High temperature deformation behavior of a heat-resistant duplex stainless steel, used as a retort in the Pidgeon process for Mg production, was investigated in this study. 25Cr-8Ni based duplex stainless steels were cast into rectangular ingots, with dimensions of $350mm{\times}350mm{\times}100mm$. Nitrogen and yttrium were added at 0.3wt.% each to enhance the heat-resistance of the steel. Phase equilibrium was calculated using the thermodynamic software FactSage$^{(R)}$ and the database of FSStel. For comparison, cast 310S steel, a widely used heat-resistant austenitic stainless steel, was also examined in this study. Dilatometry was conducted on the as-cast ingots for the temperature range from RT to $1200^{\circ}C$ and the thermal expansion coefficients were evaluated. The nitrogen addition was found to have an effect on the thermal expansion behavior for temperatures between 800 and $1000^{\circ}C$. High temperature tensile and compression tests were conducted on the ingots for temperatures ranging from 900 to $1230^{\circ}C$, which is the operation temperature employed in Mg production by the Silico-thermic reduction process. The steel containing both N and Y showed much higher strength as compared to 310S.
Kim, Si-Joon;Kim, Dong-Lim;Kim, Doo-Na;Kim, Hyun-Jae
Journal of Information Display
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제11권4호
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pp.165-168
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2010
A solution-processed multicomponent oxide, yttrium hafnium zinc oxide (YHZO), was synthesized and deposited as a gate insulator. The YHZO film annealed at $600^{\circ}C$ contained an amorphous phase based on the results of thermogravimetry, differential thermal analysis, and X-ray diffraction. The electrical characteristics of the YHZO film were analyzed by measuring the leakage current. The high dielectric constant (16.4) and high breakdown voltage (71.6 V) of the YHZO films resulted from the characteristics of $HfO_2$ and $Y_2O_3$, respectively. To examine if YHZO can be applied to thin-film transistors (TFTs), indium gallium zinc oxide TFTs with a YHZO gate insulator were also fabricated. The desirable characteristics of the YHZO films when used as a gate insulator show that the limitations of the general binary-oxide-based materials and of the conventional vacuum processes can be overcome.
In synthesis of nano powders, the hard agglomeration for the synthesized powders occurred during the drying processing. In order to avoid hard agglomeration in particles the freeze drying process was used in this experiment. e fabricated the Yttira-Doped Ceria(YDC) nano powder by co-precipitation. Starting materials used in experiments were the cerium(III) nitrate and yttrium(III) nitrate solution with 야-water, which two solutions were mixed and then the precipitated hydroxides were prepared for adding sodium hydroxide. The co-precipitated powders were dried by the thermal drying at 8$0^{\circ}C$ for 24 h and by freeze drying at -4$0^{\circ}C$, 30 mtorr for 72 h. The lattice parameter and crystallite size as a function of calcination temperature was characterized by XRD analysis. The lattice parameter of YDC was decreased with addition amount of yttrium and was estimated as 5.401683 $\AA$ at $700^{\circ}C$. Crystallite size were calculated by XRD-LB method, and morphologies were confirmed with the observation of TEM and SEM. The freeze dried YDC powders had medium diameter of 17 nm with more uniform size distribution than the thermal dried YDC posers, which were mainly ascribed to the difference of agglomerates formation during drying stage.
In the sintering of YIG, abnormal grain growth phenomena were observed. This abnormal grain growth is related to the sintering temperature in this experiment. In the sintering below 1450$^{\circ}C$, the sintered body showed narrow size distribution. However, in the sintering at 1450$^{\circ}C$, a few grains grew rapidly with respect to other grains, and bimodal size distribution was appeared. From the observation of the microstructure, liquid phase was not observed far from the abnormally grown large grains, but only near the large grains. This means that the abnormal grain growth was caused by the nonuniform distribution of liquid phase which promote the grains growth. Because the growth rate of grains near the liquid phase is much higher than that of the other grains, a few grains grow rapidly. This nonuniform distribution of liquid phase was thought to be due to the nonuniform mixing of the calcined powders. This abnormal grain growth was suppressed by enhancement of the compositional uniformity by multiple calcination.
In the present study, the effect of yttrium addition on the microstructure and mechanical property of rapidly solidified AZ91 alloy by melt spinning process is estimated. As yttrium was added, the microstructure of RS ribbons and extrudates became finer than those of AZ91, and RE related phases $(Al_2RE)$ were formed. In the case of the addition of 3wt%Y, the microstructure of extrude showed the finest grain size. At room temperature, the AZ91 + 3wt%Y alloy showed the highest tensile strength, 352 MPA due to precipitation of ${\beta}(Mg_{17}Al_{12})$ phase and $Al_2RE$ phase. At the elevated temperature, the mechanical property of AZ91 + 3wt%Y alloy was higher than those of other Mg alloys. The reasons were that $Al_2Y$ compound was thermally stable and suppressed the grain growth. In contrast with $Al_2Y$ compounds, ${\beta}$ phase was thermally unstable and could not suppress the grain growth at the elevated temperature. Therefore, $Al_2Y$ phase contributed to improve the thermal stability of RS AZ91 alloy.
