• 한국진공학회지
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• 제6권1호
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• pp.36-43
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• 1997

Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판상에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방식으로 PZT 박막[두께:3000 $\AA$]을 증착하고 RTA방식으로 후속 열처리[열처리온도:$550^{\circ}C$~$650^{\circ}C$, 열처리 시간:10초~50 초]를 실시하여 직경 0.2mm소자의 FECAPs(ferroelectric capacitors)를 제작하였다. 제작된 커패시터의 유전상수($\varepsilon_r$)와 잔류분극($2P_r$)은 $650^{\circ}C$로 30초간 열처리한 시편에서 $\varepsilon_r$ (1kHz)=690, 2Pr(-5V~5V sweep)=22$\muC/\textrm{cm}^2$로 가장 높게 나타났으며 유전정접(tan $\delta$)과 누설전류(Jl)는 $600^{\circ}C$에서 30초간 열처리한 시편에서 $tan\delta(\ge10kHz)\le0.02, \; J_i(5V)=3\mu\textrm{A}/\textrm{cm}^2$로 가장 낮게 나타났다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.284-284
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• 2012

본 연구에서는 다이오드 소자의 온도 증가에 따른 C-V 특성을 분석하였다. 180 kHz 주파수 조건에서 온도는 300 K에서 450 K까지 50 K 간격으로 가변하였다. 측정 결과 reverse bias 영역에서는 커패시턴스의 온도 의존성이 없었으나, forward bias 영역에서는 온도가 증가함에 따라 동일 전압에서의 커패시턴스가 증가하였다. 이로부터 온도가 증가 할수록 소자가 반전(inversion) 상태에서 축적(accumulation) 상태로 빨리 전환함을 확인하였으며, 1/C2-V 그래프로부터 온도 증가에 따른 전위장벽(Built-in potential, Vbi) 감소를 확인하였다. 전위장벽은 0.63 V에서 0.31 V로 온도 상승에 따라 약 0.1 V씩 감소하였다. 이는 energy band diagram에서 p-type 영역과 n-type 영역의 energy band 차가 감소해 공핍층 영역의 폭이 좁아짐을 의미한다. 공핍층의 두께 감소로 다이오드 전류의 급격한 증가뿐 아니라 위에서 언급한 바와 같은 C-V 특성을 보였다. 이번 연구에서는 기존의 보편화 된 I-V 측정을 통한 다이오드 소자 분석과는 달리 온도 변화에 따른 C-V 분석을 통해 소자 내부의 전위 장벽 및 공핍층 폭 감소에 따른 소자 특성 변화를 분석하였다.

• 대한교통학회지
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• 제17권2호
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• pp.21-27
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• 1999

고속도로 시설물 구간의 교통혼잡도(V/C)와 사고율의 관계를 분석하는 것이 본 연구의 목적이다. 본 연구에서 분석된 사고율과 V/C의 관계는 교통사고의 예측과 예방을 위한 기초 자료로 유용하게 쓰일 수 있을 것으로 판단된다. 본 연구에서는 신갈-안산간 고속도로의 개통시(92년)부터 97년까지의 교통량과 사고 자료를 이용하였으며, 시간당 사고율과 V/C를 계산하여 기본구간, 터널구간, 영업소구간의 V/C와 사고율(AR)을 비교·분석하였다. V/C와 사고율의 관계는 모든 구간에서 "U"형의 곡선 형태를 나타냈다. 분석 결과를 보면 V/C가 낮을 때 사고율이 가장 높았으며 V/C가 증가함에 따라 사고율이 감소하다가 일정수준 이상에서는 다시 사고율이 증가하는 것으로 나타났다. 영업소구간의 사고율이 V/C의 전 범위에 걸쳐 기본구간이나 터널구간보다 높게 나타났다. 터널구간의 경우 기본구간과 비교 시 V/C=0.67을 기준으로 그 이하에서는 기본구간이, 그 이상에서는 터널구간이 기본구간보다 사고율이 높은 것으로 분석되었다. V/C가 0.5∼0.8 구간에서는 기본구간과 터널구간의 사고 율이 큰 차이가 없는 것으로 나타났다. 기본구간 터널구간 영업소구간의 V/C가 각각 0.78, 0.75, 0.57일 때 사고율이 가장 낮은 것으로 나타났다.

