• Journal of Electrochemical Science and Technology
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• 제12권2호
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• pp.212-216
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• 2021

We investigated the feasibility of hydrogen storage with electrochemically formed VO₂ nanotubes. The VO₂ nanotubes were fabricated through the anodization of vanadium metal in fluoride ion-containing organic electrolyte followed by an annealing process in an Ar-saturated atmosphere at 673 K for 3 h at a heating rate of 3 K /min. During anodization, the current density significantly increased up to 7.93 mA/cm² for approximately 500 s owing to heat generation, which led to a fast-electrochemical etching reaction of the outermost part of the nanotubes. By controlling the anodization temperature, highly ordered VO₂ nanotubes were grown on the metal substrate without using any binders or adhesives. Furthermore, we demonstrated the hydrogen sorption properties of the anodic VO₂ nanotubes.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.245-252
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• 2011

VoIP는 IP기반의 네트워크를 통해 음성 통화를 전송하는 Voice over Internet Protocol의 약자로서 최근에는 IP기반으로 음성 이외의 다양한 서비스가 제공되고 있다. 이러한 VoIP서비스의 확대 공급에 따라 VoIP 서비스의 품질관리가 중요한 이슈로 부각되고 있다. 따라서 본 논문에서는 VoIP서비스의 품질관리에 관한 연구를 다룬다. 이를 위하여 본 고에서는 VoIP 기술, 서비스 현황 및 네트워크 구성도를 파악하고 네트워크 사업자 관점이 아닌 고객관점의 VoIP 품질관리를 위한 key quality indicators(KQIs)/key performance indicators(KPIs)를 파악한다. 이를 위하여 일반적인 서비스 품질관리의 개념과 통신관련 서비스 품질관리의 개념에 대해서도 파악한다. 또한 KQIs중 가장 중요하다고 생각되는 품질관리 지표를 선정하여 통계적 품질관리 기법 중 하나인 $\bar{x}$와 R Charts를 이용하여 어떻게 기업에서 품질관리를 할 수 있는지 실제 예를 보여준다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제6권4호
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• pp.493-498
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• 2011

본 논문에서는 DDoS 침해가 있는 MANET을 대상으로 VoIP 트래픽의 전송 성능을 측정하고 분석하여 보았다. 측정된 결과의 분석을 통하여 DDoS 침해가 있는 MANET에서 침해대비조건을 제시하였다. 성능측정에는 NS-2를 기반으로 구성한 VoIP 시뮬레이터를 이용하였다. 시뮬레이션을 통하여 MOS, 네트워크지연, 패킷손실율 및 호연결율 전송성능으로 측정하였다. 본 논문의 결과로서 DDoS 침해가 있는 MANET에서 VoIP 서비스를 운영하기 위해서는 침해가 10초 이상 지속되지 않토록 해야 함을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.260-268
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• 2008

본 논문에서는 MCVoD system의 VoD Server Channel 할당 기법 변경을 통한 성능향상에 대해 논하고, 이에 따른 MCVoD system의 전체 성능을 분석하도록 한다. 또한 시뮬레이션을 통해, 동일한 VoD Server Channel 할당 기법을 사용하는 타 VoD system과 성능을 비교해봄으로써, VoD Server 및 Interchange Agent의 동시 사용에 따른, MCVoD system성능을 평가한다.

• 전자통신동향분석
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• 제19권6호통권90호
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• pp.66-73
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• 2004

2004년도 정보통신부의 IT839 전략에 따르면 8대 신규 서비스로 인터넷 전화(VoIP)와 3대 첨단 인프라로 광대역 통합망(BcN)을 선정한 바 있다. 이에 본 고에서는 9대 신성장동력에서 공동으로 활용하기 위한 VoIP와 BcN을 연계한 기술 동향을 설명한다. SIP 와 H. 323에 의한 VoIP 서비스가 제공되면서 네트워크 구조 변화가 시작되었다. 유선 네트워크, 무선 이동통신 네트워크, 인터넷 등을 통합하는 유무선 통합네트워크(BcN)는 VoIP 기술로 구축될 것이다. 본 고의 구성으로는 VoIP 기술 특성을 설명하고, VoIP 표준 동향을 분석한 후에 앞으로 구축될 BcN VoIP 의 발전 방향에 대하여 설명한다. VoIP 기술은 회선 정합및 인터넷 정합 기술과 H. 323, SIP, MEGACO 등의 프로토콜 기술과 VoIP 품질을 결정하는 코덱 기술이있다. VoIP 표준은 IETF에서 제정한 SIP를 중심으로 네트워크 특성을 고려하여 3GPP, 3GPP2, ITU에서개발하고 있다. BcN VoIP 는 기존의 VoIP 기술을 발전시켜 음성 품질이 오디오 수준으로 향상되고, 유선과 무선, 방송이 통합되는 제어 기술과 연계하여 실시간 멀티미디어 서비스를 제공할 것이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권8호
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• pp.727-732
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• 2008

