The purpose of this study is to suggest a hyperfine maskless writing technique by using the nanoindentation and HF wet etching technique. Indents were made on the surface of Pyrex7740 glass by the hyperfine indentation process with a Berkovich diamond indenter, and they were etched in $50\;wr\%$ HF solution. After etching process, convex structure was obtained due to the deformation-induced hillock phenomena. In this study, effects of indentation process parameters (etching time, normal load, loading .ate, hold-time at the maximum load) on the morphologies of the indented surfaces after isotopic etching were investigated from an angle of deformation energies. Finally, sample characters were written to show the possibility of the application.
Indentation pattern and line pattern were machined on borosilicate(Pyrex 7740 glass) surface using the combination of mechanical machining by $Nanoi-indenter\circledR$ XP and HF wet etching, and a etch-mask effect of the affected layer of the nano-scratched and indented Pyrex 7740 glass surface was investigated. In this study, effects of indentation and scratch process with etching time on the morphologies of the indented and scratched surfaces after isotropic etching were investigated from an angle of deformation energies.
This work presents a simple and cost-effective approach for maskless fabrication of positive-tone silicon master for the replica molding of hyperfine elastomeric channel. Positive-tone silicon masters were fabricated by a maskless fabrication technique using the combination of nanoscratch by Nanoindenter ⓡ XP and XOH wet etching. Grooves were machined on a silicon surface coated with native oxide by ductile-regime nanoscratch, and they were etched in a 20 wt% KOH solution. After the KOH etching process, positive-tone structures resulted because of the etch-mask effect of the amorphous oxide layer generated by nanoscratch. The size and shape of the positive-tone structures were controlled by varying the etching time (5, 15, 18, 20, 25, 30 min) and the normal loads (1, 5 mN) during nanoscratch. Moreover, the effects of the Berkovich tip alignment (0, 45$^{\circ}$) on the deformation behavior and etching characteristic of silicon material were investigated.
소수성을 띄는 표면은 자연으로부터 시작된 연구이다. 연잎, 소금쟁이 다리, 매미 날개 등 많은 자연의 표면은 150o보다 높은 접촉각을 지니기 때문에 물에 대한 반발이 심해져 약간의 기울임에도 쉽게 물방울이 굴러 떨어지고 이때 먼지를 제거할 수 있다. 자연현상을 이용해 물질 표면의 소수성 제어에 대한 다양한 연구가 진행 중이다. 친수성과 소수성은 일반적으로 표면에서 물방울의 contact angle 측정으로 확인 할 수 있다. Contact angle이 $90^{\circ}$ 작을 경우 친수성, $90^{\circ}$보다 클 경우 소수성이라고 한다. 이러한 기술을 이용해서 solar cell, 자동차 유리, 건물외벽, 등 다양한 분야에서 사용하고 있으며, 소수성 구조를 만드는 방법으로는 laser ablation, wet etching, 리소그라피 공정이 있는데, laser ablation의 경우 가격이 비싸다는 단점을 가지고 있으며, 반면 가격이 저렴한 wet etching의 경우 제어가 힘들다는 단점을 지니고 있다. 리소그라피 공정은 비싼 비용과 시간을 소비해야 하는 단점을 지니고 있다. 본 연구에서는 이러한 단점들을 개선하기 위해 공정 시간의 감소와, 저 비용으로 제작이 가능한 RIE (Recative Ion Etching)로 피라미드 구조를 만들었다. 형성된 구조물에 투명하고 균일하며, 낮은 계면에너지를 갖고 있는 PDMS (polydimethelsiloxine)로 mold을 수행하였다. RIE를 이용한 표면 구조는 Gas, Flow rate, Pressure, Power, Time 등을 조절하여 단결정 실리콘 기판 위에 피라미드의 크기를 조절하였다. 피라미드의 크기가 커짐에 따라 물과 PDMS가 닿는 면적이 줄어들면서 높은 소수성을 가지게 되는데, 높은 소수성 구조를 가지는 피라미드 형상을 찾기 위한 실험을 진행하였다. RIE 조건은 Flow rate: 30 sccm, Temperature: $10^{\circ}C$ Pressure: 100 mTorr, Power: 200 W, Process Time: 5~50 min으로 조절하며 공정을 수행하였고 RIE공정 후 SAMs (Self-Assembly Monolayers)을 진행하였으며, 마지막으로 PDMS를 이용하여 mold공정을 진행하였다. 그리고 SEM (Scanning Electron Microscope)장비를 이용하여 Etching된 단면을 관찰하였으며, 접촉각을 측정하였다. Process Time을 50 min로 공정하였을 때, 측정된 접촉각은 $134^{\circ}$였다.
Since its discovery in 2004, graphene, a sp2-hybridized 2-Dimension carbon material, has drawn enormous attention. A variety of approaches have been attempted, such as epitaxial growth from silicon carbide, chemical reduction of graphene oxide and CVD. Among these approaches, the CVD process takes great attention due to its guarantee of high quality and large scale with high yield on various transition metals. After synthesis of graphene on metal substrate, the subsequent transfer process is needed to transfer graphene onto various target substrates, such as bubbling transfer, renewable epoxy transfer and wet etching transfer. However, those transfer processes are hard to control and inevitably induce defects to graphene film. Especially for wet etching transfer, the metal substrate is totally etched away, which is horrendous resources wasting, time consuming, and unsuitable for industry production. Thus, our group develops one-step process to directly grow graphene on glass substrate in plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Copper foil is used as catalyst to enhance the growth of graphene, as well as a temperature shield to provide relatively low temperature to glass substrate. The effect of growth time is reported that longer growth time will provide lower sheet resistance and higher VSG flakes. The VSG with conductivity of $800{\Omega}/sq$ and thickness of 270 nm grown on glass substrate can be obtained under 12 min growing time. The morphology is clearly showed by SEM image and Raman spectra that VSG film is composed of base layer of amorphous carbon and vertically arranged graphene flakes.
