$Si_3N_4$ 기판 위에 PECVD 법으로 형성한 Tungsten Nitride 박막의 특성
(Characteristic of PECVD-$WN_x$ Thin Films Deposited on $Si_3N_4$ Substrate)
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- 전자공학회논문지D
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- 제36D권7호
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- pp.17-25
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- 1999