The efficiency of artificial insemination (AI) for horses remains unsatisfactory. It is mainly because each process of AI causes a detrimental effect on semen quality. To sustain quality of semen properly, several factors including libido of stallions and sperm damage during sperm processing and preservation should be considered. Stallions with decent libido produce a high ratio of sperm to seminal plasma in their ejaculates, which is the ideal semen composition for maintaining sperm quality. Thus, to maximize the fertility rate upon AI, stallions should be appropriately managed to enhance their libido. Seminal plasma should have a positive effect on horse fertility in the case of natural breeding, whereas the effects of seminal plasma on both sperm viability and quality in the context of AI remain controversial. Centrifugation of semen is performed during semen processing to remove seminal plasma and to isolate fine quality sperm from semen. However, the centrifugation process can also result in sperm loss and damage. To solve this problem, several different centrifugation techniques such as Cushion Fluid along with dual and single Androcoll-E$^{TM}$ were developed to minimize loss of sperm and to damage at the bottom of the pellet. Most recently, a new technique without centrifugation was developed with the purpose of separating sperm from semen. AI techniques have been advanced to deliver sperm to optimal region of female reproductive tract at perfect timing. Recombinant equine luteinizing hormone (reLH) and low dose insemination techniques have been developed to maximize both fertility rate and the efficiency of AI. Horse breeders should consider that the entire AI procedure should be optimized for each stallion due to variation in individual horses for a uniformed AI protocol.
Background: The combined effect of the low energy electron (LEE) irradiation and $Cu^{2+}$ ion on DNA damage was investigated. Materials and Methods: Lyophilized pBR322 plasmid DNA films with various concentrations (1-15 mM) of $Cu^{2+}$ ion were independently irradiated by monochromatic LEEs with 5 eV. The types of DNA damage, single strand break (SSB) and double strand break (DSB), were separated and quantified by gel electrophoresis. Results and Discussion: Without electron irradiation, DNA damage was slightly increased with increasing Cu ion concentration via Fenton reaction. LEE-induced DNA damage, with no Cu ion, was only 6.6% via dissociative electron attachment (DEA) process. However, DNA damage was significantly increased through the combined effect of LEE-irradiation and Cu ion, except around 9 mM Cu ion. The possible pathways of DNA damage for each of these different cases were suggested. Conclusion: The combined effect of LEE-irradiation and Cu ion is likely to cause increasing dissociation after elevated transient negative ion state, resulting in the enhanced DNA damage. For the decrease of DNA damage at around 9-mM Cu ion, it is assumed to be related to the structural stabilization due to DNA inter- and intra-crosslinks via Cu ion.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.05a
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pp.99-102
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1999
A mixture which was made from organic gel, glass powder and ceramic powder was masklessly etched for fabrication of barrier rib of PDP(Plasma Display Panel) by focused Ar$^{+}$ laser( λ =514 nm) and Nd:YAG(λ =532, 266 nm) laser irradiation at the atmosphere. The depth of the etched grooves increases with increasing a laser fluence and decreasing a scan speed. Using second harmonic of Nd:YAG laser, the threshold laser fluence was 6.5 mJ/$\textrm{cm}^2$ for the sample of PDP barrier rib softened at 12$0^{\circ}C$. The thickness of 130 ${\mu}{\textrm}{m}$ of the sample on the glass was clearly removed without any damage on the glass substrate by fluence of 19.5 J/$\textrm{cm}^2$....
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.105-105
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2012
We have developed a photoemission-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition (PAPE-CVD) [1,2], in which photoelectrons emitting from the substrate surface irradiated with UV light ($h{\nu}$=7.2 eV) from a Xe excimer lamp are utilized as a trigger for generating DC discharge plasma as depicted in Fig. 1. As a result, photoemission-assisted plasma can appear just above the substrate surface with a limited interval between the substrate and the electrode (~10 mm), enabling us to suppress effectively the unintended deposition of soot on the chamber walls, to increase the deposition rate, and to decrease drastically the electric power consumption. In case of the deposition of DLC gate insulator films for the top-gate graphene channel FET, plasma discharge power is reduced down to as low as 0.01W, giving rise to decrease significantly the plasma-induced damage on the graphene channel [3]. In addition, DLC thickness can be precisely controlled in an atomic scale and dielectric constant is also changed from low ${\kappa}$ for the passivation layer to high ${\kappa}$ for the gate insulator. On the other hand, negative electron affinity (NEA) of a hydrogen-terminated diamond surface is attractive and of practical importance for PAPECVD, because the diamond surface under PAPE-CVD with H2-diluted (about 1%) CH4 gas is exposed to a lot of hydrogen radicals and therefore can perform as a high-efficiency electron emitter due to NEA. In fact, we observed a large change of discharge current between with and without hydrogen termination. It is noted that photoelectrons are emitted from the SiO2 (350 nm)/Si interface with 7.2-eV UV light, making it possible to grow few-layer graphene on the thick SiO2 surface with no transition layer of amorphous carbon by means of PAPE-CVD without any metal catalyst.
Modulated Pulse Power (MPP) magnetron sputtering is a new high-power pulsed magnetron sputtering (HPPMS) technology which overcomes the low deposition rate problem by modulating the pulse voltage shape, amplitude, and the duration. Highly ionized magnetron sputtering can be performed without arcing because it can be controlled as multiple steps of micro pulses within one overall pulse period in the range of 500-3,000 ${\mu}s$. In this study, the various waveforms of discharge voltage and current for micro pulse sets of MPP were investigated to find the possibility of controlling the strongly ionized plasma mode. Enhanced ionization of the sputtered metal atoms was obtained by OES. Large grained columnar structure can be grown by the strongly ionized plasma mode in the AZO deposition using MPP. In the most highly ionized deposition condition, the preferred orientation of (002) plane decreased, and the resistivity, therefore, increased by the plasma damage.
