• Title/Summary/Keyword: X-ray reflectometer

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Surface Characterization of the d-PMMA Thin Films Treated by Oxygen Plasma (산소 플라즈마 처리된 d-PMMA 박막의 표면특성 분석)

  • Kim, Soong-Hoon;Choi, Dong-Jin;Lee, Jeong-Su;Choi, Ho-Suk
    • Polymer(Korea)
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    • v.33 no.3
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    • pp.263-267
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    • 2009
  • In order to improve the hydrophilic property on the surface of d-PMMA(deuterated poly-(methyl methacrylate)) film, it was exposed to oxygen plasma, All experimental conditions were same except to plasma exposure time that was varied from 0 to 180 s, The effects according to the exposure time were identified using contact angles, X-ray reflectometer(XRR), neutron reflectometer(NR), and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). By confirming that as the exposure time increases, water contact angle decreases while the composition of oxygen increases, it was confirmed that the composition of oxygen has a huge influence on improving the hydrophilic property. The physical characters as a function of the exposure time were investigated by the XRR. By analyzing complementally the results of the XRR, NR, and XPS, more detailed chemical bonding conditions were studied by obtaining not only composition of the carbon and oxygen but that of the hydrogen.

Atomic Layer Deposition of Ruthenium Thin Film from Ru (cymene) (1,5-hexadiene) and O2

  • Jeong, Hyo-Jun;Jeong, Eun-Ae;Han, Jeong-Hwan;Park, Bo-Geun;Lee, Seon-Suk;Hwang, Jin-Ha;Kim, Chang-Gyun;An, Gi-Seok;Jeong, Taek-Mo
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.357.2-357.2
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    • 2014
  • Ruthenium (Ru) 박막은 우수한 화학적 열적 안정성 및 높은 일함수(4.7eV) 특성으로 인해 20 nm급 이하의 차세대 DRAM capacitor의 전극 물질 및 Cu metalization을 위한 seed layer로 각광을 받고 있다. Ru박막의 나노스케일 정보전자소자로의 적용을 위해서는 두께제어가 용이하고 3D 구조에서 우수한 단차 피복 특성을 갖는 atomic layer deposition (ALD)을 이용한 박막 형성이 필수적이다. 이에 본 연구에서는 ALD 방법을 이용하여 0가의(cymene) (1,5-hexadiene) Ru (0) (C16H24Ru) 전구체를 합성, ALD 방법을 이용하여 우수한 초기성장거동을 갖는 Ru 박막을 증착 하였다. 형성된 Ru 박막의 표면 형상, 두께, 밀도를 주사전자현미경(Scanning electron microscopy)과 X-선 반사율 측정(X-ray reflectometer)으로 조사하였다. 또한 전기적 특성을 4침법(four-point-probe)으로 측정하였고, 박막의 화학적 조성과 결정성의 정보를 X-선 광전자분광법(X-ray photoelectron spectroscopy)과 X-선 회절(X-ray diffraction)을 이용하여 확인하였다.

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이온빔 스퍼터를 이용한 산화물박막 제조 및 구조적특성 분석

  • Yu, Byeong-Yun;Bin, Seok-Min;Kim, Chang-Su;O, Byeong-Seong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.82-82
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    • 2011
  • 본 연구에서는 이온빔 스퍼터링 방법으로 증착한 Cr2O3, Ta2O5, HfO2 산화물박막의 구조적 특성변화를 관찰하였다. 금속박막에서 표면이 산화되는 문제를 해결하기위하여 산화물 박막을 증착시켰다. 이온빔 스퍼터링으로 박막 증착 시 산화물 타겟을 사용할 때 발생되는 전하의 영향을 상쇄하기 위하여 neutralizer를 사용하였다. 박막 증착 후 XRR (X-ray Reflectometer)을 이용하여 박막의 두께, 거칠기 및 밀도를 확인하였으며, AFM (Atomic Force MicroScope)을 통하여 증착한 박막표면 거칠기 측정을 하여 XRR로 얻은 데이터와 비교하여 살펴보았다. 또한 XPS (X-ray photoelectron spectroscopy)측정을 통해 제조된 박막의 화학적 결합상태를 확인하였다. 여러 가지 조건변화와 기판의 차이에 따라 제작된 산화물 박막 중 실리콘 기판을 사용하여 증착시킨 박막은 XRR측정시 반사율 곡선에서 자연 산화막에 의한 영향이 나타났다. 반면 glass나 sapphire에 증착시킨 산화물 박막은 실리콘기판에서 나타난 자연 산화막의 영향을 받지 않음을 확인하였다. 기판과 산화물 박막사이에 계면층에 나타나는 영향을 최소화시킴으로써 양질의 박막을 제작할 수 있을 것으로 기대된다.