Laser beam machining has been known as efficient for glass micromachining. It is usually used the ultra-short pulsed laser which is time-consuming and uneconomic process. In order to use economic and powerful long pulsed laser, indirect processing called laser-induced backside wet etching (LIBWE) is good alternative method. In this paper, micromachining of glass using Nd:YAG laser with nanosecond pulsed beam has been attempted. In order to improve shape accuracy, combined processing with magnetic stirrer has been widely used. Magnetic stirrer acts to circulate the solution and remove the bubble but it is not suitable for deep hole machining. To get better effect, ultrasonic vibration was applied for improving shape accuracy.
The nanoprobe based on lithography, mainly represented by SPM based technologies, has been recognized as a potential application to fabricate the surface nanosctructures because of its operational versatility and simplicity. However, nanoprobe based on lithography itself is not suitable for mass production because it is time a consuming method and not economical for commercial applications. One solution is to fabricate a mold that will be used for mass production processes such as nanoimprint, PDMS casting, and others. The objective of this study is to fabricate the silicon stamper for PDMS casting process by a mastless fabrication technique using the combination of nano/micro machining by Nanoindenter XP and KOH wet etching. Effect of the Berkovich tip alignment on the deformation was investigated. Grooves were machined on a silicon surface, which has native oxide on it, by constant load scratch (CLS), and they were etched in KOH solutions to investigate chemical characteristics of the machined silicon surface. After the etching process, the convex structures was made because of the etch mask effect of the mechanically affected layer generated by nanoscratch. On the basis of this fact, some line patterns with convex structures were fabricated. Achieved groove and convex structures were used as a stamper for PDMS casting process.
In this work, we deposited Al2O3doped ZnO (AZO) thin films by direct current (DC) magnetron sputtering method with a $40^{\circ}$ tilted target, for application in the front layer of thin film solar cell. Wet chemical etching behavior of AZO films was also investigated. In order to optimize textured AZO films, oxalic acid ($C_2H_2O_4$)has been used as wet etchant of AZO film. In this experiment we used 0.001% concentration of oxalic acid various etching time, that showed an anisotropy in etching texture of AZO films. Electrical resistivity, Hall mobility and carrier concentration measurements are performed by using the Hall measurement, that are $6{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, $20{\sim}25cm^2/V-s$ and $4{\sim}6{\times}10^{20}$, respectively.
Large aperture optical modulator called optical shutter is a key component to realize time-of-flight (TOF) based three dimensional (3D) imaging systems [1-2]. The transmission type electro-absorption modulator (EAM) is a prime candidate for 3D imaging systems due to its advantages such as small size, high modulation performance [3], and ease of forming two dimensional (2D) array over large area [4]. In order to use the EAM for 3D imaging systems, it is crucial to remove GaAs substrate over large area so as to obtain high uniformity modulation performance at 850 nm. In this study, we propose and experimentally demonstrate techniques for backside etching of GaAs substrate over a large area having high uniformity. Various methods such as lapping and polishing, dry etching for anisotropic etching, and wet etching ([20%] C6H8O7 : H2O2 = 5:1) for high selectivity backside etching [5] are employed. A high transmittance of 80% over the large aperture area ($5{\times}5mm^2$) can be obtained with good uniformity through optimized backside etching method. These results reveal that the proposed methods for backside etching can etch the substrate over a large area with high uniformity, and the EAM fabricated by using backside etching method is an excellent candidate as optical shutter for 3D imaging systems.
태양광 발전은 발전 셀의 특성상 태양광의 일사량, 태양과 셀 단면이 이루는 각도에 따라서 발전량의 차이를 가져온다. 실리콘 태양전지의 전면 texturing은 입사광의 반사율을 크게 감소시키고, 태양전지 내에서 빛의 통과길이를 증가시켜 태양전지 내의 흡수하는 빛의 양을 증가 시키는 역할을 한다. 따라서 전면 texturing은 단락전류를 증대시키는 효과를 가지고 온다. 일반적으로 texturing은 alkaline etching (WET) 공정과 reactive ion etching (RIE) 공정이 사용된다. 그리고 다결정 실리콘 태양전지의 경우에는 재료의 결정방향에 따라 식각이 되어지는 WET 공정의 경우 texturing 모양을 제어할 수 없어 효과적이지 못하는 결과를 가지고 온다. 본 연구에서는 Electroluminescence을 측정하여 RIE, WET 공정을 사용하여 만든 texturing 구조의 다결정 태양전지의 Microcrack 및 Defect, Electrode Failure, Hot spot등을 검출하였으며, ${\mu}$-PCD 측정 결과와 비교 분석하여 Micro carrier life time을 유추하여 계산하였다. 또한 반사율을 측정해본 결과 WET 공정 대비 RIE의 경우 단파장영역에서 반사율이 크게 감소하여, 상대적으로 높은 External quantum efficiency (EQE)가 측정되었다. 이는 Jsc를 증가시켜, 태양전지의 효율이 증가되는 결과를 얻을 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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