• Title/Summary/Keyword: X-ray Diffractometer

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ZnO thin film deposition at low temperature using ALD (ALD를 이용한 저온에서의 ZnO 박막 증착)

  • Kim, H.S.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.16 no.3
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    • pp.205-209
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    • 2007
  • ZnO thin films were deposited on a Si wafer and a soda lime glass using atomic layer deposition(ALD). The substrate temperature were between $130^{\circ}C{\sim}150^{\circ}C$. The deposition rate of the ZnO film was measured to be $2.72{\AA}$ per cycle. The films were analyzed using field emission scanning electron microscopy(FESEM), X-ray diffractometer(XRD), and Auger electron spectroscopy(AES). Impurity-free ZnO thin films were obtained and the crystallinity was found to be dependant upon the substrate temperature.

The Analysis of CdS and CdTe Thin Film at the Processes of Manufacturing CdTe Solar Cells (CdTe 태양전지 제조 공정에 따라 변화하는 CdS와 CdTe 박막의 물성 변화 분석)

  • Chun, Seungju;Jung, Younghun;Choi, Suyoung;Tark, Sung Ju;Kim, Jihyun;Kim, Donghwan
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2011.05a
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    • pp.106.2-106.2
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    • 2011
  • 다층 박막 구조로 이루어진 CdS/CdTe 태양전지의 경우, 각각의 박막이 다양한 제조 공정을 거치면서 물성특성의 변화를 겪게 된다. 각각의 박막이 고온의 열처리 공정과, $CdCl_2$ 용액 처리 및 후면 산화막 제거 공정 등을 거치게 되면서 겪게 되는 물성 변화 분석을 살펴보고자 한다. 각각의 박막 제조 방식은 일반적으로 사용되는 방식으로, CdS의 경우는 용액성장법(Chemical Bath Deposition, CBD), CdTe의 경우는 근접승화법(Closed Space Sublimaition, CSS)을 사용했으며, X-Ray Diffractometer (XRD), Raman spectroscopy, Field Emission Scanning Electron Microscope (FE-SEM), Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) 등을 이용하여 분석하였다. 각각의 셀 제조 공정을 거치면서 CdS, CdTe 박막들은 결정, 광 특성, 성분 변화를 보였다.

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Evaluation of Hydrocortisone Sustained-Release Suppositories Prepared with Eudragit-Polyethylene Glycol Solid Matrix (유드라짓 및 폴리에틸렌글리콜 고체 매트릭스로 제조한 히드로코르티손 좌제의 서방성 평가)

  • Han, Kun;Kim, Hak-Hyung
    • Journal of Pharmaceutical Investigation
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    • v.20 no.1
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    • pp.13-18
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    • 1990
  • Hydrocortisone (HC) sustained-release suppositories were prepared by using a solid matrix of methacrylic acid-methacrylic acid methyl ester copolymer $(Eudragit\;L_{100}^{R}:\;EL)$ as a poorly water soluble carrier and polyethylene glycole 1540 (PEG) as an water soluble carrier. HC release rate was controlled by complexation with ${\beta}-cyclodextrin$ $({\beta}-CyD)$ which was confirmed by X-ray diffractometry, IR-spectroscopy and differential scanning calorimetry. Release rate of HC from the EL-PEG matrix suppositories decreased with increase of EL contents. The release rale from $HC-{\beta}-CyD$ complex decreased in the following order: $HC-{\beta}-CyD/PEG$ > HC/PEG > $HC-{\beta}-CyD/EL_{10%}-PEG$ > $HC/EL_{10%}-PEG$ > $HC-{\beta}-CyD/EL_{15%}-PEG$ > $HC/EL_{15%}-PEG$ > $HC-{\beta}-CyD/EL_{20%}-PEG$ > $HC/EL_{20%}-PEG$. The crystallinity of HC in polymer matrix was identified using X-ray diffractometer and the surface of matrix suppositories after release test was examined by scanning electron microscopy. The sustained release of HC from these matrix suppositories was attributed to the network structure of EL.

