• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.934-937
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• 1999

MMIC 제작을 위한 단일 반도체 공정으로써 PECVD를 이용한 Si₃N₄의 증착, RIE를 이용한 CaAs via-hole건식식각, 그리고 airbridge 공정조건을 위한 실험 및 분석 작업을 수행하였다. Si₃N₄의 증착 실험에서는 굴절률이 2인 조건을, GaAs via-hole 식각 실험에서는 최적화된 thru-via의 모양과 식각률을 갖는 조건을, airbridge 실험에서는 polyimide coating 및 건식 식각 조건과 금 도금 및 습식 식각의 최적 조건들을 찾아내었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제42권7호
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• pp.41-48
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• 2005

본 연구에서는 60 GHz 대역의 무선 LAN(Wireless Local Area Network) 시스템에서 Balanced 구조를 갖는 증폭기나 믹서에 응용이 가능한 CPW(Coplanar Waveguide)구조의 Tandem 형 3-dB 방향성 결합기를 설계하고 제작하였다. 이는 기존의 edge-coupled 선로를 이용한 3 dB 결합기가 가지는 제작의 어려움과 방향성의 문제를 개선하기 위해 단일 결합선로를 다단으로 평행하게 연결한 구조이다. 우리는 소자의 크기와 제작의 용이함을 고려해, 결합계수가 -8.34 dB를 갖는 단일 결합선로를 2단으로 평행하게 연결한 구조를 채택하였다. 그리고 기존의 Tandem 결합기 제작에서 사용되어왔던 다층 기판 구조나 본딩 구조가 아닌 에어브리지 구조를 이용하여 단일 평면으로 쉽게 구현할 수 있도록 하였고, V-band(50 $\~$75 GHz)내에서 동작할 수 있도록 기생성분을 줄이고 소자 특성을 유지시켰다. 측정결과 V-band에서 완만한 3.5 $\~$4 dB의 결합도와 87.5$^{\circ}{\pm}1^{\circ}$ 의 위상차를, 60 GHz 에서는 30 dB 이상의 방향성을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권8호
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• pp.37-44
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• 2004

본 논문에서는 RF 부품 수동소자 중 가장 기본적인 요소가 되는 전송선로를 DAML(Dtelectric-supported Airbridge Microstrip Line) 형태의 새로운 구조로 제안하였으며, DAMS(Micro Electro Mechanical System) 기술 중 표면 마이크로머싱닝(surface micromachining) 기법을 이용하여 구현하였다. 제안된 구조는 마이크로스트립 라인(microstrip line)의 응용 형태로서 기존의 신호선(signal line)과 ground 사이에 유전체 지지대(dielectric post)를 사용하였고, 신호선을 공중으로 띄우면서 넓은 범위의 임피던스에서 유전체 손실(dielectric loss)을 최소화하였다. 본 논문에서 제작된 전송선로는 10 ㎛의 신호선의 높이와 10 ㎛ × 10 ㎛의 지지대(Post) 면적과 9 ㎛의 지지대(post)의 높이와 5 mm의 길이로 제작되었다. 50 GHz에서 일반적인 마이크로스티립(microstrip) 전송선의 손실이 약 7.5 dB/cm 이상 되는 것과 비교하여 본 논문에서 제안한 구조에서는 50 GHz에서 전송선의 손실이 약 1.1 dB/cm가 되는 것을 얻었다.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권1호
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• pp.129-137
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• 1995

AlGaAs/GaAs HBTs have been fabricated using SABM (Self-Aligned Base Metal) process technique. The mesa type HBTs were fabricated through following steps: isolation implant, wet etching, metal lift-off, and airbridge interconnection process. The fabricated HBTs with 2umx10um size emitter showed a common emitter current gain of 10 at a collector current density of Jk=100kA/cm$^{2}$, a breakdown volgate BVCEO of 8V, and the ideality factors of base and collector junctions of 1.6 and 1.1, respectively. On-wafer S-Parameter measurement at 0.5~18GHz has been made for the characterization of the common emitter HBTx with a 2umx10um size emitter. The extrapolated current gain cut-off frequency of ft=30GHz and maximum oscillation frequency of fmax=23 GHz were obtained at a collector current density of Jc=70kA/cm$^{2}$. Small signal HBT equivalent circuit was extracted from the S-Parameter data.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제42권3호
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• pp.33-38
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• 2005

본 논문에서는 표면 마이크로 머시닝 기법으로 구현된 DAML (Dielectric-supported Airbridge Microstrip Line) 형태의 새로운 구조를 이용하여 $180^{\circ}$ 링 하이브리드 결합기를 설계 및 제작 하였다. DAML 구조로 이용하여 제작된 결합기는 60 GHz 중심 주파수에서 3.58 dB의 S31과 3.31 dB의 S21과 61 GHz에서 16.17 dB 이상의 S11과 55 dB 이상의 S41를 얻을 수 있다. 결합기의 크기를 줄이기 위하여 slow wave 구조가 삽입된 결합기를 설계 제작하였으며 크기를 $33\%$ 정도 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있었다.