• 제목/요약/키워드: Wet $SiO_2$

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Selective Chemical Wet Etching of Si0.8Ge0.2/Si Multilayer

  • Kil, Yeon-Ho;Yang, Jong-Han;Kang, Sukil;Jeong, Tae Soo;Kim, Taek Sung;Shim, Kyu-Hwan
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제13권6호
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    • pp.668-675
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    • 2013
  • We investigate the effect of the ageing time and etching time on the etching rate of SiGe mixed etching solution, namely 1 vp HF (6%), 2 vp $H_2O_2$ (30%) and 3 vp $CH_3COOH$ (99.8%). For this etching solution, we found that the etch rate of SiGe layer is saturated after the ageing time of 72 hours, and the selectivity of $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ layer and Si layer is 20:1 at ageing time of 72 hours. The collapse was appeared at the etching time of 9min with etching solution of after saturation ageing time.

TiO$_2$ 첨가에 의한 불투명한 실리카 에어로겔의 합성 및 특성화 (Preparation and Characterization of Opacified Silica Aerogels Doped by TiO$_2$)

  • 손봉희;현상훈
    • 한국세라믹학회지
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    • 제36권2호
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    • pp.159-166
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    • 1999
  • 티타니아가 첨가된 불투명한 실리카 에어로겔의 물성 및 열처리에 따른 미세구조 변화가 연구되었다. 부분가수 분해된 TEOS-이소프로판을 용액에 titanium isopropoxide를 첨가한후 겔화시킨 습윤겔을 초임계건조(25$0^{\circ}C$, 1250 psig)하여 모노리스 타입 에어로겔을 합성하였으며, SiO2-10 mol% TiO2 에어로겔의 밀도와 기공율은 각각 0.23 g/㎤와 90% 이었다. 초임계건조시 티타늄의 함량이 증가함에 따라 수축율이 증가할 뿐만 아니라 티타니아는 anatase 상으로 상전이됨과 동시에 입자 응집에 의해 100~800nm 크기의 cluster로 에어로겔 내에 균일하게 분포되었다. 불투명한 에어로겔은 8$mu extrm{m}$ 이하의 적외 영역에서 순수 실리카 에어로겔에 비하여 매우 낮은 광투과율과 $600^{\circ}C$까지 높은 미세구조 안정성을 보여주었다.

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The strength properties of alkali-activated silica fume mortars

  • Saridemir, Mustafa;Celikten, Serhat
    • Computers and Concrete
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    • 제19권2호
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    • pp.153-159
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    • 2017
  • In this study, the strength properties of alkali-activated silica fume (SF) mortars were investigated. The crushed limestone sand with maximum size of 0-5 mm and the sodium meta silicate ($Na_2SiO_3$) used to activate the binders were kept constant in the mortar mixtures. The mortar specimens using the replacement ratios of 0, 25, 50, 75 and 100% SF by weight of cement together with $Na_2SiO_3$ at a constant rate were produced in addition to the control mortar produced by only cement. Moreover, the mortar specimens using the replacement ratio of 4% titanium dioxide ($TiO_2$) by weight of cement in the same mixture proportions were produced. The prismatic specimens produced from eleven different mixtures were de-moulded after a day, and the wet or dry cure was applied on the produced specimens at laboratory condition until the specimens were used for flexural strength ($f_{fs}$) and compressive strength ($f_c$) measurement at the ages of 7, 28 and 56 days. The $f_{fs}$ and $f_c$ values of mortars applied the wet or dry cure were compared with the results of control mortar. The findings revealed that the $f_c$ results of the alkali activated 50% SF mortars were higher than that of mortar produced with Portland cement only. It was found that the $f_{fs}$ and $f_c$ of alkali-activated SF mortars cured in dry condition was averagely 4% lower than that of alkali-activated SF mortars cured in wet condition.

