• 한국전자파학회논문지
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• 제26권1호
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• pp.101-112
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• 2015

II~VI족 화합물 반도체 $Zn_xCd_{1-x}S$ 박막을 Indium-tin-oxide(ITO)가 도포된 유리기판 상에 열증발법을 사용하여 증착하였다. 박막의 합성비(molar ratio) x($0{\leq}x{\leq}1$)는 CdS(x=0) 박막과 ZnS(x=1) 박막을 포함하여, 삼원화합물 $Zn_xCd_{1-x}S$ 박막을 제조하기 위하여 변화시켰다. 또한, 증착한 박막의 결정성을 높이기 위하여 진공전기로에서 열처리 하였으며, 분광학적 특성조사를 위해서는 $400^{\circ}C$에서 열처리한 $Zn_xCd_{1-x}S$ 박막이 최적임을 알았다. $Zn_xCd_{1-x}S$ 박막의 합성비(x)와 전자적 구조를 조사하기 위하여 X-선 광전자 분광법(XPS)을 사용하였고, 박막시료의 광학적 에너지 띠 간격 $E_g$는 자외선-가시광-근접 적외선(UV-Vis-NIR) 분광법으로 측정하였으며, 합성비(x)값이 0에서 1까지 변화함에 따라 2.44~3.98 eV 범위의 값을 보여주었다. 끝으로, THz-TDS(Time Domain Spectroscopy) 시스템을 사용하고 $Zn_xCd_{1-x}S$ 박막의 THz파 특성을 측정하여 테라헤르츠(THz) 영역용 전자 및 광학 소자로서 응용가능성을 확인하였다.

• 한국철도학회:학술대회논문집
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• 한국철도학회 2011년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.363-367
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• 2011

In this paper a simulator for Integrated Onboard Signalling System(IOSS) will be presented and illustrated. IOSS which is integrated with there signalling systems such as ERTMS/ETCS Level 1 ATP(Automatic Train Protection), ATC(Automatic Train Control) and ATS(Automatic Train Stop) is a signalling system for HEMU-400X(Highspeed Electric Multiple Unit - 400km/h eXperiment). HEMU-400X is under development as the next generation high-speed train in Korea. Before conducting a trial run of HEMU-400X with IOSS, we must carry out functional test of IOSS. The simulator is suggested in this paper for testing and verification of IOSS. The simulator can help to test all function of IOSS although a real train and trackside equipments are not existed. Also the simulator can make a fault in trackside equipment intentionally. In that scenario, we can figure out how IOSS handle emergency situations.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 전문대학교육위원 P
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• pp.31-34
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• 1999

In the present study, we fabricated stoichiometric $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$ thin films at various substrate temperature and contents using of magnetron sputtering method on optimized Pt-based electrodes (Pt/TiN/$SiO_2$/Si). The substate temperature deposited at 200[ $^{\circ}C$], 400[$^{\circ}C$] and 600[$^{\circ}C$] and crystalline BST thin films show above 400[$^{\circ}C$]. Also, the composition of $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$ thin films deposited on Si wafer substrate at 400[$^{\circ}C$] were closed to stoichiometry($1.015{\sim}1.093$ in A/B ratio), but compositional deviation from a stoichiometry is larger as $SrCO_3$ is added. The drastic decrease of dielectric constant and increase of dielectric loss in $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$thin films is observed above 100[kHz]. V-I characteristics of $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$ thin films show the decrease of leakage current with the increase of $SrCO_3$ contents.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.413-417
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• 1998