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A Study on the Microstructures of Rapidly Solidified Ti-($45{\sim}58at%$)Al Intermetallic Compound (급속응고된 TiAl 금속간화합물의 Al함량 변화에 따른 미세조직변화에 관한 연구)

  • Kim, Jae-Hoon;Jeoung, Tae-Ho;Nam, Tae-Woon
    • Journal of Korea Foundry Society
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    • v.18 no.6
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    • pp.550-554
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    • 1998
  • The microstructures of rapidly solidified binary Ti-Al alloys containing $45{\sim}58\;at%Al$ have been studied using C/S (carbon/sulfur), N/O (nitrogen/oxygen) analyser, X-ray fluorescence spectrometer (XRF), X-ray diffractometer (XRD), optical microscope (OM) and scanning electron microscope (SEM). The phases present in the alloys and their distribution were found to be a sensitive function of Al content. Essentially single-phase (${\gamma}$) microstructures were observed to alloys with 45 at%Al, 55 at%Al and 58 at%Al. In other content alloys, two phase (${\alpha}_2$, ${\gamma}$) microstructures were observed. The 48 at%Al, 52 at%Al alloys contain (${\gamma}+{\alpha}_2$) phase and ${\alpha}_2$ phase. These results indicate that rapid solidification affect the solidification path, then metastable phase forming during solidification.

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Intercalation of Polycarbonate/Montmorillonite Nanocomposites (폴리카보네이트와 몬모릴로나이트 나노복합체의 층간삽입)

  • 이양훈;홍성권;윤광수;최일석;이성구
    • Polymer(Korea)
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    • v.25 no.6
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    • pp.818-825
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    • 2001
  • Polycarbonate(PC)/montmorillonite (MMT) nanocomposites were prepared by solution and melt mixing methods. A d-spacing of the nanocomposites was measured by an X-ray diffractometer. Neat montmorillonite (MMT-Na) and MMTs modified by dodecyl ammonium (MMT-DA) or dimethyl hydrogenated tallow 2-ethylhexyl ammonium (MMT-25A) were used. The d-spacing value of PC/MMT-25A and PC/MMT-DA was higher than that of PC/MMT-Na. The d-spacing increased from around 12 to $37AA$ depending on the mixing method. PC was more readily introduced to the gallery of MMT as the molecular weight of PC reduced and the mixing time increased. PC/MMT-25A showed higher thermal stability by thermogravimetric analysis (TGA) than PC/MMT-DA and PC/MMT-Na.

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Effect of Sputtering Parameter on the Deposition Behavior of TiO2 Thin Film (TiO2 박막의 증착거동에 미치는 스퍼터링 공정변수의 영향)

  • Kim, Eul-Soo;Lee, Gun-Hwan;Kwon, Sik-Chol;Ahn, Hyo-Jun
    • Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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    • v.14 no.1
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    • pp.8-16
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    • 2003
  • $TiO_2$ thin films were deposited by DC reactive magnetron sputtering with variations in sputtering parameter such as Ar and $O_2$ flow rate, DC power, substrate temperature and magnetic field. Deposition rate, crystal structure, chemical bond of $TiO_2$ films on the deposition conditions were investigated by Alpha-step, X-ray Diffractometer(XRD), X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS). When the DC power was applied at 500watt, deposition rate of $TiO_2$ film was about 480A/min. $TiO_2$ films coated under the deposition condition of 15sccm Ar and 7~10sccm $O_2$ flow rate was only observed anatase phase. With increasing substrate temperature from RT to $300^{\circ}C$, crystal orientation of $TiO_2$ films variously became.

