• 제목/요약/키워드: V.A.K.

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Missing teeth after maxillofacial trauma: a case report and management protocol

  • Ramaraj, P.N.;Mahabaleshwara, C.H.;Rohit, Singh;Abhijith, George;Vijayalakshmi, G.
    • Journal of the Korean Association of Oral and Maxillofacial Surgeons
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    • 제46권6호
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    • pp.422-427
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    • 2020
  • Management of maxillofacial trauma includes primary care, in which diagnosis and management of dentoalveolar injury play a vital role. Due to the impact sustained during a maxillofacial injury (whether direct or indirect), dentoalveolar injuries can occur, leading to fracture and displacement of teeth and associated alveolar bone into the surrounding soft tissues and associated structures, such as the maxillary sinus, nasal cavity, upper respiratory tract, tracheobronchial tree, or gastrointestinal tract. Undiagnosed displaced teeth may cause complications such as airway obstruction. This paper reports a case of displaced teeth in the nasal cavity and gastrointestinal tract and highlights the management protocol for displaced teeth secondary to maxillofacial trauma.

Surface Defects States on a SiO2/Si Observed by REELS

  • Kim, Juhwan;Kim, Beomsik;Park, Soojeong;Park, Chanae;Denny, Yus Rama;Seo, Soonjoo;Chae, Hong Chol;Kang, Hee Jae
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.271-271
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    • 2013
  • The defect states of a Ar-sputtered SiO2 surface on Si (001) were investigated using Auger electron spectroscopy (AES) and reflection electron energy loss spectroscopy (REELS). The REELS spectra at the primary electron energy of 500 eV showedthat three peaks at 2.5, 5.1, and 7.2 eV were found within the band gap after sputtering. These peaks do not appear at the primary electron energies of 1,000 and 1,500 eV, which means that the defect states are located at the extreme surface of a SiO2/Si thin film. According to the calculations, two peaks at 7.2 and 5.1 eV are related to neutral oxygen vacancies. However, the third peak at 2.5 eV has never been previously reported and the theories proposed that this defect state may be due to Si-Si bonding. Our Auger data showed that a peak for Si-Si bonding at 89 eV appears after Ar ion sputtering on the surface of the sample, which is consistent with the theoretical models.

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NONTRIVIAL SOLUTIONS FOR AN ELLIPTIC SYSTEM

  • Nam, Hyewon;Lee, Seong Cheol
    • Korean Journal of Mathematics
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    • 제23권1호
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    • pp.153-161
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    • 2015
  • In this work, we consider an elliptic system $$\left{\array {-{\Delta}u=au+bv+{\delta}_1u+-{\delta}_2u^-+f_1(x,u,v) && in\;{\Omega},\\-{\Delta}v=bu+cv+{\eta}_1v^+-{\eta}_2v^-+f_2(x,u,v) && in\;{\Omega},\\{\hfill{70}}u=v=0{\hfill{90}}on\;{\partial}{\Omega},}$$, where ${\Omega}{\subset}R^N$ be a bounded domain with smooth boundary. We prove that the system has at least two nontrivial solutions by applying linking theorem.

k-PRIME CORDIAL GRAPHS

  • PONRAJ, R.;SINGH, RAJPAL;KALA, R.;NARAYANAN, S. SATHISH
    • Journal of applied mathematics & informatics
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    • 제34권3_4호
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    • pp.227-237
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    • 2016
  • In this paper we introduce a new graph labeling called k-prime cordial labeling. Let G be a (p, q) graph and 2 ≤ p ≤ k. Let f : V (G) → {1, 2, . . . , k} be a map. For each edge uv, assign the label gcd (f(u), f(v)). f is called a k-prime cordial labeling of G if |vf (i) − vf (j)| ≤ 1, i, j ∈ {1, 2, . . . , k} and |ef (0) − ef (1)| ≤ 1 where vf (x) denotes the number of vertices labeled with x, ef (1) and ef (0) respectively denote the number of edges labeled with 1 and not labeled with 1. A graph with a k-prime cordial labeling is called a k-prime cordial graph. In this paper we investigate the k-prime cordial labeling behavior of a star and we have proved that every graph is a subgraph of a k-prime cordial graph. Also we investigate the 3-prime cordial labeling behavior of path, cycle, complete graph, wheel, comb and some more standard graphs.

