• 한국음향학회지
• /
• 제19권4호
• /
• pp.45-51
• /
• 2000

본 논문에서는 16 비트 고정 소수점 DSP(Digital Signal Processor)를 사용하여 다채널 G.729A 음성 부호화기를 실시간 구현하였으며, 실제로 음성 사서함 서비스(Voice Mailing Service: VMS) 시스템에 응용하였다. DSP는 TI(Texas Instruments)사의 TMS320C549 칩을 사용하였으며, 구현된 G.729A음성 부호화기는 채널 당 부호화기에 14.5 MIPS를, 복호화기에 3.6 MIPS를 소요하였으며, 메모리는 코드 부분에 9.88 K 워드, 데이터 부분에 1.69 K 워드를 필요로 하였다. 결과적으로 개발된 VMS 시스템에는 두 개의 DSP를 사용하여 DSP 당 4 채널씩 총 8 채널을 수용하였다. 실험 결과, 구현된 다채널 부호화기는 ITU-T에서 제공된 테스트 벡터 샘플을 모두 통과하는 일관된 성능을 보였다.

• 전자공학회논문지A
• /
• 제32A권2호
• /
• pp.66-72
• /
• 1995

Using the Si/SiGe layer grown by solid source molecular beam epitaxy(SSMBE) on the LOCOS-patterned wafers, an emitter-base self-aligned hterojunction biplar transistor(HBT) with the polysilicon-emitter and the silicon germanium(SiGe) base has been fabricated. Trech isolation process, planarization process using a chemical-mechanical poliching, and the selectively implanted collector(SIC) process were performed. A titanium disilicide (TiSi$_{2}$), as a base electrode, was used to reduce an extrinsic base resistance. To prevent the strain relaxation of the SiGe epitaxial layer, low temperature (820${^\circ}C$) annealing process was applied for the emitter-base junction formation and the dopant activation in the arsenic-implanted polysilicon. For the self-aligned Si/SiGe HBT of 0.9${\times}3.8{\mu}m^{2}$ emitter size, a cut-off requency (f$_{T}$) of 17GHz, a maximum oscillation frequency (f$_{max}$) of 10GHz, a current gian (h$_{FE}$) of 140, and an emitter-collector breakdown voltage (BV$_{CEO}$) of 3.2V have been typically achieved.

• 한국재료학회지
• /
• 제7권3호
• /
• pp.218-223
• /
• 1997

과냉각액체구역(${\Delta}T_{x}=T_{x}-T_{g}$)을 갖는 $Fe_{80}P_{10}C_{6}B_{4}$ 조성에 천이금속(Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Co, Ni, Pd, Pt및 Cu)를 첨가하여 이들 원소가 유리화온도($T_{g}$), 결정화온도($T_{x}$) 및 과냉액체구역 (${\Delta}T_{x}$)에 미치는 영향에 \ulcorner여 조사하였다. $Fe_{80}P_{10}C_{6}B_{4}$ 합금의 ${\Delta}T_{x}$ 값은 27K였으나 이 합금에 Hf, Ta 및 Mo을 각각 4at%첨가하면 그 값이 40k 이상으로 증가하였다. 이같은 ${\Delta}T_{x}$ 값의 증가는 유리화온도($T_{g}$의 상승보다 결정화온도($T_{x}$)의 상승폭이 크기 때문이다. $T_{g}$ 및 $T_{x}$는 외각전자밀도(e/a)가 약 7.38에서 7.05로 감소할수록 상승하였다. e/a의 감소는 천이금속과 다른 구성원소(반금속)사이의 상호결합상태를 의미한다. 즉 $T_{g}$ 및 $T_{x}$의 상승은 강한 상호결합력에 기인하는 것으로 사료된다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
• /
• 한국자기학회 2003년도 하계학술연구발표회 및 한.일 공동심포지엄
• /
• pp.150-151
• /
• 2003

In the past years, a giant magnetoresistance (GMR) effect found in perovskite-like structured materials has attracted considerable attention among scientists and manufacturers, since, a practical point of view, the capacity of producing magnetic and sensing sensors. In a stream of this interest, further efforts to understand the underlying mechanism that leads to the GMR effect relative to the correlation between transport and magnetic properties, have been extensively devoted. In these cases, spin-glass-like behaviors are ascribed to the frustration of random competing exchange interactions, namely the ferromagnetic double-exchange interaction between Co$\^$3+/ (or Mn$\^$3+/) and Co$\^$4+/(or Mn$\^$4+/) and the antiferromagnetic one like spins. Noticeably, the distinction of spin-glass region from cluster-glass one, involved in the remarkable changes in transport and magnetic properties at a critical value of doping concentration, was observed. Magnetic anomalies in zero-field-cooled (ZFC) magnetization as well as ac magnetic susceptibility below Curie temperature T$\sub$c/ and the charge/orbital fluctuation were also realized. In this work, we present a study of magnetic properties of a deficient manganese perovskites system of La$\sub$0.6/Sr$\sub$x/MnTi$\sub$y/O$_3$, and particularly provide its new magnetic phase diagram.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.148-148
• /
• 2011

