Purpose: We investigated the iron status of very low birth weight infants receiving multiple erythrocyte transfusions during hospitalization in the neonatal intensive care unit (NICU). Methods: We enrolled 46 very low birth weight infants who were admitted to the Kyungpook National University Hospital between January 2012 and December 2013. Serum ferritin was measured on their first day of life and weekly thereafter. We collected individual data of the frequency and volume of erythrocyte transfusion and the amount of iron intake. Results: A total of 38 (82.6%) of very low birth weight infants received a mean volume of $99.3{\pm}93.5mL$ of erythrocyte transfusions in NICU. The minimum and maximum serum ferritin levels during hospitalization were $146.2{\pm}114.9ng/mL$ and $456.7{\pm}361.9ng/mL$, respectively. The total volume of erythrocyte transfusion was not correlated to maximum serum ferritin concentrations after controlling for the amount of iron intake (r=0.012, p=0.945). Non-transfused infants took significantly higher iron intake compared to infants receiving ${\geq}100mL/kg$ erythrocyte transfusion (p<0.001). Minimum and maximum serum ferritin levels of non-transfused infants were higher than those of infants receiving <100 mL/kg erythrocyte transfusions (p=0.026 and p=0.022, respectively). Infants with morbidity including bronchopulmonary dysplasia or retinopathy of prematurity received a significantly higher volume of erythrocyte transfusions compared to infants without morbidity (p<0.001). Conclusion: Very low birth weight infants undergoing multiply erythrocyte transfusions had excessive iron stores and non-transfused infants also might had a risk of iron overload during hospitalization in the NICU.
High frequency ultrasound imaging typically suffers from low sensitivity due to the small aperture of high frequency transducers and shallow imaging depth due to the frequency-dependent attenuation of ultrasound. These limitations should be overcome to obtain high-frequency, high- resolution ultrasound images. One practical solution to the problems is a high-performance signal receiver capable of detecting a very small signal and amplifying the signal with minimal electronic noise addition. This paper reports a recently developed low-noise, wideband ultrasound receiver for high-frequency, high-resolution ultrasound imaging. The developed receiver has an amplification gain of up to 73 dB and a variable amplification gain range of 48 dB over an operating frequency of 80 MHz. Also, it has an amplification gain flatness of ${\pm}1dB$. Due to these high performances, the developed receiver has a signal-to-noise ratio of at least 8.4 dB and a contrast-to-noise ratio of at least 3.7 dB higher than commercial receivers.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.15
no.2
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pp.22-27
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1978
An improved active R filter is proposed which contains only resistors and two operational amplifiers represented by their single pole model. The filter has very low sensitivities to all circuit parameters, is suitable for low frequency and low 9 applications in addition to high frequency and high 0, and realizes various biquadratic transfer functions simultaneously with lower resistance ratios. The independent control of design specifications is possible in the circuit. Experimental results in laboratory are presented.
Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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v.18
no.5
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pp.15-18
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2013
This paper presents an analog front-end for electroencephalogram(EEG) signal processing. Since EEG signals are typically weak and located at very low frequencies, it is imperative to implement an amplifier with high gain, high common-mode rejection ratio(CMRR) and good noise immunity at very low frequencies. The analog front-end of this paper consists of a programmable-gain instrumentation amplifier and a band-pass filter. A frequency chopping technique is employed to remove the low-frequency noise. The circuits were fabricated in 0.18um CMOS technology and measurements showed that the analog front-end has the maximum gain of 60dB and >100dB CMRR over the programmable gain range.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07a
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pp.125-129
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2004
[ $BaTi_4O_9$ ] thin film were grown on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate using rf magnetron sputter, and the microstructure and dielectric properties of the thin films were investigated. For the film grown at $350^{\circ}C$ and rapidly thermal annealed at $900^{\circ}C$, the $BaTi_5O_{11}$ Phase was formed. However, the $BaTi_4O_9$ phase was formed when the growing temperature exceeded $450^{\circ}C$ The dielectric constant of the $BaTi_4O_9$ thin film grown at $550^{\circ}C$ and rapidly thermal annealed at $900^{\circ}C$ was about 40 at low frequency range($100kHz{\sim}1MHz$) and 36 at microwave range($1{\sim}10GHz$) which is very close to that of the bulk $BaTi_4O_9$ phase. The dissipation factor was very low, about 0.005 at low frequency as well as microwave range.
This study was conduced to examine the monthly and seasonal variation of $SO_2$, TSP, $O_3$ concentration in Dongsamdong, Pusan coastal area. And the characteristics of air pollution of this area was compared to Kwangbokdong in Pusan and Taehadong in Ullungdo. Monthly mean concentration of $SO_2$ and TSP showed lower than Kwangbokdong, $O_3$ was higher than Kwangbokdong. In case of $SO_2$, seasonal variation of Dongsamdong was remarkabler thn Kwangbokdong and the concentration difference of early morning and daytime was higher than Kwangbokdong. Taehadong showed very lower concentration as background area. In case of TSP, Dongsamdong was lower concentration and smaller diurnal change than Kwangbokdong, Taehadong showed very lower concentration as backgound area. In case of $O_3$, Dongsamdong was 10ppb higher than Kwangbokdong at daytime maximum concentration, diurnal change of concentration was higher, too. In case of frequency distribution of concentration, $SO_2$, and TSP at Dongsamdong showed higher frequency in low concentration class and $O_3$ showed in high concentration class as compared with Kwangbokdong.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.29
no.4
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pp.69-76
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2015
This paper presents the results of an investigation into the frequency-dependent electrical parameters for different types of soil as a function of moisture content. The frequency dependence of soil electrical parameters is very important in the design of grounding systems. In fact, the performance of grounding systems is greatly dependent upon various factors such as soil type, particle size, water content, temperature, frequency, and the like. The resistivity and relative permittivity for four different soils were measured and analyzed in the frequency range of 1kHz - 1MHz. Soil resistivity declined as moisture content and frequency increased. In particular, the frequency dependence of soil resistivity was significant as the moisture content was low. In contrast, the relative permittivity of soil dramatically declined at the frequency of 10kHz or below as the moisture content increased, showing the opposite pattern in terms of variation patterns, compared to resistivity.