YSZ(yttria-stablilized ziroconia) 박막을 이용한 센서셀의 산소감응

  • 배정운;박준용;황순원;김기동;조영아;전진석;최동수;염근영
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.128-128
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    • 1999
  • 산소이온 전도체로 잘 알려진 Yttira-Stabilizd Ziroconia(TSZ)는 연료전지, oxygen pumps, chemical gas sensor 등 다양한 electrochemical divices에 이용되는 고체 전해질의 하나이다. 특히 YSZ는 oxygen 및 oxygen과 평형상태에 있는 gas들을 검출하는 sensor의 electrolyte로서 가장 많이 쓰이고 있다. 현재 상용화되어 있는 YSZ Sensor는 전통적인 bulk 형태의 ceramic으로 제작된 것으로 충분한 ionic conductivity를 얻기 위해서는 $600^{\circ}C$이상의 operating temperature를 필요로 하나 YSZ를 박막으로 제조시 낮은 operating temperature를 뿐만 아니라 sensor의 소형화, 낮은 ohmic loss 및 다양한 응용이 가능한 장점을 가질 수 있다. 본 실험에서는 산소 이온 전도체로서 8mol%-YSZ 고체전해질을 RF-magnetron bias sputtering 법을 이용하여 증착하였다. 제조된 YSZ 박막을 이용한 산소감응 센서셀 구조는 SiO2/Ni-NiO/Pt/YSZ/Pt-기판이다. 센서셀의 정상상태에서의 기전력(electromotive force ; EMF)을 산소분압(Po:1.013$\times$103Ta ~1.013$\times$105Pa)과 측정온도(30$0^{\circ}C$~$700^{\circ}C$)를 변화시키며 측정하였다. 이론적인 기전력과 측정값 사이의 편차는 Po:1.565$\times$104Pa 이하의 산소분압에서는 컸지만 이 이상의 분압에서는 이론치에 근접한 값을 가졌다. 증착한 YSZ와 Ni-NiO 박막의 구조는 X-ray diffractometer(XRD)를 이용하여 결정구조를 알아 보았고, TSZ 박막의 표면 morphology 관찰은 Scanning electron microscopy(SEM) 이용하였다. 박막의 조성분석은 X-ray energy dispersive analysis(EDX)을 사용하였다.

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아연을 코팅한 테프론 기판 위에 성장된 산화아연 박막의 후열처리 효과

  • Kim, Ik-Hyeon;Park, Hyeong-Gil;Kim, Yeong-Gyu;Nam, Gi-Ung;Yun, Hyeon-Sik;Park, Yeong-Bin;Mun, Ji-Yun;Park, Seon-Hui;Kim, Dong-Wan;Kim, Jin-Su;Kim, Jong-Su;Im, Jae-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.291.1-291.1
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    • 2014
  • 산화아연 박막은 아연이 코팅된 테프론 기판 위에 졸-겔 스핀코팅 방법을 이용하여 각기 다른 후열처리 온도에서 제작되었다. 산화아연 박막의 후열처리 온도에 따른 구조적, 광학적 특성은 field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray diffractometer, and photoluminescence spectroscope를 이용하여 분석하였다. 후열처리 온도를 달리하여 성장한 모든 산화아연 박막은 수지상(dendrite) 구조를 가지고 있으며, 이 수지상 구조 위에 약 20 nm의 산화아연 입자들이 성장되었다. 후열처리 온도가 증가함에 따라 c-축 배향성이 우세하게 나타났으며, 인장응력도 증가하였다. 후열처리 온도 $400^{\circ}C$에서 Near-band-edge emission (NBE) 피크는 적색편이(red-shift) 하였고, 후열처리 온도가 증가함에 따라 deep-level emission (DLE) 피크의 세기는 감소하였다. 또한 $400^{\circ}C$의 후열처리 온도에서 NBE 피크의 반치폭(FWHM)이 가장 작았으며, INBE/IDLE의 비율이 가장 높았다. 따라서 $400^{\circ}C$의 후열처리 공정에 의해 결정성 및 광학적 특성이 가장 우수한 산화아연 박막을 얻을 수 있었다.

