Recently, TFTs based on amorphous oxide semiconductors (AOSs) such as ZnO, InZnO, ZnSnO, GaZnO, TiOx, InGaZnO(IGZO), SnGaZnO, etc. have been attracting a grate deal of attention as potential alternatives to existing TFT technology to meet emerging technological demands where Si-based or organic electronics cannot provide a solution. Since, in 2003, Masuda et al. and Nomura et al. have reported on transparent TFTs using ZnO and IGZO as active layers, respectively, much efforts have been devoted to develop oxide TFTs using aforementioned amorphous oxide semiconductors as their active layers. In this thesis, I report on the performance of thin-film transistors using amorphous indium gallium zinc oxides for an active channel layer at room temperature. $SiO_2$ was employed as the gate dielectric oxide. The amorphous indium gallium zinc oxides were deposited by RF magnetron sputtering. The carrier concentration of amorphous indium gallium zinc oxide was controlled by oxygen pressure in the sputtering ambient. Devices are realized that display a threshold voltage of 1.5V and an on/off ration of > $10^9$ operated as an n-type enhancement mode with saturation mobility with $9.06\;cm^2/V{\cdot}s$. The devices show optical transmittance above 80% in the visible range. In conclusion, the fabrication and characterization of thin-film transistors using amorphous indium gallium zinc oxides for an active channel layer were reported. The operation of the devices was an n-type enhancement mode with good saturation characteristics.
본 연구에서는 반도체식 가스센서 재료로서 활용 가능한 ZnO 박막을 Continuous Flow Reaction(CFR) 방법으로 실리콘 기판 위에 성장시켰다. 또한 전구물질로 사용한 zinc acetate의 농도에 따른 산화아연 박막의 성장특성과 이들의 전기적 특성이 조사되었다. 산화아연 박막 제조는 0.005~0.02 M의 zinc acetate 농도에서 수행되었다. 산화아연 박막을 구성하고 있는 ZnO의 입자크기는 농도가 증가할수록 증가되었으며, 박막의 두께도 함께 증가되었다. CFR 법에 의한 산화아연 박막의 성장속도는 전구물질의 농도에 비례적으로 의존되는 것을 확인하였으며, 균일한 박막을 제조하기 위한 전구물질의 최적 농도는 0.01 M이였다. 한편, 전구물질의 농도를 달리하여 제조된 산화아연 박막의 전압에 대한 전류를 I-V 측정기로 측정한 결과, 박막의 두께가 증가될수록 높은 전류가 흘렀다. 그러므로 산화아연 박막의 전류를 전구물질의 농도변화로 조절할 수 있다. 또한 산화아연 박막을 $300^{\circ}C$에서 5 min 동안 $500ppmv\;H_2S$에 노출시킨 결과, 전압에 대한 전류값이 낮아졌다. 이와 같이 산화아연의 전기적 특성은 가스센서로 응용할 수 있는 가능성을 확인시켜 주는 결과라 할 수 있다.
Zinc oxide (ZnO)을 금(Au)과 fluorine-doped tin oxide (FTO) 촉매로 산화실리콘($SiO_2$) 기판에 산화아연입자 20 nm, $20{\mu}m$를 각각 사용하여 기체-액체-고체(VLS) 합성법으로 성장시켰다. 나노로드의 표면특성, 화학조성, 그리고 결정특성을 엑스레이회절(X-ray diffraction (XRD)), 에너지 분산형 X선 분광기(Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX)), 표면 방출주사현미경(Field-emission scanning electron microscope (FE-SEM))으로 분석하였다. ZnO의 입자 크기 뿐만 아니라 결정형태가 성장에 크게 영향을 미쳤다. ZnO의 모든 나노구조가 6방정계(六方晶系), 단일결정구조를 가지고 있었다. 최적온도는 $1030^{\circ}C$, 입자크기는 20 nm이다. 그러므로 Au 대신 플루오린 첨가 도핑으로 전기음성도가 증가된 FTO 증착에 의해서 생성된 나노로드는 경제성 있는 대체물질로서의 가치가 있을 것으로 사료된다.
Multilayer transparent electrodes, having a much lower electrical resistance than the widely used transparent conducting oxide electrodes, were prepared by using radio frequency magnetron sputtering. The multilayer structure consisted of five layers, indium tin oxided (ITO)/zinc oxide (ZnO)/Ag/zinc oxide (ZnO)/ITO. With about 50 nm thick ITO films, the multilayer showed a high optical transmittance in the visible range of the spectrum and had color neutrality. The electrical and optical properties of ITO/ZnO/Ag/ZnO/ITO multilayer were changed mainly by Ag film properties, which were affected by the deposition process of the upper layer. Especially ZnO layer was improved to adhesion of Ag and ITO. A high quality transparent electrode, having a resistance as low as and a high optical transmittance of 91% at 550 nm, was obtained. It could satisfy the requirement for the flexible OLED and LCD.