The silicon nitride ($SiN_x$) film for surface passivation and anti-reflection coating of crystalline silicon solar cell is very important and it is generally deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). PECVD can be divided into low and high frequency method. In this paper, the $SiN_x$ film deposited by low and high frequency PECVD method was studied. First, to optimize the $SiN_x$ film deposited by low frequency PECVD method, the refractive index was measured by varying the process conditions like $SiH_4$, $NH_3$, $N_2$ gas rate, and RF power. When $SiH_4$ gas rate was increased and $NH_3$ gas rate was decreased, the refractive index was increased. The refractive index was also increased with RF power decline. Second, to compare the characteristics of the low and high frequency PECVD $SiN_x$ film, the refractive index was measured by varying $NH_3/SiH_4$ gas ratio and RF power and the minority carrier lifetime of before and after high temperature treatment process was also measured. The refractive index of both low and high frequency PECVD $SiN_x$ film was decreased with increase in $NH_3/SiH_4$ gas ratio and RF power. After high temperature treatment process, the minority carrier lifetime of both low and high frequency PECVD $SiN_x$ film was increased and increased degree was similar. The minority carrier lifetime of low frequency PECVD $SiN_x$ was increased from $11.03{\mu}m$ to $28.24{\mu}m$ and that of high frequency PECVD $SiN_x$ was increased from $11.60{\mu}m$ to $27.10{\mu}m$.
Park, Young-Su;Lee, Kang-Joon;Kim, Hyun;Chung, Young-Cho
Sleep Medicine and Psychophysiology
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v.11
no.2
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pp.100-105
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2004
Objectives: Major depression is associated with an increased risk of cardiovascular mortality. One possible explanation for this association is that major depression influences autonomic neurocardiac regulation. However, previous studies on the relationship between heart rate variability (HRV) and major depression have revealed conflicting results. The purpose of this study is to clarify that major depressive patients compared to healthy controls show a reduction in HRV as an expression of reduced modulation of vagal activity to the heart. Methods: According to DSM-IV, the time and frequency domain HRV indices (5-min resting study) of 30 patients with major depressive disorder were compared with those of 30 healthy controls. Standardized HRV tests enable quantitative estimation of autonomic nervous system function. Results: After controlling for age and gender, subjects with major depression showed a higher heart rate and significantly lower modulation of cardiovagal activity compared to controls. The total power (TP) band, very low frequency (VLF: 0.003-0.04 Hz) band, low frequency (LF: 0.04-0.15 Hz) band, and high frequency (HF: 0.15-0.4 Hz) band were significantly reduced in subjects with major depression compared to control subjects. Conclusion: Patients with major depression may suffer from functional disturbances in the interaction between the sympathetic and parasympathetic autonomic systems.
Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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v.15
no.4
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pp.393-402
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1999
Precipitation samples were collected by the wet-only sampling method in Iksan in the northwest of Chonbuk from March 1995 to February 1997. These samples were analyzed for the concentration of ion components, in addition to pH and electrical conductivity. The annual mean pH of precipitation was 4.8 and the seasonal trend of pH was shown to be low in Fall and Winter(4.5), middle-ranged in Spring(4.7) and high in Summer(5.0). The frequency of pH below 5.6 was about 71%. The seasonal pattern of pH frequency was found to be different in each season. In the case of the pH less than 5.0, the frequency was higher in Spring, Fall and Winter than in Summer, especially higher in Fall than in other seasons. The concentrations of analysed ions showed a pronounced seasonal pattern. However, major ion species for all seasons were $NH^+_4,;Ca^{2+};and;Na^+$ among cations and $SO^{2-}_4,;Cl^-;and;NO^-_3$ among anions. The major acidifying species appeared to be $nss-SO^{2-}_4;and;NO^-_3$, and the main bases responsible for the neutralization of precipitation acidity were $nss-Ca^{2+};and;NH^+_4$. The potential acidity of precipitation, pAi, was found to be between 3.0 and 5.0 for total samples, while the measured pH was approximately between 3.9 and 7.8. The seasonal trend of pAi showed a decreasing order: Summer (4.3), Winter(4.0), Spring and Fall(3.8). During the Fall, both pAi and pH were especially very low, which indicated that during this period the potential acidity of precipitation was high but the neutralizing capacity was low. For Spring, pAi was very low but pH was slightly high. This was likely due to the large amount of $CaCO_3$ in the soil particles transported over a long range from the Chinese continent that were incorporated into the precipitation, and then neutralized the acidifying species with its high concentraton.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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