Journal of the Korean Data and Information Science Society
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v.10
no.1
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pp.243-250
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1999
We consider $Y=X{\lambda}Z,\;{\lambda}>0$, where X and Z are independent random variables, and Y is the length biased distribution or the equilibrium distribution of X. The purpose of this paper is to consider the distribution of X or Y when the distribution of Z is given and the distribution of Z when the distribution of X or Y is given, In particular, we obtain that the necessary and sufficient conditions for X to be $X^{2}({\upsilon})\;is\;Z{\sim}X^{2}(2)\;and\;for\;Z\;to\;be\;X^{2}(1)\;is\;X{\sim}IG({\mu},\;{\mu}^{2}/{\lambda})$, where $IG({\mu},\;{\mu}^{2}/{\lambda})$ is two-parameter inverse Gaussian distribution. Also we show that X is smaller than Y in the reverse Laplace transform ratio order if and only if $X_{e}$ is smaller than $Y_{e}$ in the Laplace transform ratio order. Finally, we can get the results that if X is smaller than Y in the Laplace transform ratio order, then $Y_{L}$ is smaller than $X_{L}$ in the Laplace transform order, and that if X is smaller than Y in the reverse Laplace transform ratio order, then $_{\mu}X_{L}$ is smaller than $_{\nu}Y_{L}$ in the Laplace transform order.
The Poly-S $i_{1-x}$G $e_{x}$ thin films were deposited on oxidized Si wafer by RTCVD(rapid thermal chemical vapor deposition) using Si $H_4$and Ge $H_4$, at 450 ~5$50^{\circ}C$. The variation of Ge mole fraction and the deposition rate of S $i_{1-x}$G $e_{x}$ thin film were studied as a function of the deposition temperature and the Ge $H_4$/Si $H_4$input ratio, and the crystal phase and the surface roughness were studied by XRD and AFM(atomic force microscopy), respectively. The experimental results showed that the activation energy for the deposition of poly-S $i_{1-x}$G $e_{x}$ was about 32~37Kca /mol and the deposition rate of S $i_{1-x}$G $e_{x}$ thin films was increased with increasing the deposition temperature and the input ratio. From the analysis of composition, it was known that the Ge mole fraction within the poly-S $i_{1-x}$G $e_{x}$ thin film was decreased with decreasing the input ratio and increasing the deposition temperature. As-deposited S $i_{1-x}$G $e_{x}$ thin films were polycrystalline over the entire experimental range. But those were amorphous at the deposition temperature of 450, 475$^{\circ}C$ and the input ratio of 0.05. By adding the Ge $H_4$, poly-S $i_{1-x}$G $e_{x}$ thin film were deposited at relatively lower deposition temperatures($\leq$ 5$50^{\circ}C$) than those of conventional poly-Si(>$600^{\circ}C$). From surface roughness measurement of poly-S $i_{1-x}$G $e_{x}$ it was found that the surface roughness( $R_{i}$ ) increased with increasing the deposition temperature and input ratio.and input ratio.
Ternary semiconductor $Al_{x}$G $a_{1-x}$ Sb crystals which have energy gap of 0.7eV-1.6 eV at room temperature according to the composition ratios were grown by the vertical Bridgman method. The characteristics of the crystals were investigated by XRD, HRTEM and Hall effect. The lattice constants of $Al_{x}$G $a_{1-x}$ Sb crystals were varied from 6.096A over .deg. to 6.135A over .deg. with the composition ratio x. The Hall effect of the $Al_{x}$G $a_{1-x}$ Sb crystals were measured by van der Pauw method with the magnetic field of 3 kilogauss at room temperature. The resistivities of Te-doped $Al_{x}$G $a_{1-x}$ Sb crystals were increased from 0.071 to 5 .OMEGA.-cm at room temperature according to the increment of the composition ratio x. The mobilies of $Al_{x}$G $a_{1-x}$ Sb crystals varied with the composition ratio x resulted in the following three different regions of GaSb-like (0.leq.x.leq.0.3), intermediate (0.3.leq.x.leq.0.4) and AlSb-like (0.4.leq.x.leq.l).q.l).q.l).q.l).
KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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v.11
no.12
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pp.6188-6204
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2017
Over the years, more password-based authentication key agreement schemes using chaotic maps were susceptible to attack by off-line password guess attack. This work approaches this problem by a new method--new theorem of chaotic maps: $T_{a+b}(X)+T_{a-b}(X)=2T_a(X)T_b(X)$,(a>b). In fact, this method can be used to design two-party, three-party, even in N-party intelligently. For the sake of brevity and readability, only a two-party instance: a novel Two-party Password-Authenticated Key Agreement Protocol is proposed for resisting password guess attack in this work. Compared with the related literatures recently, our proposed scheme can be not only own high efficiency and unique functionality, but is also robust to various attacks and achieves perfect forward secrecy. For capturing improved ratio of security and efficiency intuitively, the paper firstly proposes a new parameter called security/efficiency ratio(S/E Ratio). The higher the value of the S/E Ratio, the better it is. Finally, we give the security proof and the efficiency analysis of our proposed scheme.
