Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.4
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pp.276-281
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2012
Power semiconductor devices are widely used as high voltage applications to inverters and motor drivers, etc. The blocking voltage is one of the most important parameters for power semiconductor devices. Generally most of field effect concentrations shows on the edge of power devices. Can be improve the breakdown characteristic using edge termination technology. In this paper, considering the variables that affect the breakdown voltage and optimization of parameters result for 600 V Super Junction MOSFET Field ring.
Aerodynamic characteristics of three-dimensional wings in ground effect for Aero-levitation Electric Vehicle(AEV) are numerically investigated for various fairing shapes at the junctions of 3D Wings. Numerical results show that a sizeable three-dimensional comer flow separation occurs with formation of an arch vortex at the junction of main and vertical wings, and also that this is predicted the main cause of the high lift-to-drag(L/D) reduction rate of the main wing. To avoid the comer flow separation, the main idea of this study is to reduce the cross section gradient of the comer flow tube near the trailing edge for various fairing shapes. Improvements on L/D ratios of the wings are pursued by breaking the coherence of superimposed adverse pressure gradients at the wing junction when the cross section gradient is changed slowly at the trailing edge.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.273-273
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2010
Recently, extensive research on hetero-junction arrays has been reported owing to its unique band gaps dissimilar to that of homo-junctions. These hetero-junction devices can be used in laser, solar cells, and various sensors. We report on the facile method to fabricate SWCNTs/SnO2 nanowires hetero-junction arrays on flexible polyimide substrate. Each SWCNT field effect transistor (FET) and SnO2 nanowire FET exhibits the purely p- and n-type charactersistics with ohmic contact properties. Such formed pn-junctions showed rectification behaviors reproducibly with a rectification ratio of ${\sim}3{\times}103$ at 1 V and ideality factors about 12. The pn-junctions also showed a good gate modulation behavior.
본 논문에서는 non-radiative dielectric (NRD) guide를 이용한 듀플렉서를 설계하였다. 설계된 듀플렉스는 두 개의 gap-coupled 필터와 T-junction으로 구성되어 있다. Gap-coupled 필터의 설계에는 차단 주파수 영역 등가회로를 이용하였으며 T-junction은 30dB 이상의 반사손실을 갖도록 최적화하여 두 가지의 형태로 설계하였다 위의 설계과정을 통하여 1% 대역폭, 0.1dB ripple, 37.7 및 38.3 GHz의 중심주 파수를 갖는 듀플렉서를 설계하였다. 두 가지 형태의 결합부를 갖는 듀플렉서에 대해 시뮬레이션하여 응답특성을 비교한 결과 듀플렉서의 응답특성이 원하는 결과에 근접하게 나옴을 확인하였다.
Neuromuscular junction consist of presynaptic membrane, synaptic cleft and postsynaptic membrane. In the neuromuscular junction, presynaptic membrane is the motor nerve terminal, have many synaptic vesicle. Postsynaptic membrane is the motor end plate of muscle fiber and the most striking structural features are the deep infolding of the sarcolemma. Between the nerve and muscle cells, there is a synaptic cleft of some 50-100nm. This review shows the ultrastructure and function of neuromuscular junction, summarizes the current knowledge.
Purpose: This study was performed to investigate the effects of NMES for recovery of skeletal muscle. Methods: The normal group consisted of healthy rat without cast immobilization. The control group was breeding at standard cage during 7 days after 2 weeks-cast immobilization on hind limb. The experimental group. I. received NMES application during days after 2 weeks-cast immobilization on hind limb. The effects were measured with NT-3 immunoreactivity in neuromuscular junction by light microscope. Results: Immunoreactivity of NT-3 at the neuromuscular junction was higher appeared experimental groups than control group. Then, There was a little detection in the normal and control group. Conclusion: These therapeutic interventions enhance expression of NT-3 at the neuromuscular junction. Also, NMES is considered to effect on a normal structural formation and NT-3 expression at the neuromuscular junction.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.12
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pp.1264-1268
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2003
In this paper, we have designed the duplexer using non-radiative dielectric(NRD) guide in millimeter wave band. The designed duplexer is composed of two stepped-impedance filters and T-junction. Stepped-impedance filters we designed with an equivalent circuit model of evanescent waveguide and the T-junction is optimized to minimize return loss of -20 dB or more. The characteristics of duplexer show good agreements with the expected results.
In this paper, present status of super high-efficiency tandem solar cells has been reviewed and key issues for realizing super high-efficiency have also been discussed. In addition, the terretrial R&D activities of tandem cells, in the New Sunshine Program of MITI(Ministry of International Trade and Industry) and NEDO(New Energy and Industrial Technology Development Organization) in Japan are reviewed briefly. The mechanical stacked 3-junction cells of monolithically grown InGaP/GaAs 2-junction cells and InGaAs cells have reached the highest efficiency achieved in Japan of 33.3% at 1-sun AM1.5. This paper also reports high-efficiency InGaP/GaAs 2-junction solar cells with a world-record efficiency of 26.9% at AM0, 28$^{\circ}C$ and radiation damage recovery phenomena of the tandem cell performance due to minority-carrier injection under light illumination or forward bias, which causes defect annealing in InGaP top cells. Future prospects for realizing super-high efficiency and low-cost tandem solar cells are also described.
The effects of Ge composition variation in $a-Si_{1-x}Ge_x:H$ alloy p-i-n solar cells on the physical properties and current density-voltage characteristics are analyzed by a new simulation modelling based on the update published experimental datas. The simulation modelling includes newly formulated density of gap density spectrum corresponding to Ge composition variation and utilizes the newly derived generation rate formulars which include the reflection coefficients and can apply to multijunction structures as well as single junction structure. The effects in $a-Si_{1-x}Ge_x:H$ single junction are analyzed through the efficiency, fill factor, open circuit voltage, short circuit current density, free carriers, trap carriers, electric field, generation rate and recombination rate. Based on the results analyzed in single junction structure, the applications to multiple junction structures are discussed and the optimal conditions reaching to a high performance are investigated.
Kim, Bum June;Hong, Young Sung;Sim, Gwan Pil;Kang, Ey Goo
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.8
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pp.587-590
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2013
Release competition and development of eco-friendly vehicles have been conducted violently also automaker, it will be a high growth industry of the charger and battery, which is the driving source of the motor of an electric vehicle. Reduces the on-resistance power elements DC - DC converter for battery charger for electric vehicles, must minimize switching losses. Should have a low on-resistance power than existing products. Compare the Super Junction MOSFET and Planar MOSFET, As a result, super junction MOSFET improve on about 87.4% on-state voltage drop performance than planar MOSFET.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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