• 농업과학연구
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• 제28권2호
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• pp.108-115
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• 2001

연약지반의 심도를 고려한 합리적인 압밀도 산정 방법을 제시하기 위하여 연약층이 비교적 얕은 지역인 서해안 지역과 연약지반 깊이로 압밀도를 비교 분석한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 연약지반 심도가 얄은 지역에서 Barron과 Yoshikuni방법은 압밀도를 크게 평가하는 것으로 나타났고, Hansbo와 Onoue방법을 적용할 경우 압밀계수는 $C_h=C_v$로 선정하는 것이 합리적으로 판단된다. 2. 연약지반 심도가 깊은 지역에서 Barron과 Yoshikuni방법을 적용할 경우 압밀계수는 $C_h=C_v$로 선정하며, Hansbo와 Onoue 방법에서는 $C_h=(2{\sim}3)C_v$로 선정하는 것이 합리적으로 판단된다. 3. Hansbo와 Onoue방법에 의한 교란지역 투수계수($k_s$)의 영향범위는 연약지반 심도가 얕은 지역에서는 $k_s=(1/3)k_v$를 적용하고, 심도가 깊은 지역에서는 $k_s=(1{\sim}1/2)k_v$를 적용하는 것이 실측치와 일치하는 것으로 나타났다. 4. Hansbo와 Onoue방법에서 드레인에 의한 교란 영역의 범위는 연약지반 심도가 얕은 경우는 ds=(3~5)dm 범위로 적용하고, 심도가 깊은 경우는 ds=2dm으로 적용하는 것이 실측치와 일치하는 것으로 나타났다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권1호
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• pp.146-150
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• 2005

Two new barium vanadium borophosphate compounds, $(NH_4)_2(C_2H_{10}N_2)_6[Ba(H_2O)_5]_2[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}8H_2O$, Ba- VBPO1 and $(NH_4)_8(C_3H_{12}N_2)_4[Ba(H_2O)_7][V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}17H_2O$, Ba-VBPO2 have been synthesized by interdiffusion methods in the presence of diprotonated ethylenediamine and 1,3-diaminopropane. Compound Ba-VBPO1 has an infinite chain anion (${[BaH_2O)_5]_2[V_2P_2BO_{12}]_6}$$^{14-}$, whereas Ba-VBPO2 has a discrete cluster anion {[$Ba(H_2O)_7][V_2P_2BO_{12}]_6$}$^{16-}$. Crystal Data: $(NH_4)_2(C_2H_{10}N_2)_6[Ba(H_2O)_5]_2[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}8H_2O$, triclinic, space group P$\overline{1}$ (no. 2), a = 13.7252(7) $\AA$, b = 15.7548(8) $\AA$, c = 15.8609(8) $\AA$, α = 63.278(1)$^{\circ}$, $\beta$ = 75.707(1)$^{\circ}$, $\gamma$ = 65.881(1)$^{\circ}$, Z = 1; $(NH_4)_8(C_3H_{12}N_2)_4[Ba(H_2O)_7][V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}17H_2O$, monoclinic, space group C2/c (no. 15), a = 31.347(2) $\AA$, b = 17.1221(9) $\AA$, c = 22.3058(1) $\AA$, $\beta$ = 99.303(1)$^{\circ}$, Z = 4.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.299-299
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• 2016