Background The erbium:yttrium scandium gallium garnet (Er:YSGG) laser differs from other laser techniques by having a faster and higher cure rate. Since the Er:YSGG laser causes an appropriate proportion of ablation and coagulation, it has advantages over the conventional carbon dioxide ($CO_2$) laser and the erbium-doped yttrium aluminum garnet (Er:YAG) laser, including heating tendencies and explosive vaporization. This research was conducted to explore the effects and safety of the Er:YSGG laser. Methods Twenty patients participated in the pilot study of a resurfacing system using a 2,790-nm Er:YSGG laser. All patients received facial treatment by the 2,790-nm Er:YSGG laser system (Cutera) twice with a 4-week interval. Wrinkle reduction, reduction in pigment inhomogeneity, and improvement in tone and texture were measured. Results Study subjects included 15 women and five men. Re-epithelization occurred in all subjects 3 to 4 days after treatment, and wrinkle reduction, reduction in pigment inhomogeneity, and improvement in tone and texture within 6 months of treatment. Conclusions The 2,790-nm YSGG laser technique had fewer complications and was effective in the improvement of scars, pores, wrinkles, and skin tone and color with one or two treatments. We expect this method to be effective for people with acne scars, pore scars, deep wrinkles, and uneven skin texture and color.
Purpose: The aim of this study is to compare two different gingival depigmentation techniques using an erbium:yttrium-aluminum-garnet (Er:YAG) laser and rotary instruments. Methods: Two patients with melanin pigmentation of gingiva were treated with different gingival depigmentation techniques. Ablation of the gingiva by Er:YAG laser was performed on the right side, and abrasion with a rotary round bur on the opposite side. Results: The patients were satisfied with the esthetically significant improvement with each method. However, some pigment still remained on the marginal gingival and papilla. The visual analog scale did not yield much difference between the two methods, with slightly more pain on the Er:YAG laser treated site. Conclusions: The results of these cases suggest that ablation of the gingiva by an Er:YAG laser and abrasion with a rotary round bur is good enough to achieve esthetic satisfaction and fair wound healing without infection or severe pain. Prudent care about the gingival condition, such as the gingival thickness and degree of pigmentation along with appropriate assessment is needed in ablation by the Er:YAG laser procedure.
Electrical behavior of AlN ceramics sintered with $Y_2O_3$ as a sintering aid has been investigated with respect to additional $TiO_2$ dopant. From the impedance spectroscopy, it was found that the grain and grain boundary conductivities have greatly decreased with addition of $TiO_2$ dopant. The $TiO_2$ dopant also increased the activation energy of the grain conductivity by about 0.37 eV; this increase was attributed to the formation of an associate between Al vacancies and Ti ions at the Al sites. Similarly, the electronic conductivity was reduced by $TiO_2$ addition. However, $TiO_2$ solubility in AlN grains was below the detection limit of typical EDX analysis. Grain boundary was clean, without liquid films, but did show yttrium segregation. The transference number of ions was close to 1, showing that AlN is a predominantly ionic conductor. Based on the observed results, the implications of using AlN applications as insulators have been discussed.
Y doped zinc oxide (YZO) thin films were deposited on F doped $SnO_2$ (FTO) glass substrate by sol-gel method using the spin-coating system. A homogeneous and stable solution was prepared by dissolving acetate in the solution added diethanolamine as sol-gel stabilizer. YZO films were obtained after preheated on the hot-plate for 5minute before each coating; the number of coating was 3 times. After the coating of last step, annealing of YZO films performed at $450^{\circ}C$ for 30 minute. In order to confirming of a ultraviolet ray interruption and down-conversion effects, optical properties of YZO films, transmission spectrum and fluorescent spectrum were used. Also, for understanding the obtained results by experiment, the elestronic state of YZO was calculated using the density functional theory The results obtained by experiment were compared with calculated structure. The detail of electronic structure was obtained by the discrete variational Xa (DV-Xa) method, which is a sort of molecular orbital full potential method. The density of state and energy levels of dopant element were shown and discussed in association with optical properties.
In this work, the yttrium oxide($Y_2O_3$) thin films as the buffer layer were prepared by the simple solution coating and reel-to-reel process on an unpolished metal tape substrate. The $Y_2O_3$ thin films were successfully synthesized by the hydrolysis of yttrium acetate. We have studied the improvement of surface roughness with the concentration of solution(0.1 M, 0.4 M, M) and the number of coatings. The planarization by solution coating process is simple in comparison with the existing polishing process, and it is eco-friendly, and has the benefits of low cost process. The thickness of $Y_2O_3$ films was increased with the $Y_2O_3$ concentration in the solution, and the surface became smoother with the number of coating cycles. Using this process, we have achieved 1.2 nm RMS roughness from a starting roughness of over 31 nm on 25 ${\mu}m^2$ area.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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