This paper describes the implementation of a multi-channel audio codec for HETV. This codec has the features of the 3/2-stereo plus low frequency enhancement, downward compatibility with the smaller number of channels, backward compatibility with the existing 2/0-stereo system(MPEG-1 audio), and multilingual capability. The encoder of this codec consists of 6-channel analog audio input part with the sampling rate of 48 kHz, 4-channel digital audio input part and three TMS320C40 /DSPs. The encoder implements multi-channel audio compression using a human perceptual psychoacoustic model, and has the bit rate reduction to 384 kbit/s without impairment of subjective quality. The decoder consists of 6-channel analog audio output part, 4-channel digital audio output part, and two TMS320C40 DSPs for a decoding procedure. The decoder analyzes the bit stream received with bit rate of 384 kbit/s from the encoder and reproduces the multi-channel audio signals for analog and digital outputs. The multi-processing of this audio codec using multiple DSPs is ensured by high speed transfer of date between DSPs through coordinating communication port activities with DMA coprocessors. Finally, some technical considerations are suggested to realize the problem of real-time operation, which are found out through the implementation of this codec using the MPEG-2 layer II sudio coding algorithm and the use of the hardware architecture with commercial multiple DSPs.
This study investigated the relative degradation of commonly known endocrine-disrupting compounds such as bisphenol A (BPA) and 17${\beta}$-estradiol (E2) using ultrasound (US) and pulsed ultraviolet (PUV) in water. The removal efficiency of BPA and E2 was determined as a function of generating power and $H_{2}O_{2}$ production. The ultrasound and PUV irradiation of the aqueous solution was performed in 3 L and 90 L stainless reactor at a constant temperature of $20^{\circ}C$ with an applied power of 200 W and 2000 W, respectively. The removal of BPA and E2 by US and PUV varied with catalysts. The experiments were conducted under the following conditions: total operating time, 30 min; initial concentration, 1 uM. In the case of E2 (10 min), % removal was 92.5/95.8/87.6/82.4, while % removal of BPA (10 min) was 62.3/82.3/91.1/67.0/64.3 in various conditions (PUV, $PUV+H_2O_2$, PUV+wire mesh, $PUV+TiO_2$ coated wire mesh), respectively.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.247.1-247.1
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2016
Low-cost, high efficiency solar cells are tremendous interests for the realization of a renewable and clean energy source. ZnTe based solar cells have a possibility of high efficiency with formation of an intermediated energy band structure by impurity doping. In this work, ZnO/ZnTe:Cr and ZnO/i-ZnTe structures were fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. A pulsed (10 Hz) Nd:YAG laser operating at a wavelength of 266 nm was used to produce a plasma plume from an ablated a ZnTe target, whose density of laser energy was 10 J/cm2. The base pressure of the chamber was kept at approximately $4{\times}10-7Torr$. ZnTe:Cr and i-ZnTe thin films with thickness of 210 nm were grown on p-Si substrate, respectively, and then ZnO thin films with thickness of 150 nm were grown on ZnTe:Cr layer under oxygen partial pressure of 3 mTorr. Growth temperature of all the films was set to $250^{\circ}C$. For fabricating ZnO/i-ZnTe and ZnO/ZnTe:Cr solar cells, indium metal and Ti/Au grid patterns were deposited on back and front side of the solar cells by using thermal evaporator, respectively. From the fabricated ZnO/ZnTe:Cr and ZnO/i-ZnTe solar cell, dark currents were measured by using Keithley 2600. Solar cell parameters were obtained under Air Mass 1.5 Global solar simulator with an irradiation intensity of 100 mW/cm2, and then the photoelectric conversion efficiency values of ZnO/ZnTe:Cr and ZnO/i-ZnTe solar cells were measured at 1.5 % and 0.3 %, respectively.
We investigated the biomechanical properties of a newly designed self-expansion type anterior cruciate ligament (ACL) anchor. The ACL anchor consists of the ring section giving the elastic force, the wedge for maintaining in contact with the femur tunnel wall and the link suspending hamstring graft or artificial ligament. The main design parameters that determine the performance of this device were the expansion angle (${\theta}$) and the thickness ($t_R$). The Ti6Al4V anchors were heated after inserting in a jig for 1 hour at $800^{\circ}C$ in a protective argon gas atmosphere and allowed to cool to room temperature in the furnace. In order to investigate the influence of the expansion angle and the thickness of the ring on the biomechanical properties of the anchor, the maximum pull-out load, stiffness and slippage of the ACL anchor were measured using the pull-out tester, and statistical analyses were also executed. The present results showed that the design parameters gave a significant effect on the performance of the self- expansion type of anchor. The pull-out load of the ACL anchors significantly increased as the thickness of the ring section was increased, having a similar trend for both expansion angles. The ACL anchor showed about 2.5 times higher values of the pull-out load than that of the minimum load (500N)required for the "accelerated rehabilitation". The optimum ${\theta}$ and $t_R$ values of this ACL anchor were suggested to have sufficient resistance against the pull-out force, high stiffness and relatively low slippage after ACL reconstruction.
Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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v.17
no.E1
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pp.1-7
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2001
The elemental characteristics of atmospheric aerosols were investigated as a function of particle size and water solubility. The aerosol particles were samples at 12 individual size ranges between 0.01 and 30㎛. Collected aerosol particles were separated into both soluble and insoluble components. The concentrations of 15 elements in both components were determined by a PIXE analysis using a 2.0 MeV-proton beam. In general, the mass size distribution of particulate matter was represented as a bimodal distribution. The maximum rations of S in July and December were 5.5 and 3.8 %, and they appeared in the size range of 0.47∼1.17㎛(stage No. 6 or 7) . The ratios of a S at non-separated size were 3.1 and 2.2 % in July and December, respectively, On the other hand, the maximum rations of Si in July and December were 7.0 and 5.4% and they appeared in the size range of 5.1∼30㎛(stage No. 0∼2). The ratios of Si at the non-separated size were 2.1 and 1.8% in July and December, respectively, The mass diameter of 12 elements ranged between 0.59㎛ of S and 3.20 of Fe. More than 90% of atmospheric aerosols consisted of the light elements such as C, N, O, H and Al. The soluble component was dominant in the smaller size range and the insoluble component in the larger size range. Large portions of Si. Ti and Fe existed in insoluble state. By contrast, S, Cl, Ca, Zn and Br were dissolved in water.
A non-volatile resistive random access memory (RRAM) device with a Cr-doped $SrZrO_3/SrRuO_3$ bottom electrode heterostructure was fabricated on $SrTiO_3$ substrates using pulsed laser deposition. During the deposition process, the substrate temperature was $650^{\circ}C$ and the variable ambient oxygen pressure had a range of 50-250 mTorr. The sensitive dependences of the film structure on the processing oxygen pressure are important in controlling the bistable resistive switching of the Cr-doped $SrZrO_3$ film. Therefore, oxygen pressure plays a crucial role in determining electrical properties and film growth characteristics such as various microstructural defects and crystallization. Inside, the microstructure and crystallinity of the Cr-doped $SrZrO_3$ film by oxygen pressure were strong effects on the set, reset switching voltage of the Cr-doped $SrZrO_3$. The bistable switching is related to the defects and controls their number and structure. Therefore, the relation of defects generated and resistive switching behavior by oxygen pressure change will be discussed. We found that deposition conditions and ambient oxygen pressure highly affect the switching behavior. It is suggested that the interface between the top electrode and Cr-doped $SrZrO_3$ perovskite plays an important role in the resistive switching behavior. From I-V characteristics, a typical ON state resistance of $100-200\;{\Omega}$ and a typical OFF state resistance of $1-2\;k{\Omega}$, were observed. These transition metal-doped perovskite thin films can be used for memory device applications due to their high ON/OFF ratio, simple device structure, and non-volatility.
Fe-base superalloy powders with $Y_2O_3$ dispersion were prepared by high energy ball milling, followed by spark plasma sintering for consolidation. High-purity elemental powders with different Fe powder sizes of 24 and 50 mm were used for the preparation of $Fe-20Cr-4.5Al-0.5Ti-O.5Y_2O_3$ powder mixtures (wt%). The milling process of the powders was carried out in a horizontal rotary ball mill using a stainless steel vial and balls. The milling times of 1 to 5 h by constant operation (350 rpm, ball-to-powder ratio of 30:1 in weight) or cycle operation (1300 rpm for 4 min and 900 rpm for 1 min, 15:1) were applied. Microstructural observation revealed that the crystalline size of Fe decreased with an increase in milling time by cyclic operation and was about 15 nm after 3 h, forming a FeCr alloy phase. The cyclic operation had an advantage over constant milling in that a smaller-agglomerated structure was obtained. The milled powders were sintered at $1100^{\circ}C$ for 30 min in vacuum. With an increase in milling time, the sintered specimen showed a more homogeneous microstructure. In addition, a homogenous distribution of Y-compound particles in the grain boundary was confirmed by EDX analysis.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.277-277
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2010
The capacity of the carbonaceous materials reached ca. $350\;mAhg^{-1}$ which is close to theorestical value of the carbon intercalation composition $LiC_6$, resulting in a relatively low volumetric Li capacity. Notwithstanding the capacities of carbon, it will not adjust well to the need so future devices. Silicon shows the highest gravimetric capacities (up to $4000\;mAhg^{-1}$ for $Li_{21}Si_5$). Although Si is the most promising of the next generation anodes, it undergoes a large volume change during lithium insertion and extraction. It results in pulverization of the Si and loss of electrical contact between the Si and the current collector during the lithiation and delithiation. Thus, its capacity fades rapidly during cycling. We focused on electrode materials in the multiphase form which were composed of two metal compounds to reduce the volume change in material design. A combination of electrochemically amorphous active material in an inert matrix (Si-M) has been investigated for use as negative electrode materials in lithium ion batteries. The matrix composited of Si-M alloys system that; active material (Si)-inactive material (M) with Li; M is a transition metal that does not alloy with Li with Li such as Ti, V or Mo. We fabricated and tested a broad range of Si-M compositions. The electrodes were sputter-deposited on rough Cu foil. Electrochemical, structural, and compositional characterization was performed using various techniques. The structure of Si-M alloys was investigated using X-ray Diffractometer (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). Surface morphologies of the electrodes are observed using a field emission scanning electron microscopy (FESEM). The electrochemical properties of the electrodes are studied using the cycling test and electrochemical impedance spectroscopy (EIS). It is found that the capacity is strongly dependent on Si content and cycle retention is also changed according to M contents. It may be beneficial to find materials with high capacity, low irreversible capacity and that do not pulverize, and that combine Si-M to improve capacity retention.
Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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2002.02a
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pp.339-339
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2002
In the RABiTS approach to coated conductor development, successful (both economic and technological) depends on the refinement and optimization of each of three important components: the metal tape substrate, the buffer layer(s), and the HTS layer. Here we will report on the ORNL approach and progress in each of these areas. - Most applications will require metal tapes with low magnetic hysteresis, mechanical strength, and excellent crystalline texture. Some of these requirements are competing. We report on progress in obtaining a good combination of these characteristics on metal alloys of Ni-Cr and Ni-W. - The deposition of appropriate buffer layers is a crucial step. Recently, base research has shown that the presence of a stable sulfur superstructure present on the metal surface is needed for the nucleation and epitaxial growth of vapor-deposited seed buffer layers such as YSZ, CeO$_2$ and SrTiO$_3$. We report on the details and control of this superstructure for nickel tapes, as well as recent results for Cu and Ni-13%Cr. - Processes for deposition of the HTS coating must economically provide large values of the figure-of-merit for conductors, current x length. At ORNL, we have devoted efforts to a precursor/post-annealing approach to YBCO coatings, for which the deposition and reaction steps are separate. We describe motivation for and progress toward developing this approach. - Finally, we address some issues for the implementation of coated conductors in real applications, including the need for texture control and electrical stabilization of the HTS coating.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.258-258
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2016
최근 디스플레이 산업의 발전에 따라 고성능 디스플레이가 요구되며, 디스플레이의 백플레인 (backplane) TFT (thin film transistor) 구동속도를 증가시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 트랜지스터의 구동속도를 증가시키기 위해 높은 이동도는 중요한 요소 중 하나이다. 그러나, 기존 백플레인 TFT에 주로 사용된 amorphous silicon (a-Si)은 대면적화가 용이하며 가격이 저렴하지만, 이동도가 낮다는 (< $1cm2/V{\cdot}s$) 단점이 있다. 따라서 전기적 특성이 우수한 산화물 반도체가 기존의 a-Si의 대체 물질로써 각광받고 있다. 산화물 반도체는 비정질 상태임에도 불구하고 a-Si에 비해 이동도 (> $10cm2/V{\cdot}s$)가 높고, 가시광 영역에서 투명하며 저온에서 공정이 가능하다는 장점이 있다. 하지만, 차세대 디스플레이 백플레인에서는 더 높은 이동도 (> $30cm2/V{\cdot}s$)를 가지는 TFT가 요구된다. 따라서, 본 연구에서는 차세대 디스플레이에서 요구되는 높은 이동도를 갖는 TFT를 제작하기 위하여, amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) 채널하부에 화학적으로 안정하고 전도성이 뛰어난 SnO2 채널을 얇게 형성하여 TFT를 제작하였다. 표준 RCA 세정을 통하여 p-type Si 기판을 세정한 후, 열산화 공정을 거쳐서 두께 100 nm의 SiO2 게이트 절연막을 형성하였다. 본 연구에서 제안된 적층된 채널을 형성하기 위하여 5 nm 두계의 SnO2 층을 RF 스퍼터를 이용하여 증착하였으며, 순차적으로 a-IGZO 층을 65 nm의 두께로 증착하였다. 그 후, 소스/드레인 영역은 e-beam evaporator를 이용하여 Ti와 Al을 각각 5 nm와 120 nm의 두께로 증착하였다. 후속 열처리는 퍼니스로 N2 분위기에서 $600^{\circ}C$의 온도로 30 분 동안 실시하였다. 제작된 소자에 대하여 TFT의 전달 및 출력 특성을 비교한 결과, SnO2 층을 형성한 TFT에서 더 뛰어난 전달 및 출력 특성을 나타내었으며 이동도는 $8.7cm2/V{\cdot}s$에서 $70cm2/V{\cdot}s$로 크게 향상되는 것을 확인하였다. 결과적으로, 채널층 하부에 SnO2 층을 형성하는 방법은 추후 높은 이동도를 요구하는 디스플레이 백플레인 TFT 제작에 적용이 가능할 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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