• Title/Summary/Keyword: Y$\u{o}$ju

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Etcher용 상부전극의 Life Time 평가 방법 연구

  • No, Seung-Wan;Song, Je-Beom;Sin, Jae-Su;Gang, Sang-U;Kim, Jin-Tae;Sin, Yong-Hyeon;Yun, Ju-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.43-43
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    • 2010
  • 반도체 및 디스플레이의 진공부품은 알루미늄 모제에 전해연마법(electrolytic polishing), 양극산화피막법(anodizing), 플라즈마 용사법(plasma spray) 등을 사용하여 $Al_2O_3$ 피막을 성장시켜 사용되고 있다. 반도체 제조공정 중 30~40% 이상의 비중을 차지하는 식각(etching) 및 증착(deposition) 공정의 대부분 은 플라즈마에 의해 화학적, 물리적 침식이 발생하여 피막에 손상을 일으켜 피막이 깨지거나 박리되면서 다량의 particle을 생성함으로써 생산수율에도 문제를 야기 시킨다. 본 연구에서는 이러한 진공부품의 하나인 etcher용 상부전극을 양극산화피막법(Anodizing)으로 $Al_2O_3$ 피막을 성장시킨 샘플을 제작하여 플라즈마 처리에 따른 내전압, 식각율, 표면 미세구조의 변화를 관찰하였고 이를 종합적으로 고려하여 etcher용 상부전극의 Life Time 평가 방법을 연구하였다. 이러한 실험을 통해 플라즈마 처리 후 피막에 크랙이 발생되는 것을 확인할 수 있었고 피막의 손상으로 전기적 특성이 감소되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 플라즈마 처리 중 ISPM 장비를 이용하여 플라즈마 공정에서 발생하는 오염입자를 실시간으로 측정할 수 있는 방법을 연구하였다. 이러한 결과를 이용하여 진공공정에서 사용되는 코팅부품이 플라즈마에 의한 손상정도를 정량화 하고 etcher용 상부전극의 Life Time 평가 방법을 개발하여 부품 양산업체의 진공장비용 코팅부품의 개발 신뢰성 향상이 가능할 것으로 기대된다.

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Field Assisted Method of Producing Wide-bandgap Transparent Conductive Electrodes for Deep Ultra-violet Light Emitting Diodes Prepared by Magnetron Sputtering

  • Kim, Seok-Won;Kim, Su-Jin;Kim, Hui-Dong;Kim, Gyeong-Heon;Park, Ju-Hyeon;Lee, Byeong-Ryong;U, Gi-Yeong;Kim, Tae-Geun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.331-331
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    • 2014
  • 3족 질화물에 기반한 발광다이오드는 비소화물이나 인화물에 비해 여러 가지 장점을 가져 각광받아왔다. 특히, (Al)GaN 에 기반한 자외선 영역 발광 다이오드는 자외선 경화, 소독 등의 여러 가지 응용 가능성을 가진다 [1]. 하지만, 심자외선 영역으로 갈수록 높은 접촉 저항과 투명전극에서의 광흡수에 의해 전류주입 효율과 광추출 효율이 감소하여 결국 외부양자 효율이 더욱 열화되는 특성을 보인다. 이는 넓은 밴드갭을 가지는 물질을 이용하여 p-(Al)GaN 층에서 오믹접촉을 이루어야만 해결이 가능하지만 아직까지 이러한 결과가 보고된 바 없다. 본 연구에서는, 우리는 넓은 밴드갭을 가지는 silicon dioxide (SiO2) 에 전기장을 인가하여 p-GaN, and p-AlGaN 층에 전도성 필라멘트를 형성하여 전기전도도를 부여하는 연구를 진행하였다. p-GaN 과 p-AlGaN 위에서 5 nm 두께의 SiO2는 schottky 한 특성과 280 nm의 파장대역에서 약 97%의 투과율을 보였다. 비록 schottky 장벽이 형성되었지만, 전기전도도가 크게 향상되었으며 심자외선 영역에서 매우 낮은 흡수율을 보였다. 이는 기존의 증착후 열처리를 거쳐 제조된 전극에 비하여 우수한 특성을 지니며 향후 심자외선 영역 발광다이오드의 p-(Al)GaN 층 위에 오믹접촉을 이룰수 있는 가능성을 제시한다.

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Simple fabrication route for vertically-aligned CZTS nanorod arrays for photoelectrochemical application based on AAO template

  • Kim, Ji-Min;Yang, U-Seok;O, Yun-Jeong;Mun, Ju-Ho
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.402.2-402.2
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    • 2016
  • In photoelectrochemical (PEC) water splitting, Cu2ZnSnS4 (CZTS) compound has attracted intense attention as a photocathode due to not only large optical absorption coefficient, but also earth-abundance of constituent elements and suitable band alignment. With rapid development of nanotechnology, one-dimensional nanostructures of CZTS have been investigated as a potential form to achieve high efficiency because the nanostructures are expected to be capable of capturing more light and enhancing charge separation and transport. Here, we report a well-controlled fabrication route for vertically-aligned CZTS nanorod arrays on anodic aluminium oxide (AAO) template via simple sol-gel process followed by deposition of ZnS or CdS buffer layers on the CZTS nanorod to enhance charge separation. The structure, morphology, composition, optical absorption, and PEC properties of the resulting CZTS nanorod samples were characterized using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, transmission electron microscopy, energy dispersive X-ray spectrometry, scanning electron microscopy, and UV-vis spectroscopy.

