (633nm) and semiconductor laser light (780nm), respectively. The result was shown that the birefringence had a higher value in DC +2V than the others, Also, we obtained the birefringence in the electric field effects by various voltages. In addition, we have discussed the anisotropy property of chalcogenide thin films by the electric field effects.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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