The charge transfer compounds $(TTF)_4FeCl_3{\cdot}CH_3OH,\;(TTF)_4SbCl_4\;and\;(TTF)_5(SbBr_4)_2{\cdot}CH_3COCH_3$ were prepared from reactions of the TTF (tetrathiafulvalene) and metal halides. The compounds were characterized by spectroscopic (UV,IR, EPR and XPS) methods, magnetic susceptibility and electrical conductivity measurements. The d.c electrical conductivities of the pressed pellets are in the order of $10^{-1}-10^{-3} Scm^{-1}$, which lies in the range of semiconductor region at room temperature. It means that the partially ionized TTF has stacked in low-dimensional chain in each compound. Spectroscopic properties also indicate that TTF molecules are partially ionized and charge transfer has occurred from (TTF)n to Fe(III) center in $(TTF)_4FeCl_3{\cdot}CH_3OH$ whereas to the $-SbX_4^-$ entity in $(TTF)_4SbCl_4\;and\;(TTF)_5(SbBr_4)_2{\cdot}CH_3COCH_3$. The EPR g values are consistent with TTF radical formation and EPR linewidths suggest the delocalization of unpaired electrons along TTF stacks. A signal arised from metal (Fe and Sb) ions were not detected in EPR spectra, indicating that metal ion is in the diamagnetic state in each compound. The diamagnetic state was also examined by the magnetic susceptibility measurement. The magnetic properties reveal the significant interaction between the $TTF^+$ radical cations in the stacks. The oxidation state of metal ions was also investigated by XPS spectra.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.347-347
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2012
Nickel Oxide (NiO) is a transition metal oxide of the rock salt structure that has a wide band gap of 3.5 eV. It has a variety of specialized applications due to its excellent chemical stability, optical, electrical and magnetic properties. In this study, we concentrated on the application of NiO thin film for transparent conducting oxide. The energy band structure, electronic and optical properties of Nickel Oxide (NiO) thin films grown on Si by using electron beam evaporation were investigated by X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy (REELS), and UV-Spectrometer. The band gap of NiO thin films determined by REELS spectra was 3.53 eV for the primary energies of 1.5 keV. The valence-band offset (VBO) of NiO thin films investigated by XPS was 3.88 eV and the conduction-band offset (CBO) was 1.59 eV. The UV-spectra analysis showed that the optical transmittance of the NiO thin film was 84% in the visible light region within an error of ${\pm}1%$ and the optical band gap for indirect band gap was 3.53 eV which is well agreement with estimated by REELS. The dielectric function was determined using the REELS spectra in conjunction with the Quantitative Analysis of Electron Energy Loss Spectra (QUEELS)-${\varepsilon}({\kappa},{\omega})$-REELS software. The Energy Loss Function (ELF) appeared at 4.8, 8.2, 22.5, 38.6, and 67.0 eV. The results are in good agreement with the previous study [1]. The transmission coefficient of NiO thin films calculated by QUEELS-REELS was 85% in the visible region, we confirmed that the optical transmittance values obtained with UV-Spectrometer is the same as that of estimated from QUEELS-${\varepsilon}({\kappa},{\omega})$-REELS within uncertainty. The inelastic mean free path (IMFP) estimated from QUEELS-${\varepsilon}({\kappa},{\omega})$-REELS is consistent with the IMFP values determined by the Tanuma-Powell Penn (TPP2M) formula [2]. Our results showed that the IMFP of NiO thin films was increased with increasing primary energies. The quantitative analysis of REELS provides us with a straightforward way to determine the electronic and optical properties of transparent thin film materials.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.398-398
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2013
The electronic properties and the local structure of tantalum oxide thin film with variation of oxygen flow rate ranging from 9.5 to 16 sccm (standard cubic centimeters per minute) have been investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy (REELS), and X-ray absorption spectroscopy (XAS). The XPS results show that the Ta4f spectrum for all films consist of the strong spin-orbit doublet $Ta4f_{7/2}$ and $Ta4f_{5/2}$ with splitting of 1.9 eV. The oxygen flow rate of the film results in the appearance of new features in the Ta4f at binding energies of 23.2 eV, 24.4 eV, 25.8, and 27.3 eV, these peaks attribute to $Ta^{1+}$, $Ta^{2+}$, $Ta^{4+}$/$Ta^{2+}$, and $Ta^{5+}$, respectively. Thus, the presence of non-stoichiometric state from tantalum oxide ($TaO_x$) thin films could be generated by the oxygen vacancies. The REELS spectra suggest the decrease of band gap for tantalum oxide thin films with increasing the oxygen flow rate. The absorption coefficient ${\mu}$ and its fine structure were extracted from the fluorescence mode of extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) spectra. In addition, bond distances (r), coordination numbers (N) and Debye-Waller factors (${\sigma}^2$) each film were determined by a detailed of EXAFS data analysis. EXAFS spectrapresent both the increase of coordination number of the first Ta-O shell and a considerable reduction of the Ta-O bond distance with the increase of oxygen flow rate.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.13