PURPOSE. This study was conducted to evaluate the effects of plasma treatment of sandblasted and acid-etched (SLA) titanium implants on surface cleansing and osseointegration in a beagle model. MATERIALS AND METHODS. For morphological analysis and XPS analysis, scanning electron microscope and x-ray photoelectron spectroscopy were used to analyze the surface topography and chemical compositions of implant before and after plasma treatment. For this animal experiment, twelve SLA titanium implants were divided into two groups: a control group (untreated implants) and a plasma group (implants treated with plasma). Each group was randomly located in the mandibular bone of the beagle dog (n = 6). After 8 weeks, the beagle dogs were sacrificed, and volumetric analysis and histometric analysis were performed within the region of interest. RESULTS. In morphological analysis, plasma treatment did not alter the implant surface topography or cause any physical damage. In XPS analysis, the atomic percentage of carbon at the inspection point before the plasma treatment was 34.09%. After the plasma treatment, it was reduced to 18.74%, indicating a 45% reduction in carbon. In volumetric analysis and histometric analysis, the plasma group exhibited relatively higher mean values for new bone volume (NBV), bone to implant contact (BIC), and inter-thread bone density (ITBD) compared to the control group. However, there was no significant difference between the two groups (P > .05). CONCLUSION. Within the limits of this study, plasma treatment effectively eliminated hydrocarbons without changing the implant surface.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.327-327
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2011
A nonthermal bioplasma source was developed for application to human liquid fluids by making use of nano-size tungsten tips. Characteristics of the plasma source are investigated. Here we have used the AC voltage system. The bioplasma source generated by a tungsten tip with quartz tube and ground electrode is a low-temperature plasma without making any noticeable damage to cells at a low power operation. The breakdown voltage and current signals are measured by high voltage probe (Tektronix P6015A) and current probe (P6021). Variation of breakdown temperature near the tip electrode is larger than that in the neighborhood of ground electrode. Bubble formation during discharge has been recorded and investigated by using the high speed camera. The existence and behavior of hydroxyl and superoxide radicals are detected and measured by spectrometers. The electrical and optical properties of breakdown characteristics are also investigated.
This study investigated the effects of magnetized water supplementation on blood glucose, DNA damage, antioxidant status, and lipid profiles in streptozotocin (STZ)-induced diabetic rats. There were three groups of 4-week-old male Sprague-Dawley rats used in the study: control group (normal control group without diabetes); diabetes group (STZ-induced diabetes control); and magnetized water group (magnetized water supplemented after the induction of diabetes using STZ). Before initiating the study, diabetes was confirmed by measuring fasting blood glucose (FBS > 200 dl), and the magnetized water group received magnetized water for 8 weeks instead of general water. After 8 weeks, rats were sacrificed to measure the fasting blood glucose, insulin concentration, glycated hemoglobin level, degree of DNA damage, antioxidant status, and lipid profiles. From the fourth week of magnetized water supplementation, blood glucose was decreased in the magnetized water group compared to the diabetes group, and such effect continued to the 8th week. The glycated hemoglobin content in the blood was increased in the diabetes group compared to the control group, but decreased significantly in the magnetized water group. However, decreased plasma insulin level due to induced diabetes was not increased by magnetized water supplementation. Increased blood and liver DNA damages in diabetes rats did significantly decrease after the administration of magnetized water. In addition, antioxidant enzyme activities and plasma lipid profiles were not different among the three groups. In conclusion, the supplementation of magnetized water not only decreased the blood glucose and glycated hemoglobin levels but also reduced blood and liver DNA damages in STZ-induced diabetic rats. From the above results, it is suggested that the long-term intake of the magnetized water over 8 weeks may be beneficial in both prevention and treatment of complications in diabetic patients.
Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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2006.09b
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pp.1313-1314
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2006
For improvement of wear resistance property of atmospheric thermal plasma sprayed molybdenum (Mo) coating, diamond deposition on the atmospheric plasma sprayed molybdenum coating by the combustion flame chemical vapor deposition (CFCVD) has been operated. In this study, to diminish the thermal damage of the substrate during operation, a thermal insulator was equipped between substrate and water-cooled substrate holder. Consequently, diamond particles could be created on the Mo coating without fracture and peeling off. From these results, it was found that this process had a high potential in order to improve wear resistance of thermal sprayed coating.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.4
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pp.373-377
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2004
We have investigated the electrical characterization of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors formed on the inductively coupled plasma (ICP) etch-damaged both n- and p-type 4H-SiC. We found that there was an effect of a sacrificial oxidation treatment on the etch-damaged surfaces. Current-voltage and capacitance-voltage measurements of these MOS capacitors were used and referenced to those of prepared control samples without etch damage. It has been found that a sacrificial oxidation treatment can improve the electrical characteristics of MOS capacitors on etch-damaged 4H-SiC since the effective interface density and fixed oxide charges of etch-damaged samples have been found to increase while the breakdown field strength of the oxide decreased and the barrier height at the SiC-SiO$_2$ interface decreased for MOS capacitors on etch-damaged surfaces.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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