Tunnel Barrier Engineering (TBE)를 통한 $HfO_2$ Charge Trap Flash (CTF) Memory의 Erasing 특성 향상
(Erasing Characteristics Improvement in $HfO_2$ Charge Trap Flash (CTF) through Tunnel Barrier Engineering (TBE))
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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- pp.7-8
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- 2008