Lee, Haechang;Zhao, Zhenqian;Kwon, Sang Jik;Cho, Eou Sik
반도체디스플레이기술학회지
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제18권4호
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pp.6-11
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2019
For a wider application of laser direct patterning, selective laser ablation of indium tin oxide (ITO) film on transparent oxide semiconductor (TOS) thin film was carried out using a diode-pumped Q-switched Nd:YVO4 laser at a wavelength of 1064 nm. In case of the laser ablation of ITO on indium gallium zinc oxide (IGZO) film, both of ITO and IGZO films were fully etched for all the conditions of the laser beams even though IGZO monolayer was not ablated at the same laser beam condition. On the contrary, in case of the laser ablation of ITO on zinc oxide (ZnO) film, it was possible to etch ITO selectively with a slight damage on ZnO layer. The selective laser ablation is expected to be due to the different coefficient of thermal expansion (CTE) between ITO and ZnO.
International Journal of Advanced Culture Technology
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제3권1호
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pp.13-20
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2015
The self-cleaning properties of nano-zinc oxide on cotton fabrics have been investigated. The cotton fabric has been prepared by pad-dry method. The nano-zinc oxide was encapsulated in the polystyrene particle by mini-emulsion process prior used. The loading amount of zinc oxide particles into the mini-emulsion were various from 1% wt to 40%wt. The particles sizes of ZnO-encapsulated polystyrene mini-emulsion were determined using dynamic light scattering. It was showed that the particle size of the mini-emulsion was in the range of 124-205 nm. The topography and morphology of ZnO-encapsulated polystyrene which coated on cotton fabrics was observed using scanning electron microscopy. The crystal structure of ZnO-coated on cotton fabrics was explored by X-ray diffraction spectroscopy. The photocatalytic activities of zinc oxide were present through the self-cleaning properties. The presents of the zinc oxide on cotton fabrics significantly showed the improving of the self-cleaning properties under UV radiation.
산화아연 분말을 제조하기 위해 3종류의 나트륨계 알칼리 침전제인 수산화나트륨, 탄산나트륨, 수산화나트륨/탄산수소나트륨을 이용하여 반응에 따른 열역학적 고찰과 아연 침전생성물로부터 산화아연 분말 제조 공정의 차이점을 비교하였다. 나트륨계 알칼리 침전제와의 반응으로 생성된 아연 침전생성물은 각각 히드록시염화아연(Zn5(OH)8Cl2·H2O)과 탄산아연수산화물 (Zn5(OH)6(CO3)2·H2O)임을 XRD를 통해 확인하였다. 나트륨계 알칼리 침전제에 따라 800℃에서 열처리하여 생성된 산화아연 입자 크기를 비교하였다. 혼합된 수산화나트륨 및 탄산수소나트륨의 알칼리 침전제 반응으로 보다 균일한 산화아연 입자를 제조할 수 있었다.
한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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pp.971-972
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2006
Mechanochemical synthesis of zinc ferrite, $ZnFe_2O_4$, was attempted from a powder mixture of iron (III) oxide, alpha-$Fe_2O_3$ and zinc (II) oxide, ZnO. Nanocrystalline zinc ferrite, $ZnFe_2O_4$ powders were successfully synthesized only bymilling for 30 hours. Evidence of the $ZnFe_2O_4$ formation was absent for the powders milled for 10 and 20 hours; the milling lowered the crystallinity of the starting materials. Heating after milling enhanced the formation of $ZnFe_2O_4$, crystal growth of $ZnFe_2O_4$ and the unreacted starting materials. The unreacted starting materials decreased their amounts by heating at higher temperatures.
The influence of SiO$_2$on the microstructure and electrical properties of zinc oxide varistor was investigated. Zn$_2$SiO$_4$third phase in the sintered body was found at grain boundaries, multiple grain junctions, and occasionally within ZnO grains. This phase acted as a grain growth inhibitor, which retard the grain growth of the ZnO matrix by impeding migration on the grain boundaries. As SiO$_2$ addition increases, average grain size decreased from 40.6${\mu}{\textrm}{m}$ to 26.9${\mu}{\textrm}{m}$ due to the pinning effect by Zn$_2$SiO$_4$ and drag effect by Si segregation at grain boundaries, the breakdown voltage consequently increased. When SiO$_2$ addition is increased, interface state density decreased, however, the barrier height increased by decrease of donor concentration, as a result, the nonlinear exponent increased and leakage current decreased. While, as SiO$_2$ addition increase, it was found that the apparent dielectric loss factor shows a tendency of decrease. Wholly, electrical properties of zinc oxide varistor can be said to be improved by SiO$_2$addition.
가시부 영역에서 산화아연을 광증감시키기 위해 copper phthalocyanine(CuPc)과 sunfast yellow(SY)를 산화아연 분말에 이층 흡착시켰다. 산화아연에 대한 CuPc의 흡착상태를 알기 위하여 ZnO/CuPc의 광음향, IR 및 라만 스펙트럼을 측정한 결과, CuPc는 $\alpha$형 및 $\beta$형의 결정 특성을 유지한 이합체 또는 분자들의 집합체 상태로 산화아연에 흡착된다는 것을 알았다. 산화아연에 CuPc 및 SY를 순차적으로 이층 흡착시킨계(ZnO/CuPc/SY)는 SY를 먼저 흡착시킨 ZnO/SY/CuPc계보다 광기전력이 높게 나타났고, $ZnO/\beta-CuPc/SY$는 $ZnO/\alpha-CuPc/SY$보다 광기전력이 높게 나타났다. $ZnO/\beta-CuPc/SY$의 전자사진 감도를 측정하였더니 630 nm에서 $$S_{1/2}=2.99{\times}10^{-2}(erg/cm^2)^{-1}$ 이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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