The Optimization of Semiconductor Processes for MMIC Fabrication - Si$_3$N$_4$ deposition, GaAs via-hole dry etching, Airbridge process

MMIC 제작을 위한 반도체 공정 조건들의 최적화 - Si$_3$N$_4$증착, GaAs via-hole건식식각, Airbridge공정

  • 정진철 (한국전자통신연구원) ;
  • 김상순 (광주과학기술원 정보통신공학과) ;
  • 남형기 (광주과학기술원 정보통신공학과) ;
  • 송종인 (광주과학기술원 정보통신공학과)
  • Published : 1999.06.01

Abstract

MMIC 제작을 위한 단일 반도체 공정으로써 PECVD를 이용한 Si₃N₄의 증착, RIE를 이용한 CaAs via-hole건식식각, 그리고 airbridge 공정조건을 위한 실험 및 분석 작업을 수행하였다. Si₃N₄의 증착 실험에서는 굴절률이 2인 조건을, GaAs via-hole 식각 실험에서는 최적화된 thru-via의 모양과 식각률을 갖는 조건을, airbridge 실험에서는 polyimide coating 및 건식 식각 조건과 금 도금 및 습식 식각의 최적 조건들을 찾아내었다.

Keywords