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IBS로 증착된 산화물박막의 기판상태에 따른 XRR 특성 변화

  • Yu, Byeong-Yun;Bin, Seok-Min;Kim, Chang-Su;O, Byeong-Seong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.174-174
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    • 2010
  • 본 연구에서는 IBS(Ion Beam Sputter) 증착방법으로 Cr2O3, Ta2O5 타겟을 이용하여 single layer 산화물 박막을 제작하였다. IBS 박막 증착 시 발생하는 전하의 영향을 상쇄시키기 위하여 neutralizer를 사용하였다. 증착 시 기판을 si, quartz, 그리고 sapphire로 변화시켜 각 기판위에 증착한 산화물 박막에 대한 특성평가를 하였으며, 증착 전 기판 cleaning방법에 따른 변화도 같이 관찰하였다. 증착된 박막의 두께, 거칠기, 밀도 등을 평가하기 위해 XRR(X-ray Reflectometer)을 이용하여 살펴보았다. 기판, 박막두께, cleaning 등의 조건을 변화시켜 여러 종류의 박막을 만들었다. Sapphire 기판에 증착한 박막은 XRR 그래프의 변화가 생겼는데 cleaning과 곡률반경에 의한 영향임을 확인하였다. 다른 종류의 기판에서도 같은 현상이 있을 것으로 예상되고, 이런 영향은 IBS로 증착되는 산화물박막을 분석하는 데에 많은 도움이 될 것으로 기대된다.

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XRR 두께 표준물질용 $HfO_2 $ 박막 제작 및 특성평가

  • Yu, Byeong-Yun;Bin, Seok-Min;Jeon, Hyeon-Gu;O, Byeong-Seong;Kim, Chang-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.303-303
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    • 2012
  • X-선 반사율 측정법(XRR)은 비파괴적인 측정방법으로 수 nm의 두께를 정밀하게 측정할 수 있는 장점으로 반도체 산업현장에서 많은 관심과 연구가 이루어지고 있다. 이러한 XRR의 두께 측정 정밀도를 향상시키고 부정확한 결과를 방지하기 위하여 측정기기를 검증하고 보정할 수 있는 두께 표준물질을 필요로 하고 있다. 본 연구에서는 IBSD (ion beam sputtering deposition)와 ALD (atomic layer deposition)를 이용하여 5 nm, 10 nm의 $HfO_2$ 박막을 제작하고, XRR용 두께 표준물질로 응용할 수 있는지를 살펴보았다. 먼저 두께표준물질로 제작하기 위해서는 박막과 기판이 안정한 상태를 유지해야 한다. 이에 박막은 공기 중 노출에 의한 산화로 박막의 두께가 변할 수 있는 금속박막 대신에 공기 중에서도 안정한 산화물 박막인 $HfO_2$ 박막을 사용하고 기판은 Si wafer를 thermal공기 중에서도 안정한 산화물 박막인 $HfO_2$ 박막을 사용하고 기판은 Si wafer를 therma oxidation법을 이용하여 $1{\mu}m$ 두께로 제작한 비정질 $SiO_2$ 기판을 사용했다. 제작된 시료의 특성평가를 위해 XRR (X-ray reflectometer) 측정을 통해 두께, 거칠기 및 밀도를 확인하였고, TEM (transmission electron microscope)으로 두께 측정을 하여 XRR로 얻은 두께결과와 비교하였다. 측정결과를 확인하였을 때 두 증착 방법 중 ALD를 이용하여 제작한 시편에서는 박막과 기판사이의 interface가 sharp하여 반사율 곡선의 진폭이 크게 잘 나타났고 fitting 결과도 우수하여 IBSD로 증착한 시편보다 두께 표준물질로 응용하기에 더 적합하였다.

