• 반도체디스플레이기술학회지
• /
• 제15권4호
• /
• pp.10-15
• /
• 2016

In this paper, novel ball grid array (BGA) interconnection process using solderable anisotropic conductive adhesives (SACAs) with low-melting-point alloy (LMPA) fillers have been developed to enhance the processability in the conventional capillary underfill technique and to overcome the limitations in the no-flow underfill technique. To confirm the feasibility of the proposed technique, BGA interconnection test was performed using two types of SACA with different LMPA concentration (0 and 4 vol%). After the interconnection process, the interconnection characteristics such as morphology of conduction path and electrical properties of BGA assemblies were inspected and compared. The results indicated that BGA assemblies using SACA without LMPA fillers showed weak conduction path formation such as solder bump loss or short circuit formation because of the expansion of air bubbles within the interconnection area due to the relatively high reflow peak temperature. Meanwhile, assemblies using SACA with 4 vol% LMPAs showed stable metallurgical interconnection formation and electrical resistance due to the favorable selective wetting behavior of molten LMPAs for the solder bump and Cu metallization.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제22권3호
• /
• pp.39-44
• /
• 2015

이방성 전도접착제를 이용하여 Cu/Au 칩 범프를 Cu 기판 배선에 플립칩 실장한 접속부에 대해 CNT-Ag 복합패드가 접속저항에 미치는 영향을 연구하였다. CNT-Ag 복합패드가 내재된 플립칩 접속부가 CNT-Ag 복합패드가 없는 접속부에 비해 더 낮은 접속저항을 나타내었다. 각기 25 MPa, 50 MPa 및 100 MPa의 본딩압력에서 CNT-Ag 복합패드가 내재된 접속부는 $164m{\Omega}$, $141m{\Omega}$ 및 $132m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었으며, CNT-Ag 복합패드를 형성하지 않은 접속부는 $200m{\Omega}$, $150m{\Omega}$ 및 $140m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제20권4호
• /
• pp.17-23
• /
• 2013

신축성 전자패키징 기술개발을 위한 기초연구로서 Cu/Sn 범프에 CNT-Ag 복합패드를 형성한 칩을 이방성 전도접착제를 사용하여 플립칩 본딩한 후, CNT-Ag 복합패드의 유무 및 본딩압력에 따른 플립칩 접속부의 접속저항을 측정하였다. CNT-Ag 복합패드가 형성된 Cu/Sn 칩 범프를 25MPa과 50MPa의 본딩압력으로 플립칩 본딩한 시편들은 접속저항이 너무 높아 측정이 안되었으며, 100MPa의 본딩압력으로 플립칩 본딩한 시편은 $213m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었다. 이에 비해 CNT-Ag 복합패드가 없는 Cu/Sn 칩 범프를 사용하여 25MPa, 50 MPa 및 100 MPa의 본딩압력으로 플립칩 본딩한 시편은 각기 $1370m{\Omega}$, $372m{\Omega}$ 및 $112m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었다.