In this paper, we investigate frequency dependance of inductance of FeCoB amorphous magnetic films. $(Fe_{1-x}Co_x)_{79}Si_2B_{19}$ was used as the basic composition of amorphous magnetic film having near zero magnetostriction. The amorphous magnetic films were fabricated with x=0.94 and x=0.95 by using sputtering method at high frequency. The films were anneald under non-magnetic field and near crystallization temperatures(30min at $280^{\circ}C$, 30min and 1hr at $400^{\circ}C$, respectively). As the results of the experiments with the fabricated films, the lowest coercive force was 0.084[Oe] at 400[W] of the input power and the crystallization temperature was $360^{\circ}C$ . In the case 30min at 40$0^{\circ}C$ the inductance value in the low frequency with x=0.95 was higher by 488% than that with x=0.94. The quality factor Q was below 0.7 for all samples. We obtained the highest quality value at 400[KHz] with 30min at $280^{\circ}C$ and x=0.94. The value was about 0.62. Also, the quality factor value was about 0.35 at 1[MHz] with 30min at $280^{\circ}C$ and x=0.95.

• 한국철도학회논문집
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• 제19권3호
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• pp.288-296
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• 2016

400km/h급 전차선로가 우리나라에 시범 부설되었다. 400km/h 심플 커티너리를 설계함에 있어서 사전이도를 어떻게 해야 하는가는 관심이 집중된 엔지니어링 항목이다. 사전이도는 일정 고속 대역에서 집전성능을 향상시키는 것으로 알려져 있다. 그러나 400km/h 속도에서 효과에 대해서는 아직 정립되어있지 않다. 400km/h 커티너리에서 적절한 사전이도량을 파악하기 위하여 사전이도 0과 1/3000 조건에서 전차선과 팬터그래프 사이 동적 성능 예측 시뮬레이션을 실시하였다. 이 예측에 근거하여 400km/h 전차선로 설계에서는 0 사전이도를 채택하였다. 그리고 400km/h 전차선로 시범구간(28km)을 건설하면서 일부구간에 1/3000 사전이도 구간(약 1km)을 조성하였다. HEMU-430X 열차를 투입하여 사전이도 조성 구간을 포함하여 시범구간에서 접촉력 측정을 실시하였다. 본 논문에서는 사전이도 조성 구간과 사전이도가 없는 구간의 동적 성능(접촉력)에 대하여 기술하며 그 둘을 비교한다. 결론적으로 400km/h 전차선로에서 사전이도를 주지 않은 구간이 1/3000 사전이도 구간보다 양호한 동적(집전) 성능을 나타냄을 해석적 및 실험적 검토를 통하여 확인하였다.

• 한국철도학회:학술대회논문집
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• 한국철도학회 2011년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1-6
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• 2011

In this study, wind tunnel test were conducted to improve an aerodynamic performance of HEMU400X pantograph system with 4 types of pantograph housing models. Experimental models were 1/4 scaled pantograph system, 1/4 scaled ground plate which is scaled down to real roof shape of HEMU-400x, and 4 types of pantograph housing models. The free stream of wind tunnel were 20, 40, 60, 70m/s. The lift and drag forces were measured with 2-axis load cell. And, Total pressure were measured with rake in the wake region of panhead. In addition, Surface flow visualization by tufts were performed to know flow characteristics around pantograph housing. According to the results of force tests and surface visualizations, pantograph housing shape is important part because the shape affects to pantograph system. Therefore, it is considered that adaption of pantograph housing is more advantageous to decrease drag and acoustic noise.

• 한국진공학회지
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• 제19권5호
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• pp.341-346
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• 2010