Journal of the Korean Data and Information Science Society
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v.25
no.1
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pp.219-226
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2014
In this paper, we derived estimators of reliability P(Y < X) and the distribution of ratio in the bivariate exponential density. We also considered the means and variances of M = max{X,Y} and m = min{X,Y}. We finally presented how E(M), E(m), Var(M) and Var(m) are varied with respect to the ones in the bivariate exponential density.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.19
no.1
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pp.87-98
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1995
When the crack in orthotropic material is propagating under dynamic model I load, influences of anisotropic property ratio $E_{L}$/ $E_{T}$ on stress and displacement around propagating crack tip are studied in this paper. When M<0.55 and .alpha.=90.deg.(.alpha.; the angle of fiber direction with crack propagating direction, M; crack propagation velocity/shear stress wave velocity), the influence of $E_{L}$/ $E_{T}$ on stress .sigma.$_{x}$, .sigma.$_{y}$, .tau.$_{xy}$ and .sigma.$_{\theta}$ is the greast on .sigma.$_{y}$. Except M<0.55 and .alpha.=90.deg., it is the greast on .sigma.$_{x}$ in any situation. Increasing $E_{L}$/ $E_{T}$, stress components are increased or decreased. When maximum stress is based, the stress .sigma.$_{x}$(.alpha.=90.deg.), .sigma.$_{y}$(.alpha.=0.deg.) and .tau.$_{xy}$ (.alpha.=90.deg.) are decreased with increment of $E_{L}$/ $E_{T}$ in M=0. any stresses except .sigma.$_{*}$x/(.alpha.=0.deg.) are decreased with increment of $E_{L}$/ $E_{T}$ in M=0.9. When .alpha.=90.deg., the influence of $E_{L}$/ $E_{T}$ on displacement U and V is V>U in any velocities of crack propagation, when .alpha.=0.deg., it is VU in M>0.75 and when $E_{L}$/ $E_{T}$ is increased, U and V are decreased in any conditions.sed in any conditions.tions.tions.tions.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1996.11a
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pp.207-213
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1996
A ternary compound semiconductor $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb crystals which have energy gap from 0.7eV to 1.6ev at room temperature with the composition ratio were grown by using the vertical Bridgman method. The characteristics of $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb were investigated in this study. The lattice constants of $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb crystals with the composition ratio were appeared from 6.096$\AA$ to 6.135$\AA$ with the composition ratio. The electrical properties of the $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb crystals measured the Hall effect by van der Pauw method at the magnetic field of 3 kilogauss and at room temperature. The resistivity of Te-doped $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb crystals increased from 0.771 $\Omega$-cm to 5 $\Omega$-cm at room temperature with increasing the composition ratio. The mobility of Te-doped $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb crystals varied with the composition ratio x, within the following three different regions, such as GaSb-like (0$\leq$x$\leq$0.3), intermediate (0.3$\leq$x$\leq$0.4) and AlSb-like (0.4$\leq$x$\leq$1).eq$1).
We examined the effect of soil:water ratio on the equivalent concentration of individual electrolyte species and the electrical conductivities (EC) of the diluted extracts of 24 soil samples (loam or silt loam) collected from rose-cultivated plastic houses to estimate the EC of saturated soil-paste extracts (ECe) from diluted soil extracts. With increasing volume ratio of water (higher dilution), the equivalent concentrations of each electrolyte species and their sum increased. The relative contribution to the EC, however, was highest for $NO_3{^-}$, irrespective of soil:water ratio. The measured ECe was 6.36 for loam and $8.09dS\;m^{-1}$ for silt loam soils and the corresponding soil:water ratio was 0.38 and 0.50, respectively. The EC_e estimated from the EC of diluted extracts at 1:1, 1:2, or 1:5 soil:water ratios using their corresponding uniform diluted factors was lower than the measured EC_e and this difference was greater with higher dilution and EC values. Therefore, the alternative diluted factors (y) for each soil: water ratio were obtained following the definition of diluted factor and were correlated significantly with volume ratios of added water (x): y=1.55x+0.5 for loam and y=1.21x+0.48 for silt loam soils. On the other hand, correlation analyses of the EC of soil extracts (y) to the volume ratio of added water (x) on log-log scale yielded linear models: logy = -0.805logx + logb, SD of slope=0.05, b=sample specific constant, n=24). With known saturation percentage of a sample representing a group and and the EC of diluted extract of a given soil, the EC_e could be predicted using the proposed logarithmic equation.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.28
no.7
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pp.428-432
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2015
Sintering and microwave dielectric properties of $Zn_{2-2x}Si_{1+x}O_4$ (x=0~0.10) ceramics were investigated. The secondary phase of ZnO was observed in the specimen for x=0 whereas $SiO_2$ was detected in that for x=0.05. The composition of $Zn_2SiO_4$ might be close to x=0.02, i.e., $Zn_{1.96}Si_{1.02}O_4$; the ratio of Zn/Si is 1.922. The insufficient grain growth was observed in the specimen of x=0. For the specimens of $x{\geq}0.05$, the grain growth sufficiently occurred through the liquid phase sintering. The value of quality factor of all specimens was dependent on the x value, i.e., the ratio of Zn/Si, whereas that of dielectric constant was independent. Relative density, dielectric constant, and quality factor ($Q{\times}f$) of the specimen for x=0.05, i.e., $Zn_{1.9}Si_{1.05}O_4$, sintered at $1,400^{\circ}C$ were 96.5%, 6.43, and 115,166 GHz, respectively.
The diastereoselectivity in the photocyclization of α-(o-ethylphenyl)acetophenone(1) to 1-methyl-2-phenyl-2-indanol was studied in zeolites X and Y, and compared with that in isotropic solvents. The yields of E-diastereomer at the irradiation of 1 in protic solvents were higher than those in aprotic solvents. The ratios of E-diastereomer to Z-diastereomer in zeolites X and Y were much higher than those in isotropic solvents. The E/Z ratios at the irradiation of 1 in zeolites X were also found to be dependent on the cations present. As the cation size increased from Li+ to Cs+, the ratio decreased. However, any pattern in the E/Z ratios was not found in zeolites Y. The diastereoselectivity observed in the zeolites was interpreted by the conformational restriction imposed by the cavity size. An efficient oxidation of 1 in zeolites RbX and CsX was also observed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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