평판 유도 결합형 $CH_4/H_2/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각 특성
(Dry Etching Characteristics of GaN using a Planar Inductively Coupled CHsub $CH_4/H_2/Ar$ Plasma)
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- 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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- 제48권9호
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- pp.616-621
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- 1999