SiC는 넓은 에너지갭 (Eg=~3.4 eV)을 갖는 반도체로써, 고전압, 고온에서 동작이 가능하여 기존의 Si기반의 파워디바이스를 대체하기 위한 물질로 많은 연구가 이루어지고 있다. 파워 디바이스의 성능 향상을 위해서는 기판과 절연체 사이의 계면에 생성되는 계면 결함을 감소시켜야 한다. 따라서 본 연구에서는 SiC 기판에 high-k 물질인 HfO2를 증착하여 HfO2/SiC 계면에 유도된 결함을 분석하고 이를 감소시킬 수 있는 방법에 대한 연구를 수행하였다. HfO2 박막은 atomic-layer-deposition (ALD) 방법을 이용하여 SiC 기판 위에 $200^{\circ}C$에서 증착하였다. HfO2 박막 증착 후 NH3 분위기에서 rapid thermal annealing 방법을 이용하여 $600^{\circ}C$에서 1분 동안 열처리 진행하였다. Current-voltage (I-V) 측정을 통해 열처리 전 HfO2/SiC의 절연파괴 전압이 약 8.3 V 임을 확인하였다. NH3 열처리 후 HfO2/SiC의 절연파괴 전압이 10 V로 증가하였으며 누설 전류가 크게 감소하는 것을 확인하였다. 또한 capacitance-voltage (C-V) 측정을 통해 열처리 후 flat band voltage가 negative 방향에서 positive 방향으로 이동함을 확인하였고, 이를 통해 NH3 열처리 방법이 HfO2/SiC 계면에 존재하는 결함을 감소시킬 수 있음을 확인하였다. 전자 구조상의 conduction band edge에 존재하는 결함 준위를 분석하기 위해 x-ray absorption spectroscopy (XAS) 분석을 실시하였고, 열처리 전 HfO2/SiC 계면에 많은 결함 준위가 존재함을 확인하였으며, x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석을 통해 이 결함 준위가 oxygen deficiency state과 관련됨을 알 수 있었다. NH3 열처리 후 결과와 비교해보면, oxygen deficiency state가 감소함을 확인하였으며 이로 인해 conduction band edge에 존재하는 결함 준위가 감소함을 알 수 있었다. 따라서, NH3 열처리 방법을 이용하여 HfO2/SiC 계면에 존재하는 결함을 감소시킬 수 있으며, HfO2/SiC의 물리적, 전기적 특성을 향상시킬 수 있다는 결과를 도출하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.211-220
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• 1998

수평 전기로에서 $AgGaS_2$ 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성장하였다. $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성잘할 때 증발원과 기판의 온도를 각각 $590^{\circ}C$, $440^{\circ}C$로 성장하였을 때 이중결정 X-선 요동곡선(double crystal X-ray diffraction rocking curve, DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 124 arcsec로 가장 작아 최적 성장조건이었다. 상온에서 $AgGaS_2$ 단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 2.61cV였다. Band edge에 해당하는 광전도도 peak의 온도 의존성은 Varshni 관계식으로 설명되었으며, Vaeshni 관계식의 상수값은 Eg(0) = 2.7284eV, $\alpha$= 8.695$\times$10-4 eV/K, $\beta$= 332K 로 주어졌다. 광발광 봉우리는 20K에서 414.3nm(2.9926eV)와 414.1nm(2.7249eV)는 free exciton(Ex)의 upper polariton과 lower polariton인 {{{{{E}`_{x} ^{u} }}}}와 {{{{{E}`_{x} ^{L} }}}}, 423.6nm(2.9269eV)는 bound exciton emission에 의한 I로 관측되었다. 또한 455nm(2.7249eV)의 peak는 donor-acceptor pair(DAP)에 기인하는 광발광 봉우리로 관측되었다.