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Degradation Pattern of Black phosphorus Field Effect Transistor

  • Lee, Byeong-Cheol;Ju, Min-Gyu;Jin, Jun-Eon;Lee, Jae-U;Kim, Gyu-Tae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.120.1-120.1
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    • 2015
  • We investigate the degradation pattern of Black phosphorus (BP) field effect transistor (FETs) investigated by using an mechanically exfoliated BP that react O2 and water vapor in ambient condition, degradation. The BP FETs was electrically measured every 20 minutes (1cycle) in the air, the total cycle is 100. We show electrical changes with Mobility, On/off ratio, Current and a significant positive shift in the threshold voltage. We extracted the current level at Vgs-Vth = 0, -10, -20 and fitting with Swiss-cheese model. This model suggested that Swiss-cheese model is well fitted with degradation pattern of BP FETs.

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Degradation Pattern of Black phosphorus Field Effect Transistor

  • Lee, Byeong-Cheol;Ju, Min-Gyu;Jin, Jun-Eon;Lee, Jae-U;Kim, Gyu-Tae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.167.1-167.1
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    • 2015
  • We investigate the degradation pattern of Black phosphorus (BP) field effect transistor (FETs) was investigated by using an mechanically exfoliated BP that react O2 and water vapor in ambient condition, degradation. The BP FETs was electrically measured every 20 minutes (1cycle) in the air, the total cycle is 100. We show electrical changes with Mobility, On/off ratio, Current and a significant positive shift in the threshold voltage. We extracted the current level at Vgs-Vth = 0, -10, -20 and fitting with Swiss-cheese model. This model suggested that Swiss-cheese model is well fitted with degradation pattern of BP FETs.

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Smart Suction Muffler for a Reciprocating Compressor (왕복동 압축기에서의 고효율, 저소음 흡입머플러 개발)

  • Ju, Jae-Man;Choe, Jin-Gyu;O, Sang-Gyeong;Park, Seong-U
    • Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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    • 2000.06a
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    • pp.1429-1436
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    • 2000
  • Suction muffler is one of the important component of a compressor for low noise level and high efficiency. The suction muffler which has the complicated flow path gives the higher transmission loss of sound, but lower efficiency of compressor results from the superheating effect and flow loss in suction flow path. It is shown that the computational analysis of fluid dynamics are very popular methods for designing of high performance and low noise suction muffler. To reduce the thermodynamic and flow loss in suction process, the flow path of suction muffler was estimated by FVM(Finite Volume Method) and verified by experiments. And to enlarge the transmission loss of sound, the acoustic properties inside the suction muffler was analyzed by FEM(Finite Element Method) and experiments. The smart muffler which gives a good efficiency and low noise character was developed by using those methods, and the effect was evaluated in compressor by experiment.

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Filling via hole in Si-wafer for 3 Dimensional Packaging (3차원 실장을 위한 Si-wafer의 via hole 딥핑 충전)

  • Hong Seong-Jun;Lee Yeong-U;Kim Gyu-Seok;Lee Gi-Ju;Kim Jeong-O;Park Ji-Ho;Jeong Jae-Pil
    • Proceedings of the KWS Conference
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    • 2006.05a
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    • pp.227-229
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    • 2006
  • 3차원 실장을 하기 위해서 딥핑 방법으로 전기적 신호를 전달할 수 있는 비아를 가진 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 레이저를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 개구부가 원형에 가까운 관통 홀을 형성하였다. 관통 홀의 벽에 도금 방법으로 시드 층을 형성하였다. 관통 홀의 충전 금속은 Sn-3.5Ag-0.7Cu 솔더를 사용하였다. 딥핑 방법으로 시드 층과 솔더 사이의 확산 현상 이용하여 전기적 신호를 전달 할 수 있는 비아를 형성하였다. 비아 내부에 일부 기공과 크랙이 발견되기도 했으나 딥핑 방법을 통해서 빠른 시간 내에 비아를 가진 실리콘 웨이퍼를 제작 할 수 있었다.

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방사선 조사와 천연추출물을 이용한 아질산염 무첨가 육포제조

  • Kim, Jae-Hun;Jeon, Sun-Sil;Kim, Jang-Ho;O, Sang-Hui;Seo, Ji-Hyeon;Kim, Gyeong-Hui;Lee, Ju-Un;Byeon, Myeong-U
    • Proceedings of the Korean Society for Food Science of Animal Resources Conference
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    • 2004.10a
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    • pp.183-187
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    • 2004
  • 본 연구는 최근 위해성의 논란이 되고 있는 육가공 첨가제인 아질산염을 대체할 수 있는 기술을 제시하기 위해 시행되었으며, 이를 위해 천연추출물인 파프리카와 매실 추출물을 육포에 첨가하여 미생물 사멸을 위해 감마선 및 전자선을 처리하였다. 그 결과 아질산염을 첨가하지 않고 상기 기술들로 현재 시판되는 육포와 유사한 지질 산패도, 색도, 조직감을 유지할 수 있었으며, 특히 10 kGy 조사에 의해 곰팡이 및 효모를 비롯한 총 호기성 미생물이 효과적으로 사멸되어 육포의 저장성과 안전성을 확보할 수 있었다.

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