본 논문에서는 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering) 공정으로 $Si_xO_y$ 박막과 $Si_xN_y$ 박막을 4층 구조로 적층하고 400~700 [nm]의 가시광 영역에서 빛의 반사를 줄이기 위한 반사방지 코팅(Anti-Reflection Coating)으로의 응용 가능성을 조사하였다. 스퍼터링 타겟으로 6 [inch] 직경의 Si 단결정을 사용하였고, 반응성 스퍼터링 가스는 $Si_xO_y$ 박막 증착에서 Ar과 $O_2$를, $Si_xN_y$ 박막 증착에서는 Ar과 $N_2$를 사용하였으며, 스퍼터링 파워로는 DC pulse를 사용하였다. 1,900 [W] DC pulse power에서 Ar:$O_2$=70:13 [sccm]의 반응성 스퍼터링으로 2.3 [nm/sec]의 증착률과 1.50의 굴절률을 보이는 $Si_xO_y$ 박막을 제작하였고, Ar:$N_2$=70:15 [sccm]의 반응성 스퍼터링으로 1.8 [nm/sec]의 증착률과 1.94의 굴절률을 보이는 $Si_xN_y$ 박막을 제작하였다. 이 두 종류의 박막을 이용해서 시뮬레이션을 통해 4층 구조의 반사방지 코팅 구조를 설계한 후, 설계결과에 따라 각 박막의 두께를 순차적으로 변화시켜 증착하였다. 4층 구조 $Si_xO_y-Si_xN_y$의 반사도 측정 결과 550 [nm] 대역에서 1.7 [%]의 반사와 400 [nm]와 650 [nm] 영역에서 1 [%]의 반사를 보였으며, 가시광 영역에서 성공적인 "W" 형태의 반사방지 코팅 특성을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제4권4호
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• pp.416-427
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• 1994

비정질 $SiO_{2}$위에서 증착시킨 $Si_{1-x}Ge_x$합금의 증착온도에 따른 결정성, 미세구조와 조성의 균일성을 X선 회절법과 투과 전자현미겨으로 조사하였고, $Si_{1-x}Ge_x/Sio_2$계면을 고분해능 투과 전자현미경을 이용하여 원자단위로 관찰하였다. Ge의 몰분율을 0.3으로 놓고 증착온도를 $300^{\circ}C,400^{\circ}C,500^{\circ}C,600^{\circ}C,700^{\circ}C$로 변화시키며 Si-MBE로 증착된 박막은 , 분석 결과 $300^{\circ}C$에서는 비정질상만이 존재하였고 $400^{\circ}C$에서는 결정상과 비정질상이 공존하고 있었다. 두상은 $SiO_2$위에 함께 증착되었으나 초기 성장에서는 비정질상이 주로 성장되었으며 박막의 두께가 비정질층이 관찰되었다. $600^{\circ}C$이상에서는 결정상으로만 증착되었다. 증착된 다결정상은 주상성장을 하였다. 증착된 박막의 조성은 중착온도에 관계없이 균일하였으며, $Si_{1-x}Ge_x/Sio_2$계면은 다결정상이나 비정질상에 관계없이 평탄하였다.

• Journal of Information Display
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• 제13권3호
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• pp.97-100
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• 2012

We have conducted two kinds of the so-called charge-compensated aliovalent element substitutions to control the photoluminescence properties of $NaAlSiO_4:Eu^{2+}$ with a special focus on the enhancement of the excitation intensity at 400 nm. The aliovalent element substitutions include cation-cation and cation-anion co-substitutions according to the general formulas $Na_{1-x}M_xAl_{1+x}Si_{1-x}O_4:Eu^{2+}$ and $Na_{1-x}M_xAlSiO_{4-x}N_x:Eu^{2+}$ (M = $Mg^{2+}$, $Ca^{2+}$, and $Sr^{2+}$), respectively. The increase in the relative excitation intensity at 400 nm has been achieved in both types of the co-substitutions. Thus, the present research has demonstrated the effectiveness of the charge-compensated element substitution.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권3호
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• pp.96-101
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• 2001

본 연구에서는 열벽 적층 성장법으로 GaAs(100) 기판 위에 $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층을 성장하여 그 특성을 조사하였다. $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층의 Mn 조성비는 x = 0.97까지 얻을 수 있었으며 성장된 시료의 결정구조는 징크브랜드이었다. 성장된 면은 GaAs (100) 기판과 동일한 방향으로 성장되었다. 성장시 기판 온도가 $350^{\circ}C$에서 $400^{\circ}C$로 증가함에 따라 Mn 조성비 x는 0.02에서 0.23으로 증가하였다. $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층의 격자상수는 Mn 조성비 x가 증가할수록 선형으로 증가하였고 띠 간격 에너지는 x에 대하여 비선형으로 증가하였다.