일반적으로 LED 제작에 사용되는 c-plane GaN는 c축 방향으로 발생하는 분극의 영향을 받게 된다. 분극은 LED내 양자우물의 밴드를 기울게 하여 그 결과 전자와 홀의 재결합 확률을 감소시켜 낮은 내부양자효율을 가지게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위한 여러 가지 방법들이 제시되었는데 그 중에서도 특히 a-plane 혹은 m-plane면과 같은 무분극 면을 사용하는 GaN LED가 주목받고 있다. 그 이유는 무분극 면은 분극이 발생하는 c축과 수직이기 때문에 분극의 영향을 받지 않아 높은 내부 양자효율을 가질수 있다. 본 연구에서는 MOCVD 장비를 사용하여 2인치 r-plane 사파이어 기판위에 3um두께의 a-plane GaN을 성장하였다. 그위에 2um정도로 Si을 도핑하여 n-type GaN 형성한후 단일 양자우물, 그리고 Mg을 도핑하여 p-type GaN을 성장하였다. 장파장대역의 a-plane LED의 특성을 알아보기 위해서 양자우물 형성시 In의 조성비를 높였다. 일반적인 포토리소그래피 공정과 Dry etching 공정을 사용하여 메사구조를 형성하였으며 Ti/Al/Pt/Au와 Ni/Au를 각각 n-type과 p-type의 전극 물질로 사용하였다. 제작된 LED의 특성을 파악하기 위해서 인가전류를 0부터 100mA까지 출력 스펙트럼을 측정하였으며 orange대역의 파장을 갖는 LED를 얻었다. 인가전류별 Peak 파장의 변화와 반측폭의 변화를 파악하여 장파장 대역의 a-plane LED의 특성을 확인하였다.

• BMB Reports
• /
• 제37권4호
• /
• pp.474-479
• /
• 2004

The expressed sequence tag (EST) effort in Toxoplasma gondii has generated a substantial amount of gene information. To exploit this valuable resource, we chose to study tgd057, a novel gene identified by a large number of ESTs that otherwise show no significant match to known sequences in the database. Northern analysis showed that tgd057 is transcribed in this tachyzoite. The complete cDNA sequence of tgd057 is 1169 bp in length. Sequence analysis revealed that tgd057 possibly adopts two polyadenylation sites, utilizes the fourth in-frame ATG for translation initiation, and codes for a secretory protein. The longest open reading frame for the tgd057 gene was cloned and expressed as a recombinant protein (rd57) in Escherichia coli. Western analysis revealed that serum against rd57 recognized a molecule of ~21 kDa in the tachyzoite protein extract. This suggests that the tgd057 gene is expressed in vivo in the parasite.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제30권10호
• /
• pp.646-650
• /
• 2017

We have evaluated the ferroelectric and electrical properties of pure $BiFeO_3$ (BFO) and $Bi_{0.9}A_{0.1}Fe_{0.975}V_{0.025}O_{3+{\alpha}}$ (A=Nd, Tb) thin films on $Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100)$ substrates by using a chemical solution deposition method. The remnant polarization ($2P_r$) of the $Bi_{0.9}Tb_{0.1}Fe_{0.975}V_{0.025}O_{3+{\alpha}}$ (BTFVO) thin film was approximately $65{\mu}C/cm^2$, with a maximum applied electric field of 950 kV/cm and a frequency of 10 kHz, where as that of the $Bi_{0.9}Nd_{0.1}Fe_{0.975}V_{0.025}O_{3+{\alpha}}$ (BNFVO) thin film was approximately $37{\mu}C/cm^2$ with a maximum applied electric field of 910 kV/cm. The leakage current density of the co-doped BNFVO thin film was four orders of magnitude lower than that of the pure BFO thin film, at $2.75{\times}10^{-7}A/cm^2$ with an applied electric field of 100 kV/cm. The grain size and uniformity of the co-doped BNFVO and BTFVO thin films were improved, in comparison to the pure BFO thin film, through structural modificationsdue to the co-doping with Nd and Tb.