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The Effects of Thermal Decomposition of Tetrakis-ethylmethylaminohafnium (TEMAHf) Precursors on HfO2 Film Growth using Atomic Layer Deposition

  • Oh, Nam Khen;Kim, Jin-Tae;Ahn, Jong-Ki;Kang, Goru;Kim, So Yeon;Yun, Ju-Young
    • Applied Science and Convergence Technology
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    • v.25 no.3
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    • pp.56-60
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    • 2016
  • The ALD process is an adequate technique to meet the requirements that come with the downscaling of semiconductor devices. To obtain thin films of the desired standard, it is essential to understand the thermal decomposition properties of the precursors. As such, this study examined the thermal decomposition properties of TEMAHf precursors and its effect on the formation of $HfO_2$ thin films. FT-IR experiments were performed before deposition in order to analyze the thermal decomposition properties of the precursors. The measurements were taken in the range of $135^{\circ}C-350^{\circ}C$. At temperatures higher than $300^{\circ}C$, there was a rapid decrease in the absorption peaks arising from vibration of $Sp^3$ C-H stretching. This showed that the precursors experienced rapid decomposition at around $275^{\circ}C-300^{\circ}C$. $HfO_2$ thin films were successfully deposited by Atomic Layer Deposition (ALD) at $50^{\circ}C$ intervals between $150^{\circ}C$ to $400^{\circ}C$; the deposited films were characterized using a reflectometer, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Grazing Incidence X-ray Diffraction (GIXRD), and atomic force microscopy (AFM). The results illustrate the relationship between the thermal decomposition temperature of TEMAHf and properties of thin films.

Influence of Substrate Bias Voltage on the Electrical and Optical Properties of IWO Thin Films (기판 인가 전압에 따른 IWO 박막의 전기적, 광학적 특성)

  • Jae-Wook Choi;Yeon-Hak Lee;Min-Sung Park;Young-Min Kong;Daeil Kim
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.33 no.9
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    • pp.372-376
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    • 2023
  • Transparent conductive tungsten (W) doped indium oxide (In2O3; IWO) films were deposited at different substrate bias voltage (-Vb) conditions at room temperature on glass substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering and the influence of the substrate bias voltage on the optical and electrical properties was investigated. As the substrate bias voltage increased to -350 Vb, the IWO films showed a lower resistivity of 2.06 × 10-4 Ωcm. The lowest resistivity observed for the film deposited at -350 Vb could be attributed to its higher mobility, of 31.8 cm2/Vs compared with that (6.2 cm2/Vs) of the films deposited without a substrate bias voltage (0 Vb). The highest visible transmittance of 84.1 % was also observed for the films deposited at the -350 Vb condition. The X-ray diffraction observation indicated the IWO films deposited without substrate bias voltage were amorphous phase without any diffraction peaks, while the films deposited with bias voltage were polycrystalline with a low In2O3 (222) diffraction peak and relatively high intensity (431) and (046) diffraction peaks. From the observed visible transmittance and electrical properties, it is concluded that the opto-electrical performance of the polycrystalline IWO film deposited by RF magnetron sputtering can be enhanced with effective substrate bias voltage conditions.

Increase of Cardiometabolic Biomarkers Among Vehicle Inspectors Exposed to PM0.25 and Compositions

  • Ramdhan, Doni Hikmat;Kurniasari, Fitri;Tejamaya, Mila;Fitri, Aidila;Indriani, Aisyah;Kusumawardhani, Adinda;Santoso, Muhayatun
    • Safety and Health at Work
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    • v.12 no.1
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    • pp.114-118
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    • 2021
  • Background: Exposure to particulate matter (PM) emitted from vehicle exhaust might disrupt systemic function and elevate the risk of cardiovascular disease. In this study, we examined the changes of cardiometabolic biomarkers among vehicle inspectors exposed daily to PM0.25 and components. Methods: This cross-sectional study was conducted at two vehicle inspection centers, Pulogadung and Ujung Menteng, located in East Jakarta, Indonesia. The exposed respondents were 43 workers from vehicle inspection centers, and the unexposed group consisted of 22 staff officers working in the same locations. Vehicle exhaust particulate matter was measured for eight hours using a Leland Legacy personal pump attached to a Sioutas Cascade Impactor. The used filters were 25 and 37-mm quartz filters. The particulate matter concentration was analyzed using a gravimetric method, whereas trace elements were analyzed using energy dispersive X-ray fluorescence. An EEL Smoke Stain Reflectometer analyzed black carbon. Results: The personal exposure concentrations of PM0.25 were 10.4-fold higher than those in unexposed groups. Calcium and sulfur were the major components in the obtained dust, and their levels were 3.3- and 7.2-fold higher, respectively, in the exposed group. Based on an independent-samples t-test, high-density lipoprotein, triglyceride, HbA1c, total immunoglobulin E, high-sensitivity C-reactive protein, tumor necrosis factor-alpha, and nitric oxide levels were significantly different between the groups. Conclusions: In summary, it was suggested that PM0.25 exposure from vehicle exhaust might affect cardiometabolic biomarkers change.