no.2
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pp.79-82
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2003
GaN nanoparticles were synthesized by the pulsed laser deposition (PLD) process on $SiO_2$substrate after irradiating the surface of the GaN sintered pellet by the ArF (193 nm) excimer laser. At this moment Ar gas pressure of 100 Pa, 50 Pa, 10 Pa and 1 Pa were applied during the ablation process and laser power of 100 mJ and 200 mJ were also applied. The synthesized fan nanoparticles were characterized by XRD, SEM, TEM, XPS and optical absorption spectra. The synthesized GaN nanoparticles had the crystallite sizes of 20~30 nm, and besides, GaN nanoparticles synthesized under low Ar gas pressure compared to the others corresponded with stoichiometry, and the optical band edge of the GaN nanoparticles was blueshifted.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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v.3C
no.6
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pp.216-219
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2003
A new class of carbosiloxane dendrimer (G4-48PyP) terminated with 4-pyridylpropano I was synthesized and its possible application to functional thin films was examined through metal complexation and Langmuir-Blodgett (LB) technique. The highly concentrated periphery pyridyl groups of G4-48PyP were exposed on aq. aluminum ions at the air-water interface. The monolayers showed stability up to ca. 50 mN/m of surface pressure. When the subphase became acidic or alkaline, the monolayers changed to condensed phase. The presence of aluminum ions also caused reduction of the molecular area. The macroscopic images of the monolayers were monitored by Brewster angle microscopy (BAM) and only the images of dendrimer aggregates could be observed after the monolayer collapse. The surface images of the monolayer LB film were scanned by atomic force microscopy (AFM). The convex structures of single and aggregate molecules were directly observed. The structures of Langmuir-Blodgett (LB) films were characterized by FT-IR, UV-Vis, and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The UV-Vis spectrum of the aluminum ion-complexed LB film showed additional band around 670nm, which was not found in the spectra of dendrimer itself or aq. aluminum ions. XPS spectra also supported the incorporation of aluminum ions into the LB films.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.87-87
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2010
Adsorption and subsequent catalytic reactions of ethanol and acetaldehyde on chemically modified rutile TiO2(001) surfaces are probed by x-ray photoemission spectroscopy (XPS) using synchrotron radiation. TiO2 is a well-known photocatalyst for various catalytic reactions including oxidation of organic molecules. In this respect, the surface atomic structure has been found to play a vital role in determining the catalytic reactivity and selectivity of TiO2. In this study, we employ an atomically well-ordered reduced TiO2(001) surface which is prepared in a UHV chamber by repeated Ar+-sputtering and annealing (900 K) cycles. We systematically modify the surface by treating the surface with H2O or O2 at room temperature (RT). The catalytic reactivity of the surface-modified TiO2(001) is evaluated by dosing ethanol/acetaldehyde onto the surface at RT and by subsequent annealing to higher temperatures (400~600 K). XPS spectra of C 1s core level are intensively used to probe any change in the oxidation state of carbon atoms. We find that the reactivity as well as the saturation coverage are significantly affected by the RT-treatment of the TiO2 surface with H2O or O2. For both reactant molecules (ethanol/acetaldehyde), oxidation reactions are found to be enhanced on the O2-treated surface compared with the reduced or H2O-treated surfaces. Possibly reaction pathways are discussed based on the observed XPS spectra.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.141-141
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2012