Mn-Ce계/TiO2 촉매에 의한 아세트산의 습식산화 반응특성 (Catalytic Wet Air Oxidation by TiO2 Supported Mn-Ce Based Catalysts)

  • 박기선;박종원;김영주;윤왕래;박종수;이영우;강용
    • 대한환경공학회지
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    • 제22권12호
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    • pp.2263-2273
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    • 2000
  • 희분식 고온/고압 미분반응기를 이용하여 습식산화 반응시 대표적 난분해성 중간 산화물질로 알려진 아세트산을 산화반응 기질로 하여 여러 가지 담체 및 촉매의 조합에 대한 산화반응성을 실험하였다. 사용된 담체는 다공성 실리카($SiO_2$), 티타니아($TiO_2$), 지르코니아($ZrO_2$), $ZrSiO_4$, $ZrO_2(10wt%)/TiO_2$ 등이었으며 촉매활성성분온 크게 Ru, Mn, Ce의 세 가지로서 단독 혹은 조합사용(2성분계 및 3성분계)시의 산화활성에 대하여 조사하였다. 이를 통하여 일차척인 활성이 우수한 것으로 나타난 $Mn(2.8)-Ce(7.2wt%)/TiO_2$ 혹은 $Ru(0.5)-Mn(2.7)-Ce(6.8wt%)/TiO_2$ 기준촉매의 활성증진을 위하여 p-type 반도체 물질(CoO, SnO 및 $Ag_2O$)를 첨가제로 소량 사용함으로써 이에 따른 습식산화 반응 상대 활성실험을 수행하였다. 우선, $Mn-Ce/TiO_2$ 기준촉매에 있어서, p-type 반도체 물질(CO, Sn Ag)을 첨가한 경우, 모두 활성증진효과를 보이며 크기 정도는 Co> Ag >Sn순이었다. 특히, $Mn(2.7)-Ce(6.8)-Co(0.5wt%) /TiO_2$에 있어서는 약 2.6배의 높은 활성상승이 나타났다. 이의 가시적인 주원인은 표면적 증가 및 시너지 효과에 기인하는 것으로 판단되었다. $Ru-Mn-Ce/TiO_2$ 기준 촉매에 있어서는 $Ru(O.5)-Mn(2.4)-Ce(6.1)-Co(1.0wt%)/TiO_2$에서만 활성증진효과를 보였으며 그 이외의 다른 경우에 있어서는 표면적 및 활성감소가 일어났다.

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선형가열기를 이용한 SillSiO2/Si3N4llSi 이종기판쌍의 직접접합 (Direct Bonding of SillSiO2/Si3N4llSi Wafer Fairs with a Fast Linear Annealing)

  • 이상현;이상돈;송오성
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제15권4호
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    • pp.301-307
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    • 2002
  • Direct bonded SOI wafer pairs with $Si ll SiO_2/Si_3N_4 ll Si$ the heterogeneous insulating layers of SiO$_2$-Si$_3$N$_4$are able to apply to the micropumps and MEMS applications. Direct bonding should be executed at low temperature to avoid the warpage of the wafer pairs and inter-diffusion of materials at the interface. 10 cm diameter 2000 ${\AA}-SiO_2/Si(100}$ and 560 $\AA$- ${\AA}-Si_3N_4/Si(100}$ wafers were prepared, and wet cleaned to activate the surface as hydrophilic and hydrophobic states, respectively. Cleaned wafers were pre- mated with facing the mirror planes by a specially designed aligner in class-100 clean room immediately. We employed a heat treatment equipment so called fast linear annealing(FLA) with a halogen lamp to enhance the bonding of pre mated wafers We kept the scan velocity of 0.08 mm/sec, which implied bonding process time of 125 sec/wafer pairs, by varying the heat input at the range of 320~550 W. We measured the bonding area by using the infrared camera and the bonding strength by the razor blade clack opening method, respective1y. It was confirmed that the bonding area was between 80% and to 95% as FLA heat input increased. The bonding strength became the equal of $1000^{\circ}C$ heat treated $Si ll SiO_2/Si_3N_4 ll Si$ pair by an electric furnace. Bonding strength increased to 2500 mJ/$\textrm{m}^2$as heat input increased, which is identical value of annealing at $1000^{\circ}C$-2 hr with an electric furnace. Our results implies that we obtained the enough bonding strength using the FLA, in less process time of 125 seconds and at lowed annealing temperature of $400^{\circ}C$, comparing with the conventional electric furnace annealing.