In this work, the etch characteristics of $VO_2$ thin films were investigated using inductively coupled plasma (ICP) of $Cl_2/Ar$ gas mixtures. To analyze the plasma characteristics, a quadrupole mass spectrometer (QMS), an optical emission spectroscopy (OES), and a Langmuir probe measuring system were used. The surface reaction of the $VO_2$ thin films was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). It was found that an increase in Ar fraction in the $Cl_2/Ar$ plasma at fixed gas pressure, input power, and bias power resulted in increasing $VO_2$ etch rate which reached a maximum value of 87.6 nm/min at 70-75 % Ar. It was confirmed that the etch rate of the $VO_2$ films was mainly controlled by the ion flux. On the basis of measuring results, we will discuss possible etching mechanism of $VO_2$ film in the $Cl_2/Ar$ plasma.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.169.2-169.2
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• 2015

$VO_2$ is a well-known a metal-to-insulator-transition (MIT) material, accompanied with a first order structural phase transition near room temperature. Because of the structural phase transition and the MIT occur near a same temperature, there is an ongoing argument whether the MIT is induced by the structural phase transition. $VO_2$ exhibits a relatively weak anti-oxidization ability and can be oxidized to higher-valence oxides (e.g., $V_4$ $O_7$ or $V_2$ $O_5$) when annealed at a high temperature in an oxygen-rich atmosphere. We fabricated $VO_2$ films on $Al_2$ $O_3$ (0001) substrates using a DC magnetron sputtering deposition process with carefully control the $O_2$ percentage in an atmosphere. X-ray diffraction measurements from the films showed only (0l0) peaks with no extra peaks, indicating b-oriented films. The temperature-dependent local structural properties of $VO_2$ films were investigated by using in-situ X-ray absorption fine structure (XAFS) measurements at the V K edge. XAFS revealed that the structural phase transition was occurred nearly $70^{\circ}C$ for heating process and reproducible. Resistance measurements as a function of temperature (R-T) demonstrated that the resistance of $VO_2$ films was changed by a factor of 4 near $75^{\circ}C$ which was higher than $68^{\circ}C$ reported from a $VO_2$ bulk. We will discuss the MIT of $VO_2$ films, comparing with the local structural properties determined by XAFS measurements.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권10호
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• pp.9-16
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• 2003

본 논문은 VoDSL(Voice over DSL) 가입자용 단말기에 적합한 ATM(Asynchronous Transfer Mode) 프로세서를 제안한다. 제안된 ATM 프로세서는 ATM 단, ATM 적응단의 프로토콜을 처리하는 블록. ATS 스케줄러 등으로 구성되며, ATM 네트워크상에 음성과 데이터 서비스를 위한 4개의 VCC (Virtual Channel Connection)을 지원한다. ATS(Adaptive Time Slot) 스케줄러는 음성 트래픽의 QoS (Quality of Service)를 보장하며 다중 AAL2 패킷을 지원하도록 설계하였다. 제안된 ATM 프로세서는 하이닉스 반도체의 0.35마이크론 공정에서 제작되었으며, 최대 52Mbps의 속도를 지원한다. 본 ATM 프로세서가 탑재된 VoDSL 가입자 장비인 LAD(Integrate Access Device)를 실제 제작하여 테스트용 네트워크 상에서 실험한 통하여 제안된 ATM 프로세서의 하드웨어 구조가 VoDSL 서비스의 대부분의 응용 분야에 성공적으로 적용 될 수 있음을 확인한다.

• 융합정보논문지
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• 제8권5호
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• pp.95-100
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• 2018

금속 산화물/그래핀 형태의 복합 나노소재는 높은 전기용량을 갖는 2차 전지의 전극용 소재 또는 고감도 가스 센서의 감지물질 등으로 활용되는 매우 유용한 기능성 소재이다. 본 논문에서는 열 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)으로 Cu Foil 위에 대면적으로 합성된 CVD 그래핀 및 고정렬 열분해 흑연(HOPG, Highly Oriented Pyrolytic Graphite)으로부터 기계적으로 박리된 그래핀 기판 위에 이산화바나듐($VO_2$) 나노구조물을 기상수송방법으로 직접 성장시키는 연구를 수행하였다. 연구결과 CVD 그래핀 기판의 경우, 그래핀 결정 경계에서 상대적으로 많이 존재하는 기능기들이 $VO_2$ 나노구조물에서 핵형성의 씨앗으로 작용하는 것이 확인되었다. 반면에 HOPG에서 기계적으로 박리된 그래핀 나노시트 표면에는 기능기가 균일하게 분포하기 때문에, 2차원과 3차원 형태로 $VO_2$ 나노구조물이 성장되었다. 이러한 연구결과는 고기능성 $VO_2$/그래핀 나노복합소재를 이용하여 높은 전기용량을 갖는 2차 전지 전극소재 및 고감도 가스 센서의 감지물질 합성에 유용하게 활용될 것으로 전망된다.

• 대한화학회지
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• 제30권5호
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• pp.409-414
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• 1986

황산용액에서 에탄올에 의한 $VO_2^+$이온을 환원시키면 황산바나딜(IV)가 생성된다. 생성물 VOS$O_4$를 포함하는 용액에 대한 분광학적 결과가 보고된다. 에탄올에 의한 $VO_2^+$의 환원에 대한 속도론적 연구는 35${\circ}C$와 50${\circ}C$에서 행하여 졌다. $VO_2^+$의 환원반응메카니즘이 논의되었다.