• 한국재료학회지
• /
• 제21권8호
• /
• pp.468-475
• /
• 2011

[ $LaMeO_3$ ](Me = Cr, Co) powders were prepared using the polymeric precursor method. The effects of the chelating agent and the polymeric additive on the synthesis of the $LaMeO_3$ perovskite were studied. The samples were synthesized using ethylene glycol (EG) as the solvent, acetyl acetone (AcAc) as the chelating agent, and polyvinylpyrrolidone (PVP) as the polymer additive. The thermal decomposition behavior of the precursor powder was characterized using a thermal analysis (TG-DTA). The crystallization and particle sizes of the $LaMeO_3$ powders were investigated via powder X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and particle size analyzer, respectively. The as-prepared precursor primarily has $LaMeO_3$ at the optimum condition, i.e. for a molar ratio of both metal-source (a : a) : EG (80a : 80a) : AcAc (8a) inclusive of 1 wt% PVP. When the as-prepared precursor was calcined at $700^{\circ}C$, only a single phase was observed to correspond with the orthorhombic structure of $LaCrO_3$ and the rhombohedral structure of $LaCoO_3$. A solid-electrolyte impedance-metric sensor device composed of $Li_{1.5}Al_{0.5}Ti_{1.5}(PO_4)_3$ as a transducer and $LaMeO_3$ as a receptor has been systematically investigated for the detection of NOx in the range of 20 to 250 ppm at $400^{\circ}C$. The sensor responses were able to divide the component between resistance and capacitance. The impedance-metric sensor for the NO showed higher sensitivity compared with $NO_2$. The responses of the impedance-metric sensor device showed dependence on each value of the NOx concentration.

• 한국식품영양과학회지
• /
• 제20권5호
• /
• pp.447-454
• /
• 1991

쇠고기 단백질 소화에 미치는 마늘의 영향을 검토하기 위해 마늘첨가량, 숙성기간에 따른 효소소화율 및 소화저해물질(Trypsin Inhibitor, TI)의 변화를 실험하였다. 또한 효소 가수분해물의 gel여과 및 가용성부분의 질소량을 정량하여 단백질의 구조 변화를 확인하였으며, 소화율과 아미노산조성 결과를 토대로 예측소화율(Predicted Digestibility, P-dig.), 계산단백효율비(Computed Protein Efficiency Ratio, C-PER) 및 분별계산단백효율비(Discriminant Computed Protein Efficiency Ratio, DC-PER)를 계산하여 단백질 품질을 평가하였다. 쇠고기단백질 소화율은 첨가되는 생마늘량에 약간 영향을 받으나 최적 참가량은 첨가 후의 가열조건에 의하여 결정된다($96{\pm}1^{\circ}C$, 20분 가열시 쇠고기 : 마늘=100g : 12g, 60분 가열시 쇠고기 : 마늘=100g : 3g) 열변성된 쇠고기에 대한 생마늘의 효과는 없고, 날쇠고기육의 소화에는 생마늘의 효과만 인정되며 이미 가열된 쇠고기육의 소화에는 영향을 미치지 못하였다. 날쇠고기를 $4~6^{\circ}C$에서 숙성시켰을 때, 최대의 소화율을 나타내는 시간은 마늘 첨가량에 따라 달라 날쇠고기 100g에 마늘 3g을 첨가할 경우에는(A) 8시간, 12g일 경우에는(B) 12시간이었다. 마늘과 함께 숙성시킨 쇠고기육은 (A)의 경우 $96{\pm}1^{\circ}C$에서 80분, (B)의 경우 20분 정도 가열했을 때 최대소화율을 나타내었다. Four-enzyme으로 가수분해한 숙성시료에는 2,200 dalton 정도의 저분자량의 peptid가 생성되어 소화가 용이함을 확인했으며, 가용성부분도 소화율에 비례하여 증가하였다. 효소소화율에 비례하여 C-PER은 증가하여 C-PER 2.14(날쇠고기)에서 2.50(마늘과 함께 숙성시킨 시료)로 품질이 개선되었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제16권1호
• /
• pp.30-36
• /
• 2006

A novel method was proposed to grow an epitaxial $CoSi_2$ on (100)Si substrate. A $CoN_x$ interlayer was deposited by reactive sputtering of Co in an Ar+$N_2$ flow. From the Ti/Co/$CoN_x$/Si structure, a uniform and thin $CoSi_2$ layer was epitaxially grown on (100)Si by annealing above $700^{\circ}C$. Two amorphous layers were found at the $CoN_x$/Si interface, where the top layer has a silicon nitride (Si-N) bonding state with some Co content and the bottom layer has a Co-Si intermixing state. The SiNx amorphous layer seems to play a critical role of suppressing the diffusion of Co into Si substrate for the direct formation of epitaxial $CoSi_2$.