Si(100) 기판 위에 성장된 3C-SiC 박막의 열산화에 관한 연구 (A Study on Thermal Oxidation of 3C-SiC Thin-films Grown on Si(100) Wafer)

  • 정연식;류지구;정수용;정귀상
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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    • pp.407-410
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    • 2002
  • Thermal oxidations of 3C-SiC thin-films grown on Si(100) by APCVD(atmospheric pressure chemical vapor deposition) were carried out. The oxidations of 3C-SiC were performed at $1100^{\circ}C$ for 1~6 hr in wet and dry $O_2$ ambient, respectively. Ellipsometry was used to determine the thickness and index of refraction of oxide films. The oxide thickness vs. the oxidation time follows the general relationship used for the thermal oxidation of Si. The surface roughness was analyzed by using AFM(atomic force microscopy). The surface roughness of oxidized 3C-SiC was rougher than before oxidation. The thermal oxide was found to be $SiO_2$ by XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) analysis. Auger analysis showed them to be homogeneous with near stoichiometric composition.

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전하트랩형 NVSM의 게이트 유전막을 위한 질화산화막의 재산화특성에 관한 연구 (Characteristics of reoxidation of nitried oxide for gate dielectric of charge trapping NVSM)

  • 이상은;한태현;서광열
    • 한국결정성장학회지
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    • 제11권5호
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    • pp.224-230
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    • 2001
  • 초박막 게이트 유전막 및 비휘발성 기억소자의 게이트 유전막으로 연구되고 있는 $NO/N_2O$ 열처리된 재산화 질화산 화막의 특성을 D-SIMS(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry), ToF-SIMS(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry), AES(Auger Electron Spectroscopy)으로 조사하였다. 시료는 초기산화막 공정후에 NO 및 $N_2O$ 열처리를 수행하였으며, 다시 재산화공정을 통하여 질화산화막내 질소의 재분포를 형성토록하였다. 재산화에 있어서 습식산화시 공정에 사용된 수소에 의한 영향으로 계면 근처에 축적된 질소가 Si≡N 결합을 쉽게 이탈함에 따라 방출이 촉진되어 건식산화에 비하여 질소의 감소가 더욱 두드러지게 나타났다. 재산화에 따른 질화산화막내 질소의 거동은 외부로의 방출과 기판으로의 확산이 동시에 나타난다. 재산화후 질화산화막내 축적된 질소의 결합종을 분석한 결과, 초기산화막 계면근처의 질소는 SiON의 결합종이 주도적으로 나타나는 반면 재산화 후 새롭게 형성된 $Si-SiO_2$ 계면근처로 확산한 질소는 $Si_2NO$ 결합종이 주로 검출된다. SiON에 의한 질소의 미결합손과 $Si_2$NO에 의한 실리콘의 미겨랍손은 기억특성에 기여하는 결함을 포함하기 때문에 재산화 질화산화막내 존재하는 SiON과 $Si_2$NO 결합종은 모두 전하트랩의 기원과 관련된 결합상태로 예상된다.

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12wt% Co 담지 FT 촉매 제조시 유기용매가 촉매활성에 미치는 영향연구 (The Effect of Organic Solvents on the Activity for the Synthesis of 12wt% Co-based FT Catalyst)

