JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.15
no.4
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pp.501-505
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2015
In this paper, we demonstrated a 4W power amplifier monolithic microwave integrated circuit (MMIC) for Ku-band satellite communication applications. The used device technology relies on $0.25{\mu}m$ GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) process. The 4W power amplifier MMIC has linear gain of over 30 dB and saturated output power of over 36.1 dBm in the frequency range of 13.75 GHz ~ 14.5 GHz. Power added efficiency (PAE) is over 30 %.
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.7
no.3
s.18
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pp.93-100
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2004
In this paper, we describe the design, fabrication, and test results of a W-band FMCW radar for the metal target detection under the ground clutter environment. In order to detect metal targets on the ground, we used a single cassegrain antenna with the beamwidth of $1.45^{\circ}$ which forms pencil-beam footprint on the ground. A log envelope detector was applied to improve radar performance in the severe ground clutter known as Weibull and log normal clutter. The designed FMCW radar can acquire altitude information from the ground clutter with $\sigma_0=-23dB$ at the height of 160m. The fabricated W-band FMCW radar transmits 11 dBm power and the dynamic range of the receiver is from -106dBm to -30dBm. The performances of the fabricated sensors were tested out in the fields and detected a car target of 200m apart on the grass.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.14
no.3
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pp.475-482
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2019
In this paper, we propose a triple band antenna for GPS / DCS / WLAN system. The proposed antenna has the characteristics required by considering the interconnection of two strip lines and various slits on the ground place. The total substrate size is $31mm(W1){\times}50mm(L1)$, thickness (h) 1.6 mm, and the dielectric constant is 4.4, which is made of $22mm(W7+W12+W8){\times}43mm(L4+L3)$ antenna size on the FR-4 substrate. From the fabrication and measurement results, bandwidths of 340 MHz (1.465 to 1.805 GHz), 480 MHz (2.155 to 2.635 GHz) and 1950 MHz (4.975 to 6.925 GHz) were obtained on the basis of -10 dB. Also, gain and radiation pattern characteristics are measured and shown in the frequency triple band as required.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.33
no.2
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pp.99-104
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2020
In this study, we fabricated a metamorphic high-electron-mobility transistor (mHEMT) device with a T-type gate structure for the implementation of W-band monolithic microwave integrated circuits (MMICs) and investigated its characteristics. To fabricate the mHEMT device, a recess process for etching of its Schottky layer was applied before gate metal deposition, and an e-beam lithography using a triple photoresist film for the T-gate structure was employed. We measured DC and RF characteristics of the fabricated device to verify the characteristics that can be used in W-band MMIC design. The mHEMT device exhibited DC characteristics such as a drain current density of 747 mA/mm, maximum transconductance of 1.354 S/mm, and pinch-off voltage of -0.42 V. Concerning the frequency characteristics, the device showed a cutoff frequency of 215 GHz and maximum oscillation frequency of 260 GHz, which provide sufficient performance for W-band MMIC design and fabrication. In addition, active and passive modeling was performed and its accuracy was evaluated by comparing the measured results. The developed mHEMT and device models could be used for the fabrication of W-band MMICs.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.44
no.7
s.361
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pp.105-111
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2007
In this paper, we designed and fabricated a 3-dB tandem coupler using air-bridge technology for millimeter-wane monolithic integrated circuits, operating at W-band($75{\sim}110\;GHz$) frequency. Tightly edge-coupled CPW line has low directivity due to different even-mode and odd-mode phase velocity. To overcome this disadvantage, a 3-dB tandem coupler which comprises the two-sectional weakly parallel-coupled lines with equal phase velocity was designed at W-band. The proposed coupler was fabricated using air-bridge technology to monolithically materialize the uniplanar coupler structure instead of conventional multilayer or wire bonded structure. From the measurements, the coupling coefficient of $2.9{\sim}3.6\;dB$ and the good phase difference of $91.2{\pm}2.9^{\circ}$ were obtained in broad frequency range of $75{\sim}100\;GHz$.
