Superconducting YBCO films were successfully fabricated by MOD process using chemically modified precursor solution. In this study, a chemically modified precursor solution for MOD processing was synthesized using metal-organic salts and organic additives. It was shown that crack-free and uniform precursor films were formed after calcination in humidified Oxygen atmosphere. Less than 3 hours are required to finish the calcination process. XRD measurement shows that $BaF_2,\;CuO,\;Y_2O_3$ are major constituent of precursor films. Furthermore, YBCO films without any secondary phases were successfully fabricated after annealing in wet $Ar/O_2$ atmosphere. The YBCO film prepared on a $LaAlO_3$ single crystal substrate ($10mm{\times}10mm$) gives transport $I_c$ of 10A at 77K. This chemical modification approach is a possible candidate for improving MOD-processing of YBCO coated conductor.
The crystal structure and properties of YBa$_2$Cu$_3$$O_{7-x}$(YBCO) and CeO$_2$ thin films deposited on r-plane (1(equation omitted)02) sapphire substrate by pulsed- laser deposition(PLD) have been investigated. C-axis oriented epitaxial YBCO thin films with critical temperature (Tc) of 88 K were routinely grown on (200) oriented CeO$_2$ buffer layers with thickness in the range between 20 to 80 nm. When the thickness of the (200)oriented CeO$_2$ buffer layer increases over than 80 nm, the superconducting properties of YBCO thin films on that were deteriorated. The decrease in Tc of YBCO thin films was explained by the microcrack formation in CeO$_2$ buffer layer. These results indicate that the thickness of the (200) oriented CeO$_2$ buffer layer is critical to the epitaxial YBCO thin nim growth on r-plane (1(equation omitted)02) sapphire substrate.e.
Superconducting YBCO films were successfully fabricated by MOD process using F-free Cu precursor solution. In this study. a chemically modified precursor solution for MOD Processing was synthesized using metal-organic salts and F-free Cu precursor. It was shown that crack-free and uniform precursor films were formed after calcination in humidified oxygen atmosphere. Less than 3 hours are required to finish the calcination process. XRD measurement shows that $BaF_2,\;CuO,\;Y_2O_3$ are major constituent of precursor films. Furthermore. YBCO films without any secondary phases were successfully fabricated after annealing in wet $Ar/O_2$ prepared on a $LaA1O_3$ single crystal substrate $(10mm{\times}10mm)$ gives transport Ic of 10A at 77K. This chemical modification approach is a possible candidate for improving MOD-processing of YBCO coated conductor.
The effect of annealing time in Metal Organic Deposition(MOD) method was investigated at reduced total pressure. As the total annealing pressure was reduced, the growth rate of YBCO films increased from 0.14nm/sec at atmospheric pressure to 4.2nm/sec at 1 Torr. For the total pres sure of 700, 500, 300, 100, and 1 Torr, the optimal annealing times of 60, 40, 20, 10, 2minutes were found in our experimental conditions. When the an nealing time was short, poor crystallinity or un-reacted phase was obtained. Also, the degradation of YBCO films occurred when exposed longer to the humid ambient at the high annealing temperature. The reduced pressure was found effective to in crease the growth rate and to control the pore size of the YBCO films in MOD method. A fast growth of MOD-YBCO films was realized with high critical current density over $1MA/cm^2$ using reduced pressure annealing. Large pores, usually observed at atmospheric pressure in MOD method, disappeared and also, the number of pores was reduced.
YBCO coated conductors have been fabricated by the reel-to-reel processing using TFA-MOD method. In this work, the fluorine-free Y & Cu precursor solution was synthesized to shorten the calcining time by reducing the evolution of HF gas, thus the meter-long YBCO precursor films can be made within few hours by the continuous slot-die coating & calcination step using the F-free Y & Cu precursor solution. The annealing step was followed to make the YBCO films by the reel-to-reel method with the vertical gas flow system onto the moving tape. To increase the growth rate of the YBCO films by enhancing the removal of HF gas, the low total pressure was adopted in the annealing processing. And the water partial pressure and the oxygen partial pressure were varied to optimize the growth conditions of the MOD-YBCO films on the buffered metal tape. FE-SEM and XRD were used to investigate the surface morphologies and the texture of the meter-long YBCO films. The end-to-end critical current $(I_c)$ of 63A/cm-width and the critical current density $(J_c)$of $0.9MA/cm^2$ with the thickness of $0.7{\mu}m$ were obtained in the 0.42m long coated conductor.