Internal Waves of a Two-Layer Fluid with Free Surface over a Semi-circular bump

  • Choi J. W.
    • 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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    • 한국전산유체공학회 1995년도 추계 학술대회논문집
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    • pp.126-131
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    • 1995
  • In this paper we study steady capillary-gravity waves in a two-layer fluid bounded above by a free surface and below by a horizontal rigid boundary with a small obstruction, Two critical speeds for the waves are obtained. Near the smaller critical speed, the derivation of the usual forced KdV equation (FKdV) fails when the coefficient of the nonlinear term in the FKdV vanishes. To overcome this difficulty, a new equation called a forced extended KdV equation (FEKdV) governing interfacial wave forms is obtained by a refined asymptotic method. Various solutions and numerical results of this equation are presented.

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Passivation Ledge를 이용한 SiGe HBT의 Current Gain Modulation (A SiGe HBT of Current Gain Modulation By using Passivation Ledge)

  • 유병성;조희엽;구용서;안철
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.771-774
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    • 2003
  • Passivation Ledge's device is taken possession on one-side to the Emitter in this Paper. contact used in this paper Pt as Passivation Ledge of device to use Schottky Diode which has leitmotif, It is accomplished Current Modulation that we wish to do purpose using this device. Space Charge acts as single device which is becoming Passivation to know this phenomenon. This device becomes floating as well as Punched-through. V$_{L}$ (Voltage for Ledge) = - 0.5V ~ 0.5V variable values , PD(Partially Depleted ; Λ>0), as seeing FD(Fully Depleted ; A = 0) maximum electric current gains and Gummel Plot of I-V characteristics (V$_{L}$ = 0.1/ V$_{L}$ = -0.1 ). Becomming Degradation under more than V$_{L}$ = 0.1 , less than V$_{L}$ =-0.05 and Maximum Gain(=98.617076 A/A) value in the condition V$_{L}$ = 0.1. A Change of Modulation is electric current gains by using Schottky Diode and Extrinsic Base PN Diode of Passivation Ledge to Emitter Depletion Layer in HBT of Gummel-Poon I-V characteristics and the RF wide-band electric current gains change the Modulation of CE(Common-Emitter) amplifier description, and it had accomplished Current Gain Modulation by Ledge Bias that change in high frequency and wide bands. wide bands.s.

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리튬이차전지용 바나듐계 복합양극의 특성 (The Characteristics of Vanadium based Composite Cathode for Lithium Secondary Battery)

  • 김종진;손원근;김재용;박수길
    • 전기화학회지
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    • 제2권2호
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    • pp.61-65
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    • 1999
  • 리튬이차전지용 양극물질로서 $LiV_3O_8$의 새로운 합성방법이 그 전기화학적 거동을 향상시키는 것으로 제안되고 있다. $LiV_3O_8$을 수용성 lithium trivanadate 겔의 탈수에 의해 잘 분산된 형태로 얻어진다. $LiV_3O_8$의 초음파처리방법은 solutionmethod에 의해 만들어진 초기상태의 $LiV_3O_8$과 비교된다. 수용액상에서 초음파처리 된 물질은 XRD, TGA, SEM등으로 물리적특성을 확인하였다. 이런 방법들은 수용성 $LiV_3O_8$의 초음파처리공정이 결정성을 감소시키고 비표면적과 공간용량을 향상시키는 것으로 나타났다. 특히 2시간 동안 초음파처리한 것은 높은 방전용량을 가지며, 대용량의 손실없이 충방전사이클이 이루어졌다. 따라서, 초음파처리 된 $LiV_3O_8$은 공간용량을 향상시킬 뿐만 아니라 사이클거동 역시 향상되었다.

실리사이드를 이용한 새로운 고내구성 실리콘 전계방출소자의 제작 (Fabrication of New Silicided Si Field Emitter Array with Long Term Stability)

  • 장지근;윤진모;정진철;김민영
    • 한국재료학회지
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    • 제10권2호
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    • pp.124-127
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    • 2000
  • Si FEA로부터 tip의 표면을 Ti 금속으로 silicidation한 새로운 3극형 Ti-silicided Si FEA를 제작하고 이의 전계 방출특성을 조사하였다. 제작된 소자에서 단위 pixel(pixel area : $1000{\mu\textrm{m}}{\times}1000{$\mu\textrm{m}}$, tip array : $200{\mu\textrm{m}}{\times}200{$\mu\textrm{m}}$)을 통해 측정된 전계 방출 특성은 $10^8Torr$의 고진공 상태에서 turn-on 전압이 약 70V로, 아노드 방출전류의 크기와 current degradation이 $V_A=500V,\;V_G=150V$ 바이어스 아래에서 각각 2nA/tip와 0.3%/min로 나타났다. 3극형 Ti-silicided Si FEA의 낮은 turn-on 전압과 높은 전류안정성은 Si tip 표면에 형성된 실리사이드 박막의 열화학적 안정성과 낮은 일함수에 기인하는 것으로 판단된다.