• 멤브레인
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• 제20권1호
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• pp.62-68
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• 2010

Cermet 분리막 제조를 위한 혼합 분말은 60 vol.% vanadium과 $Y_2O_3$-stabilized $ZrO_2$ (YSZ)를 기계적으로 혼합하여 준비하였다. 혼합 분말을 원판으로 압축한 후 진공 분위기에서 $1600^{\circ}C$로 2시간동안 소결하였다. 소결 분리막은 치밀하였고, 브레이징 필러를 이용하여 스테인레스 링에 장착되었다. V/YSZ 분리막의 수소 투과량은 100% 수소를 흘려 $200{\sim}350^{\circ}C$ 범위에서 측정되었다. $350^{\circ}C$, 0.5 bar압력에서 분리막의 양 표면에 균열이 형성되었다. 투과실험 동안에 V/YSZ 분리막의 vanadium은 수소와 반응하여 $V_2H$를 생성하였으며, 이로 인해 분리막이 균열되는 것을 알 수 있었다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제7권1호
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• pp.81-92
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• 1996

Ar/Ar-$H_{2}$ 플라즈마법으로 V, Ta, B산화물과 금속의 환원 및 정련을 행하였다. 다시말해 Ar 플라즈마에서의 고온환원반응 및 Ar-(20%)$H_{2}$ 플라즈마에서의 정련 반응에 대한 연구를 각각 수행하였다. Ar 플라즈마 환원에 의하여 $C/V_{2}O_{5}$=4.50의 비에서 순도 96wt%의 조금속 Vdmf 얻었고, 바나듐 산화물의 열분해에 의한 $O_{2}$의 손실로 인해 $C/V_{2}O_{5}$=4.50에서 최대환원도가 얻어졌다. Ar-(20%)$H_{2}$ 플라즈마 정련에서는 $C/V_{2}O_{5}$=4.40의 비에서 99.2wt%의 금속 V을 얻었고, 주된 정련반응은 잔류탄소와 잔류산소의 반응으로 판단된다. 금속 Ta은 Ar 플라즈마 환원에 의하여 $C/Ta_{2}O_{5}$=5.10의 비에서 99.8wt%가 얻어졌고, $Ta_{2}O_{5}$의 열분해에 의한 $O_{2}$ 손실은 발생하지 않았다. Ar-(20%)$H_{2}$ 플라즈마 정련시 탈산반응이 탈탄반응보다 현저했으며, $C/Ta_{2}O_{5}$비가 4.50-5.10의 범위에서 99.9wt%의 금속 Ta을 제조하였다. 이 비에서는 탈산반응에 의한 잔류산소의 감소로 Ta외 Vickers 경도가 약 220Hv였다. 한편, Ar 및 Ar-$H_{2}$ 플라즈마에 의한 $B_{2}O_{3}$의 환원에는 C이 환원제로서 적합하지 않았으나, Fe원 소재와 C, $B_{2}O_{3}$ 및 페로보론을 고주파 유도 용해하였을 때 용강중에서의 $B_{2}O_{3}$의 환원으로 Fe-B-Si 합금을 얻었다.

• 한국자기학회지
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• 제8권2호
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• pp.62-66
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• 1998

본 논문은 자기적 특성이 우수한 Ni-Zn-Cu ferrite를 얻기 위해 Bi2O3와 V2O5를 첨가하여 90$0^{\circ}C$에서 4시간 동안 소결한 후 각각의 시편에 대해서 물리적, 자기적 특성을 조사하였다. 큐리 온도는 Ni의 첨가량이 증가할수록 240~27$0^{\circ}C$까지 거의 직선적으로 증가하였다. 첨가제로 V2O5 와 Bi2O3를 사용한 경우 저온에서 소결을 가능하게 하여 최대 자속 밀도 Bm을 2650G에서 각각 3300G, 3500G로 높일수 있었으며 보자력은 2.05~1.05Oe까지 감소하였다. 첨가제로 V2O5와 Bi2O3를 사용한 경우 모두 투자율이 증가하였다. 상대 손실 계수는 Bi2O3를 첨가한 경우 입게의 비저항을 높여, 1 MHz의 주파수 대역에서 상대 손실 계수를 측정한 결과 6.3$\times$10-5~7.84$\times$10-5의 낮은 값을 얻었다. V2O5의 경우에는 투자율은 증가하였으나 Q값이 감소하여 상대 손실 계수가 증가하였다.