  • 이지윤;한자령;정종태;백영순
    • 한국수소및신에너지학회논문집
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    • 제26권4호
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    • pp.339-346
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    • 2015
  • The synthesis of Fischer-Tropsch (FT) oil is the catalytic hydrogenation of CO to give a range of products, which can be used for the production of high-quality diesel fuel, gasoline and linear chemicals. This studied catalyst was prepared Cobalt-supported alumina and silica by the incipient wet impregnation of the nitrates of cobalt, promoter and organic solvent with supports. Cobalt catalysts were calcined at $350^{\circ}C$ before being loaded into the FT reactors. After the reduction of catalyst has been carried out under $450^{\circ}C$ for 24h, FT reaction of the catalyst has been carried out at GHSV of 4,000/hr under $200^{\circ}C$ and 20atm. From these experimental results, we have obtained the results as following; In case of $SiO_2$ catalysts, the activity of 12wt% $Cobalt-SiO_2$ synthesized by organic solvent was about 2 or 3 times higher than the activity of 12wt% $Cobalt-SiO_2$ catalyst synthesized without organic solvent. In particular, the activity of the $Cobalt-SiO_2$ catalyst prepared in the presence of an organic solvent P was two to three times higher than that of the $Cobalt-SiO_2$ catalyst prepared without the organic solvent. Effect of Cr and Cu metal as a promoter was found little. 200 h long-term activity test was performed with a $Co/SiO_2$ catalyst prepared in the presence of an organic solvent of Glyoxal solution.

$N_2O$ 분위기에서 열산화법으로 성장시킨 $SiO_2$초박막의 전기적 특성 (Electrical Characterization of Ultrathin $SiO_2$ Films Grown by Thermal Oxidation in $N_2O$ Ambient)

  • 강석봉;김선우;변정수;김형준
    • 한국재료학회지
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    • 제4권1호
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    • pp.63-74
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    • 1994
  • $SiO_{2}$초박막(ultrathin film)의 두께 조절 용이성, 두께 균일성, 공정 재현성 및 전기적 특성을 향상시키기 위해 실리콘을 $N_{2}O$분위기에서 열산화시켰다. $N_2O$분위기에서 박막 성장시 산화와 동시에 질화가 이루어지기 때문에 전기적 특성의 향상을 가져올 수 있었다. 질화 현상에 의해 형성된 Si-N결합 형성은 습식 식각율과 ESCA분석으로 확인할 수 있었다. $N_2O$분위기에서 성장된 $SiO_{2}$박막은 Fowler-Nordheim(FN)전도 기구를 보여주었으며, 절열파괴 특성과 누설 전류특성 및 산화막의 신뢰성은 건식 산화막에 비해서 우수하였다. 또한 계면 포획밀도는 건식 산화막에 비해 감소하였고, 전하를 주입했을 때 생성되는 계면 준위의 양 또는 크게 감소하였다. 산화막 내부에서의 전하 포획의 양도 감소하였고, 전하를 주입하였을 때 생성되는 전하 포획의 양도 감소하였다. 이와 같은 전기적인 특성의 향상은 산화막 내부에서 약하게 결합하고 있는 Si-O 결합들이 Si-N결합으로의 치환과 스트레스 이완에 의하여 감소하였기 때문이다.

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Bauxite로부터 습식 산처리법에 의한 알루미나 분체의 제조 및 그 이용에 관한 연구(I) : Bauxite로부터 Aluminum Hydrate Gel의 제조 (A Study on the Preparation of Alumina Powders from Bauxite by Wet Acid Process and Their Utilization(I) : Preparation of Aluminum Hydrate Gels from Bauxite)

  • 박민준;조철구;배원태
    • 한국세라믹학회지
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    • 제27권6호
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    • pp.747-754
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    • 1990
  • Aluminum hydrate gels were prepared from the mixtures of bauxite and ammonium sulfate by wet acid process. Optimum conditions for obtaining the maximum yield( 99%) of aluminum hydrates from the same amount of bauxite were confirmed as follows ; 1. Mixing ratio ; addition of 25mole% of ammonium sulfate to 1mole of bauxite. 2. Calcination ; heated at 350℃ for 1hr. 3. Extraction ; leached at 95℃ in 1% H2SO4 for 90min. 4. pH of precipitating solution; slight below 7.0. Amorphous aluminum hydrates were precipitated at the pH lower than 8.5, but the precipitates crystallized to bayerite at the pH was 10. Mean diameter of α-Al2O3 powders which were obtained by calcining the aluminum hydrates was below 0.2㎛, and EDS analysis revealed than SiO2 was it's primary impurity.

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