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회전자 슬롯치수에 따른 견인용 유도전동기 특성에 관한 연구 (A Study on Characteristics of Traction Induction Motor According to Rotor Slot-parameters)

  • 구대현;강도현;하회두;박정우;이재봉;김종무
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 A
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    • pp.230-233
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    • 1997
  • In this study, design and analysis of 3-phase induction moter are as follows. - Motor characteristics analysis by equivalent circuit ${\cdot}$ Motor characteristics analysis according to variation of rotor slot-tip ${\cdot}$ Motor characteristics analysis according to variation of rotor slot-mouse ${\cdot}$ Motor characteristics analysis according to variation of rotor slot-opening

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유방암 환자에서 보조적 방사선치료 후의 폐 손상 (Radiation-induced Pulmonary Toxicity following Adjuvant Radiotherapy for Breast Cancer)

  • 문성호;김태정;엄근용;김지현;김성원;김재성;김인아
    • Radiation Oncology Journal
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    • 제25권2호
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    • pp.109-117
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    • 2007
  • 목 적: 유방암 환자에서 보조적 방사선치료 후 호흡기 증상을 동반한 방사선 폐렴(SRP) 및 방사선학적 폐 독성(RPT)의 빈도 및 이에 영향을 미치는 예측인자를 알아보고자 하였다. 특히 3차원 방사선계획에서 얻은 선량체적히스토그람(DVH) 인자와 RTP의 상관관계를 중심으로 분석해보고자 하였다. 대상 및 방법: 2003년 9월부터 2006년 2월까지 171명의 환자가 유방암으로 수술 후 방사선치료를 받았다. 2개의 tangential photon 조사야가 통상적으로 사용되었고, 액와부 림프절 전이 정도에 따라 anterior oblique photon 조사야를 추가하였다. 유방 보존술 후 보조적 방사선치료를 받은 침윤성 유방암 환자에는 전자선을 이용한 boost가 적용되었다. 방사선 치료 후의 정기추적 흉부 단순촬영소견을 흉부방사선전문의와 함께 검토, 분석하였다. RTOG 특성기준 및 modified WHO grading system을 적용하였다. 조사받은 방사선량에 따라 $V_{15},\;V_{20},\;V_{30}$ 및 mean lung dose (MLD)를 구하되, 동측 폐를 tangential 및 SCL 영역으로 구분하여, 각각의 DVH parameters 즉 $V_{15\;TNGT},\;V_{20\;TNGT},\;V_{30\;TNGT},\;MLD_{TNGT}$$V_{15\;SCL},\;V_{20\;SCL},\;V_{30\;SCL},\;MLD_{SCL}$을 구하여 RPT와의 상관관계를 분석하였다. 결 과: 호흡기 증상을 동반한 방사선 폐렴(SRP)이 4예(2.1%)에서 발생하였다(RTOG grade 3가 3예 grade 1이 1예). 나이 흡연여부, 기존폐질환유무, 항암요법, 호르몬치료, regional RT 여부 등은 SRP와 무관하였다. 3-RTP가 시행된 137예 중 13.9%에서 tangential 영역에 RPT가 발생하였다. Regional RT를 받은 59 중 49.2%에서 SCL 영역에 RPT가 발생하였다. Regional RT 유무(p<0.001), 환자의 나이(p=0.039), V15 TNGT를 제외한 모든 DVH parameter들이 RPT와 유의한 상관관계를 나타내었다. $MLD_{TNGT}$는 TNGT 영역의 RPT를, $V_{15\;SCL}$는 SCL 영역의 RPT를 예측하기에 적합한 것으로 분석되었다. 결 론: 본 연구에서 SRP의 빈도는 매우 낮았다. Regional RT 여부와 환자의 나이, DVH parameter들이 RPT와 유의한 상관관계를 나타내었으며, $MLD_{TNGT}$는 TNGT 영역에서, $V_{15\;SCL}$는 SCL 영역에서 RPT의 유의한 예측인자였다.