The electronic and optical properties of Indium Zinc Tin Oxide (IZTO) thin films using gas environment were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and reflection electron energy loss spectroscopy (REELS). REELS spectra revealed that the band gaps of IZTO thin films are 3.26, 3.07, and 3.46 eV for water mixed with oxygen, argon mixed with oxygen, and air environments, respectively. The measured band gaps by REELS are consistent with the optical band gaps obtained by UV-Spectrometer. The optical properties represented by the dielectric function $\mathfrak{m}$, the refractive index n, the extinction coefficient k, and the transmission coefficient T of the IZTO thin films with different gas environments were determined from a quantitative analysis of REELS spectra. The calculated transmission from quantitative analysis of REELS spectra shows good agreement with transmission measured by UV-spectrometer. The transmission values of 89% and low electrical resistivity of $3.55{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ have been achieved for argon mixed with oxygen which indicates that the gas enviroment plays an important role in improving the electronic and optical properties of films.
Park, Chang-Kyun;Chang, Seok-Mo;Uhm, Hyun-Seok;Seo, Soo-Hyung;Park, Jin-Seok
Proceedings of the KIEE Conference
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2001.11a
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pp.16-19
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2001
DLC films are deposited using a modified FCVA system. Carbon amorphous networks, chemical bonding states, $sp^3$ fraction, interfaces, and structures are studied as a function of substrate voltage ($0{\sim}-250V$). The $sp^3$ content in the films is evaluated by analyzing the XPS spectra(C1s). The structural properties of the surface, bulk, and interfacial layers in DLC/Si systems are quantitatively analyzed by employing XRR method. As the substrate voltage is increased, the $sp^3$ fraction is decreased by means of XPS and Raman spectroscopy. In addition, the structural properties (interfacial layer, contamination layer, and sp3 fraction) derived from XPS depth profile are relatively correlated with the XRR results.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.360.2-360.2
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2016
CuSn thin films were fabricated by rf magnetron co-sputtering method on the Si(100) substrate for evaluation of the antibacterial effect. The co-sputtering process was performed with different rf powers and sputtering times to regulate the thickness of the films and relative atomic ratio of Cu to Sn. The physicochemical properties of the CuSn thin films were characterized by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray induced Auger electron spectroscopy (XAES), Optical microscope (OM), 4-point probe, and antibacterial test. An antibacterial test was conducted with Escherichia coli (E. coli) and Staphylococcus aureus (S. aureus) as changing contact times between CuSn fillms and bacteria suspension. We compared to the crystalline structures of films before sterilization and after sterilization by XRD measurement. The changes of oxidation states of Cu and Sn and the chemical environment of films before and after antibacterial test were investigated with high resolution XPS spectra in the regions of Cu 2p, Cu LMM, and Sn 3d. After antibacterial test, the morphology of the films was checked with an OM images. The electrical properties of the CuSn films such as surface resistance and conductivity were measured by using 4-point probe.
The folding of aptamer immobilized on an Au electrode was successfully detected using label-free electrochemical methods. A thrombin binding DNA aptamer was used as a model system in the presence of various monovalent cations. Impedance spectra showed that the extent to which monovalent cations assist in folding of aptamer is ordered as $K^+$ > $NH_4^+$ > $Na^+$ > $Cs^+$. Our XPS analysis also showed that $K^+$ and $NH_4^+$ caused a conformational change of the aptamer in which it forms a stable complex with these monovalent ions. Impedance results for the interaction between aptamer and thrombin indicated that thrombin interacts more with folded aptamer than with unfolded aptamer. The EQCM technique provided a quantitative analysis of these results. In particular, the present impedance results showed that thrombin participates a folding of aptamer to some extent, and XPS analysis confirmed that thrombin stabilizes and induces the folding of aptamer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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