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전기전착법으로 성장된 산화아연 나노막대에서 용액 농도, 전류, 온도, 시간이 미치는 효과

  • Park, Yeong-Bin;Nam, Gi-Ung;Mun, Ji-Yun;Park, Seon-Hui;Park, Hyeong-Gil;Yun, Hyeon-Sik;Kim, Yeong-Gyu;Ji, Ik-Su;Kim, Ik-Hyeon;Kim, Dong-Wan;Kim, Jong-Su;Kim, Jin-Su;Im, Jae-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.289.2-289.2
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    • 2014
  • 본 연구에서는 전기증착법 정전류 방법으로 ITO 유리기판 위에 ZnO 나노막대를 성장하였다. 성장 매개 변수로 용액 농도, 전착 전류, 용액 온도 및 성장 시간으로 하였고, 성장된 ZnO 나노막대는 field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffractometer, photoluminescence를 이용하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 시료에서 ZnO 나노막대는 wurtzite 형태의 결정 구조를 가지고, c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO(002) 회절피크가 나타났다. 용액 농도와 전착 전류가 감소함에 따라 ZnO 나노막대의 밀도 및 직경이 감소하였다. 또한, ZnO 나노막대는 성장 온도가 증가함에 따라 직경이 줄어들었고, 성장 시간이 증가함에 따라 ZnO 나노막대의 길이는 늘어났다. 모든 ZnO 나노막대 시료는 자유 엑시톤 재결합에 의해서 3.18 eV, 산소공공에 의한 결함에 의해서 2.32~1.86 eV의 피크가 관찰되었다. ZnO 나노막대의 직경이 작아질수록 NBEE 피크의 세기가 감소하고, 용액의 농도가 증가함에 따라 NBEE 피크는 청색편이 하였다.

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Indium-free Sn based oxide thin-film transistors using a solution process

  • Im, Yu-Seung;Kim, Dong-Rim;Jeong, Ung-Hui;Kim, Si-Jun;Kim, Hyeon-Jae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.251-251
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    • 2011
  • 본 연구에서는 Zr이 도핑 된 ZnSnO (ZZTO) 기반의 물질을 액상공정을 이용하여 합성하고, 박막트랜지스터를 제작하였다. 출발 물질로써 지르코늄 클로라이드 (ZrCl4), 아연 아세테이트 디하이드레이트 ($Zn(CH_3COO)_2{\cdot}2H_3O$), 틴 클로라이드 ($SnCl_2$)를 아연과 주석 프리커서의 비율을 4:7로 고정하고, 지르코늄 프리커서의 몰비를 변형시켜 제작하였다. 제작된 솔루션은 0.25몰의 몰 농도로 고정하였다. 솔벤트로는 2-메톡시에탄올 (2-methoxyethanol)을 사용하였으며, 준비된 솔루션은 $0.2{\mu}m$ 필터를 이용하여 필터링을 실시하였다. Heavily doped p+ Si 기판에 열적 산화법을 이용하여 120 nm 두께의 $SiO_2$를 성장시킨 것을 게이트 및 게이트 절연막으로 이용하였으며, 스핀코팅을 이용하여 ZZTO 박막을 코팅하였다. 코팅 된 기판은 $300^{\circ}C$에서 $500^{\circ}C$ 사이로 2시간 열처리를 실시하였으며, 마지막으로 소오스/드레인을 스퍼터링법으로 Al을 증착하였다. Zr 함량비, 열처리 온도, 제작된 솔루션의 온도에 따른 박막단계를 파악하기 위해 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), thermogravimetry differential thermal analyzer (TG-DTA), X-ray diffractometer (XRD), high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM), Hall-effect measurement, UV-Vis spectroscopy 분석을 실시하였으며, 제작된 소자는 semiconductor analyzer (HP4156C)를 이용하여 측정하였다.

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