Bulk $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (YBCO) superconductor was manufactured with the top-seeded melt grown method. The 9, 16, and 25 holes, as small as 0.7mm in diameter, parallel to the c-axis were mechanically drilled. Magnetic flux mapping and levitation force were measured and compared to estimate the influence of multiple holes on the magnetic properties of YBCO superconductor at 77K. According to the measurements, the maximum magnetic flux density obtained from the plain sample was 2.48kG, while the maximum magnetic flux density of the sample with 25 holes was low as around 2.29kG. The levitation force measured on the sample with 9 holes increased from 91N to 105N. The levitation force measured on the samples with 9 holes is relatively higher than the plain sample without any holes. In this case, increase of the levitation force in the perforated samples could be explained by enhancement of the cooling efficiency more effectively. We investigated that the magnetic properties of YBCO superconductor were strongly influenced by the artificial holes.
LaAlO3d single phase used as the butter layer on Si wafer for YBa2Cu3O7-$\delta$ superconductor application were prepared by solid state reaction method and by self-sustaining combustion process. The microstructure and crystallity of synthesiszed LaAlO3 powder studied using scanning electron microscope (SEM) and X-ray diffractometer(XRD), specific surface area and sintering characteristics fo powder were investigated by Brunauer-Emmett-Teller (BET) method and dilatometer respectively. In solid state reaction method, it is difficult to obtain LaAlO3 single phase up to 150$0^{\circ}C$ period. However, in self-sustaining combustion process, it is to easy to do it only $650^{\circ}C$. Based on the results of analysis of dilatometer it is easier to obtain high sintering density (98.87%) in self-sustaining combustion process than in the solid state reaction method. This reason is that the average particle size prepared by self-sustaining combustion process is nano crystal size and has high specific surface are value(56.54 $m^2$/g) compared with that by solid state reaction method. Also, LaAlO3 layer on the Si wafer has been achieved by screen printing and sintering method. Even though the sintering temperature is 130$0^{\circ}C$, the phenomena of silicon out diffusion in LaAlO3/Si interphase are not observed.
Superconducting YBa$_2Cu_3O_{7-{\delta}}$(YBCO) thin films were grown on Hastelloy(Ni-Cr-Mo alloys) with CeO$_2$ buffer layer in-situ by pulsed laser deposition in a multi-target processing chamber. To apply superconducting property on power transmission line, we have deposited YBCO thin film on flexible metallic substrate. However, it is difficult to grow the YBCO films on flexible metallic substrates due to both interdiffusion problem between metallic substrate and superconducting overlayers and non-crystallization of YBCO on amorphous substrate. It is necessary to use a buffer layer to overcome the difficulties. We have chosen CeO$_2$ as a buffer layer which has cubic structure of 5.41 ${\AA}$ lattice parameter and only 0.2% of lattice mismatch with 3.82 ${\AA}$ of a-axis lattice parameter of YBCO on [110] direction of CeO$_2$ In order to enhance the crystallization of YBCO films on metallic substrates, we deposited CeO$_2$ buffer layers with varying temperature and 02 pressure. By XRD, it is observed that dominated film orientation is strongly depending on the deposition temperature of CeO$_2$ layer. The dominated orientation of CeO$_2$ buffer layer is changed from (200) to(111) by increasing the deposition temperature and this transition affects the crystallization of YBCO superconducting film on CeO$_2$ buffered Hastelloy.
We have fabricated good quality superconducting $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ thin films on Hastelloy(Ni-Cr-Mo alloys) with $CeO_2$ buffer layers by in-situ pulsed laser deposition in a multi-target processing chamber. Using one of electrical properties of YBCO superconducting which the resistance approaches to zero dramatically on transition temperature, we have researched to make power transmission line, we have deposited YBCO thin film on flexible metallic substrate. However, it is difficult to make films on flexible metallic substrates due to both interdiffusion problem between metallic substrate and superconducting layer and non-crystallization of YBCO on amorphous substrate. From early research, two ways-using textured metallic substrate and buffer layer-were proposed to overcome theses difficulties. We have chosen $CeO_2$ as a buffer layer which has cubic structure of $5.41{\AA}$ lattice parameter and only 0.2% of lattice mismatch with $3.82{\AA}$ of a-axis lattice parameter of YBCO on (110) direction of $CeO_2$. In order to enhance the crystallization of YBCO films on metallic substrates we deposited $CeO_2$ buffer layers at varying temperature $700^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$ and $O_2$ pressure. By X-ray diffraction, we found that each domination of (200) and (111) orientations were strongly relied upon the deposition temperature in $CeO_2$ layer and the change of the domination of orientation affects the crystallization of YBCO upper layer.
Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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2002.02a
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pp.340-340
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2002
In an effort to develop alternative single buffer layer technology for YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ (YBCO) coated conductors, we have investigated both LaMnO$_3$, (LMO) and La$_2$Zr$_2$O$_{7}$ (LZO) as potential buffer layers. High-quality LMO films were grown directly on textured Ni and Ni-W (3%) substrates using rf magnetron sputtering. Highly textured LZO buffers were grown on textured Ni substrates using sol-gel alkoxide processing route. YBCO films were then grown on both LMO and LZO buffers using pulsed laser deposition. Detailed X-ray studies have shown that YBCO films were grown on both LMO and LZO layers with a single epitaxial orientation. A high J$_{c}$ of over 1 MA/cm$^2$ at 77 K and self-field was obtained on YBCO films grown on both LMO-buffered Ni or Ni-W substrates, and also on LZO-buffered Ni substrates. We have identified LaMnO$_3$ as a good diffusion barrier layer for Ni and it also provides a good template for growing high current density YBCO films. Similarly we have also demonstrated the growth of high J$_{c}$ YBCO films on all solution buffers. We will discuss in detail about our buffer deposition processes. processes.s.s.s.s.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.7
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pp.782-787
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2004
Superconducting flux flow transistor (SFFT) is based on a control of the Abrikosov vortex flowing along a channel. The induced voltage by moving of the Abrikosov vortex in an SFFT is greatly affected by the thickness, the width, and the length of channel. In order to fabricate a reproducible channel in the SFFT, we studied the variation of the critical characteristics of ${YBa}_2{Cu}_3{O}_7-\delta(YBCO)$ thin films with the etching time using ICP (Inductively coupled plasma) system. From the simulation, it was certified that the vortex velocity was increased in a low pinning energy at channel width 0,5 mm. The surfaces of YBCO thin film were etched by ICP etching system. We observed the etched channel surfaces by AFM (Atomic Force Microscope) and measured the critical current density with etching time. As a measured results, the etching thickness of channel should be optimized to fabricated a flux flow transistor with specified characteristics.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.519-522
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2002
Ag (silver) can be used for YBa$_2$Cu$_3$O$\_$7-$\delta$/(YBCO) coated conductor tape as the substrate on which YBCO can be deposited directly because of the chemical compatibility of Ag with YBCO. We have fabricated rolled Ag tapes with various total reduction ratios and different thicknesses. As-rolled Ag tape was recrystallized at 750$^{\circ}C$ for 30min in air and vacuum of 10$\^$-3/ torr. The orientation distribution functions (ODF) calculated from three x-ray pole figures of as-rolled and recrystallized tapes were analysed. As the total reduction ratio increased from 94 to 98%, the development of {110}texture of as-rolled Ag improved. Under the present experimental condition, maximum {110}ODF value of Ag tape was obtained for the sample with 94% total reduction ratio which was recrystallized at 750$^{\circ}C$ for 30min in vacuum of 10$\^$-3/ torr.
Effects of the post-annealing temperature of CeO$_2$ buffer layers on the properties of YBCO films on CeO$_2$-buffered sapphire were investigated. 45 nm-thick CeO$_2$ buffer layer was prepared in-situ on r-cut sapphire using an on-axis rf magnetron sputtering method, which was later post-annealed at temperatures between 950$^{\circ}$C and 1100$^{\circ}$C in an oxygen-flowing environment. YBCO films were prepared on CeO$_2$-buffered sapphire (CbS), for which the surface morphology, crystal structures and electrical properties of the YBCO films were studied. YBCO films on post-annealed CbS appeared to have better properties than those on as-grown CbS with regard to the morphological, structural and electrical properties when the YBCO films were prepared on CeO$_2$ buffer layer post-annealed at temperatures of 1000 - 1050$^{\circ}$C. A TE$_{011}$ mode rutileloaded cylindrical cavity resonators was fabricated with the YBCO films placed as the endplates, for which the unloaded Q of the resonator was measured. It turned out that the resonator with the endplates prepared from the YBCO films on postannealed CbS at 1000 $^{\circ}$C showed the highest unloaded Q with the value more than 8 ${\times}$ 10$^5$ at 30 K and 8.6 CHz, revealing that the YBCO films on post-annealed CbS at 1000$^{\circ}$C the temperature could be the lowest among the YBCO films on post-annealed CbS.
Desirable substrates for $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ coated conductor are highly cube textured Ni or Ni-alloy tapes, which can be produced by cold rolling and recrystallization annealing. We have fabricated hi-axially textured pure Ni tapes for the application of coated conductors. The sintered Ni rod was cold-rolled into the thin tapes of $50{\mu}m$ thickness and the tapes were heat-treated for texture development with line-focused infrared heater. The temperature was maintained at $800\sim1050^{\circ}C$, using 1kW double ended linear halogen lamp in $96%Ar-4%H_2$ atmosphere The biaxially tortured Ni tapes were successfully formed by line-focused infrared heat treatment The texture of the annealed Ni tapes was analysed using the GADDS (general area detector diffraction system). The full width at half maximum values of phi and omega scan for the Ni tapes were less than $10^{\circ}$ and the grain size was $20-50{\mu}m$.
Kim, Byeong-Joo;Kim, Hye-Jin;Cho, Han-Woo;Yu, Seok-Koo;Ryu, Jung-Hee;Lee, Hee-Gyoun;Hong, Gye-Won
Progress in Superconductivity
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v.9
no.1
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pp.96-101
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2007
[ $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ ] films have been prepared on $LaAlO_3$ (100) single-crystal substrates by a metalorganic deposition using dichloroacetate precursors (DCA-MOD). Calcination conditions were varied in order to optimize the microstructure and the superconducting properties of YBCO film. Coated films were calcined at various temperatures ranging from $400{\sim}700^{\circ}C$ in flowing humid oxygen atmosphere. Ramping rate to calcination tempertures was $2.22^{\circ}C/min$. Conversion heat treatment was performed at $800^{\circ}C$ for 2 h in flowing Ar gas containing 1000 ppm oxygen with a humidity of 9.45%. Observations of surface and cross sectional SEM microstructure showed that the particle size in the calcined film increased in the range of 100-200 nm with heating rate and the calcination temperature. SEM EDS analysis showed that 13 a/o of chlorine was contained in the calcined film. It was also observed that the porosity increased with the heating rate and temperature. Porous microstructure was developed when YBCO films were prepared using porous calcined film. Dense microstructure and high $J_c$ over $1\;MA/cm^2$ was obtained when calcination was carried out at the temperature of $500^{\circ}C$ with a heating rate of $2.22^{\circ}C/min$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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