The sound measurement techniques in IEC 61400-11 are applied to field test and evaluation of noise emission from 1.5 MW wind turbine generator (WTG) at Yongdang-Lee and 650 kW WTG at Hangwon-Lee in Jeju Island. Apparent sound power level, wind speed dependence and third-octave band levels are evaluated for both of WTGs. 1.5 MW WTG at Yongdang is found to emit lower sound power than 660 kW one at Hangwon, which seems to be due to lower rotating speed of the rotor of WTG at Yongdang. Equivalent continuous sound pressure level s (ECSPL) of 650 kW WTG at Hangwon vary more widely with speed than those of 1.5 MW WTG at Yongdang. The reason for this is believed to be the fixed blade-rotating speed of WTG at Yongdang. One-third octave band analysis of the measured data show that the band components around 400-500 Hz are dominant for 1.5 MW WTG at Yongdang and those around 1K Hz are dominant for 660 kW WTG at Hangwon.
Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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2005.11a
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pp.818-821
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2005
The sound measurement procedures of IEC 61400-11 are applied to field test and evaluation of noise emission from 1.5 MW wind turbine generator (WTG) at Yongdang and 660 kW WTG at Hangwon in Jeju Island. Apparent sound power level, wind speed dependence and third-octave band levels are evaluated for both of WTGs. 1.5 MW WTG at Yongdang is found to emit lower sound power than 660 kW one at Hangwon, which seems to be due to lower rotating speed of the rotor of WTG at Yongdang. Equivalent continuous sound pressure levels (ECSPL) of 660 kW WTG at Hangwon vary more widely with wind speed than those of 1.5 MW WTG at Yongdang. The reason for this is believed to be the fixed blade rotating speed of WTG at Yongdang. One-third octave band analysis of the measured data show that the band components around 400-500 Hz are dominant for 1.5 MW WTG at Yongdang and those around 1K Hz are dominant for 660 kW WTG at Hangwon.
It is important to develop a transducer that generates uniform output power through frequency control of the HIFU at 4 MHz frequency for the high intensity focused ultrasound (HIFU) skin diseases treatment. In this paper, a 4 MHz frequency band HIFU system for skin disease treatment was designed, manufactured and developed. In HIFU, even for the ultrasonic vibrator in the 4 MHz frequency band, the characteristics of the output power of the HIFU are different depending on the difference in the thickness of the PZT material. Through the development of a system amplifier, the sound output of the HIFU transducer was improved to more than 48 W and uniform output power control was possible. And, it is possible to control the output power even in a frequency band of 4.0 to 4.7 MHz, which is wider than 4.0 MHz, and shows the resonance frequency of the transducer. The maximum output power for each frequency was 49.969 W and the minimum value was 48.018 W. The maximum output power compared to the minimum output power is 49.969 W, which is uniform within 4.1%. It was confirmed that the output power of the HIFU through the amplifier can be uniformly controlled in the 4 MHz frequency band.
This paper describes how to Implement dual band GSM hand set varying single band GSM phone. The idea can be extended to Triple mode design. Multiband design is important for global roamming and Baseband setup planning. Here H/W and SW issues are briefly described
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.15
no.6
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pp.1227-1232
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2011
Using the notch and isolation, we investigated the insertion loss and isolation characterics of the fabricated dielectric duplexers and bandpass filters for CDMA and W-CDMA dualband. Insertion loss(Tx band) and isolation(between Tx and Rx) of duplxer were about -2.1708dB and 45dB at CDMA band, respectively. Also, in the case of W-CDMA, the insertion loss(Tx band) and isolation(between Tx and Rx) showed about -2.6946 and 100dB, respectively. Summering the aboved results, fabricated the dielectric duplexers and bandpass filters will be contributed the increase of atttenuation and the decrease of interference at CDMA and W-CDMA dualband.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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