High critical current density, high n value, multiple faults endurances, and fast recovery characteristics of YBCO thin films are very attractive characteristics for developing resistive type superconducting fault current limiters. But due to the limited current and voltage ratings of one YBCO module, it is needed to construct series and parallel module connections for high capacity electric networks. Especially for distribution network, more than 30 units should be connected in series to meet voltage level. So in order to construct distribution-level superconducting fault current limiter, simultaneous quench in one YBCO thin films should be realized, and furthermore, quench should be occurred in all fault current limiting units equally to avoid local heating and failures. In this paper, we proposed optimum design of YBCO thin films for fault current limiting module and technical method using shunt resistor to achieve simultaneous quench between multi current limiting units. From the analytical and the experimental results, optimal current path and thickness of shunt material was determined for YBCO thin films and shunt resistor between modules was developed. Finally, 14 kV one phase resistive fault current limiter using multi YBCO thin films was constructed and it was possible to get satisfactory test results.
YBa$_2$Cu$_3$$O_{7-x}$ thin films were fabricated by MOD-TFA process via dipping method on LaAlO$_3$(LAO) single crystalline substrates. In this study, we investigated effect of solvent on the microstructure and crystallinity of YBCO thin films. The YBCO films derived from solvent with low boiling point has good surface morphologies.s.
We report the phase and microstructure evolutions of metal trifluoroacetate (TFA) precursor films in the TFA-MOD process of YBCO films on the LAO (100) substrates. It was confirmed that the precursor films were decomposed into $Y_2O_3$, $BaF_2$, and CuO nanoparticles after the initial heat treatment up to 400$^{\circ}C$. After a subsequent heat treatment at higher temperatures ranging from 700 to 850$^{\circ}C$ for 2 h, these nano-sized phases are converted into YBCO films. High Jc(77K, sf)-YBCO thin films (over 2 MA/$cm^2$) were successfully fabricated with firing temperatures ranging from 775 to 850$^{\circ}C$ for 2 h, where films were composed of dense microstructures with large grains.
The goal of the research is to study and describe a new stressed state of High Temperature Superconducting (High-T$_{c}$) YBCO Films, to create of SQUIDs (Superconducting Quantum Interference Device) on the bases of these films with maximal sensitivity. With the experimental investigation of the stressed films grown by laser ablation method and its properties, the fabrication of the dc-SQUIDs with maximal sensitivity on the bases of the stressed YBCO films were carried out. The stressed film having the value of the critical current density J$_{c}$=3ㆍ$10^{5}$A/$\textrm{cm}^2$ was the more stable than others.ers.s.
Good quality superconducting $YBa_2Cu_30_{7-{\delta}}$(YBCO) thin films were grown on Hastelloy (Ni-Cr-Mo alloys) with yttria-stabilized zirconia(YSZ) buffer layers by in situ pulsed laser deposition in a multi-target processing chamber. Generally, Hastelloy exhibits excellent resistance to corrosion, fatigue, thermal shock, impact, and erosion. However, it is difficult to make films on flexible metallic substrates due to interdiffusion problems between metallic substrates and superconducting overlayers. To overcome this difficulty, it is necessary to use YSZ buffer layer since it will not only limit the interdiffusion process but also minimize the surface microcrack formation due to smaller mismatch between the film and the substrate. In order to enhance the crystallinity of YBCO films on metallic substrates, YSZ buffer layers were grown at various temperatures different from the deposition temperature of YBCO films. On YSZ buffer layer grown at higher temperature than that for depositing YBCO film, the YBCO thin film was found to be textured with c-axis orientation by x-ray diffraction and had a zero-resistance critical temperature of about 85K.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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