Objectives : Osteoporosis is a systemic skeletal disorder characterized by reduced bone mineral density and increased risk of fractures. Bisphosphonates and selective estrogen receptors, which are bone resorption inhibitors that are currently widely used as osteoporosis treatments, show serious side effects when administered for a long time. Research on bone resorption inhibitors that complement the problems of existing treatments is needed. The purpose of this study was to investigate the effect of inhibiting osteoclast differentiation and activity on the tuberous root of Ampelopsis japonica (Thunb.) Makino (AM). Methods : After extracting AM using distilled water and ethanol, the inhibitory effects of the two solvents on osteoclast differentiation were compared using the RANKL-induced in vitro experimental model and the TRAP assay kit. The impact of AM on bone resorption was investigated through the pit formation assay, and its effect on F-actin formation was assessed through fluorescent staining. Additionally, protein and mRNA expression levels of osteoclast differentiation markers (NFATc1, c-Fos, TRAP and ATP6v0d2) and resorption markers (MMP-9, CTK, and CA2) were analyzed via western blot and RT-PCR. Results : AM treatment significantly decreased the number of TRAP-positive cells and pit formation area. Furthermore, AM suppressed both the protein and mRNA expression of NFATc1 and c-Fos, key transcription factors involved in osteoclast differentiation and it downregulated the expression of osteoclast-associated genes such as TRAP, CTK, MMP-9, CA2, and ATP6v0d2. Conclusions : These results suggest that AM can inhibit bone resorption and osteoclast differentiation, indicating its potential for use in the treatment and prevention of osteoporosis.
$ZrO_2$ films were coated on aluminum etching foil by the sol-gel method to apply $ZrO_2$ as a dielectric material in an aluminum(Al) electrolytic capacitor. $ZrO_2$ films annealed above $450^{\circ}C$ appeared to have a tetragonal structure. The withdrawal speed during dip-coating, and the annealing temperature, influenced crack-growth in the films. The $ZrO_2$ films annealed at $500^{\circ}C$ exhibited a dielectric constant of 33 at 1 kHz. Also, uniform $ZrO_2$ tunnels formed in Al etch-pits $1{\mu}m$ in diameter. However, $ZrO_2$ film of 100-200 nm thickness showed the withstanding voltage of 15 V, which was unsuitable for a high-voltage capacitor. In order to improve the withstanding voltage, $ZrO_2$-coated Al etching foils were anodized at 300 V. After being anodized, the $Al_2O_3$ film grew in the directions of both the Al-metal matrix and the $ZrO_2$ film, and the $ZrO_2$-coated Al foil showed a withstanding voltage of 300 V. However, the capacitance of the $ZrO_2$-coated Al foil exhibited only a small increase because the thickness of the $Al_2O_3$ film was 4-5 times thicker than that of $ZrO_2$ film.
초전도 시스템에서 전류를 공급하는 역할을 하는 전류리드는 없어서는 안 될 핵심 부품이다. Powder-in-tube(PIT) 법으로 제작한 1세대(1G) 고온초전도 선재보다 열전달특성이 나쁜 2세대(2G) 고온초전도 선재를 이용하여 고온초전도 전류리드를 제작하였다. 사용한 선재는 미국 AMSC사 선재이다. 초전도 자석으로의 열침입을 최소화하기 위해 지지구조물은 GFRP를 사용하였고 금속연결부는 무산소동을 사용하였다. 2G 선재 6가닥을 사용하여 제작한 전류리드는 액체질소 온도에서 I-V 특성을 평가한 결과 약 400 A급 전류리드도 사용 가능하다고 판단되었으며, 열전달 특성을 측정하기 위해 무냉매형 특성평가장치를 사용하였는데, 77 K과 7 K 사이에서 약 50 mW정도 였다. 본 논문에선 2G 고온초전도 선재를 사용하여 제작한 전류리드의 전기적 열적 특성에 대해 논의하고자 한다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.314.2-314.2
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2014
To improve the optical and electrical properties of commercialized GaN-based light-emitting diodes (LEDs), many methods are suggested. In recent years, great efforts have been made to improve the internal quantum efficiency and light extraction efficiency (LEE) and promising approaches are suggested using a patterned sapphire substrate (PSS), V-pit embedded LED structures, and silica nanostructures. In this study, we report on the enhancement of photoluminescence (PL) intensity in GaN-based LED structures by using the combination of SiO2 (silica) nanospheres and polystyrene/SiO2 core-shell nanospheres. The SiO2 nanospheres-coated LED structure shows the slightly increased PL intensity. Moreover the polystyrene/SiO2 core-shell nanospheres-coated structure shows the more increase of PL intensity comparing to that of only SiO2 spheres-coated structure and the conventional structure without coating of nanospheres. The Finite-difference time-domain (FDTD) simulation results show corresponding result with experimentally observed results. The mechanism of enhancement of PL intensity using the coating of polystyrene/SiO2 core-shell nanospheres on LED surface can be explained by the improvement in extraction efficiency by both increasing the probability of light escape by reducing Fresnel reflection and by multiple scattering within the core-shell nanospheres.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.38
no.6
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pp.241-247
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2005
Effects of Al and Cr alloying elements on the corrosion behavior of Fe-Al-Cr alloy system was investigated using potentiodynamic and cyclic potentiodynamic polarization tests(CPPT) in the $H_2SO_4$ and HCI solutions. The corrosion morphologies in Fe-Al-Cr alloy were analysed by utilizing scanning electron microscopy(SEM) and EDX. It was found that the corrosion potential of Fe-20Cr-20Al was highest whereas the critical anodic current density and passive current density were lower than that of the other alloys in 0.1 M $H_2SO_4$ solution. The second anodic peak at 1000 mV disappeared in the case of alloys containing high Al and low Cr contents. Pitting potential increased with increasing Cr content and repassivation potential decreased with decreasing Al content in 0.1 M HCI solution. Fe-Al-Cr alloy containing high Al and Cr contents showed remarkably improved pitting resistance against $Cl^-$ attack from pit morphologies.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.464-467
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1999
The undoped-InSe and Sn-doped InSe single crystals were grown by vertical Bridgman method and their properties were invesigated. The orientations and the crystallinites of these crystals were identified by X-ray diffraction(XRD), double crystal rocking curve(DCRC) and etch-pit density(EPD) measurements. From the Raman spectrum at room temperature, TO, LO modes and together with their overtones and combinations were observed. Optical properties were inves ated by PL at 12K and direct band gap of these crystals obtained from optical absorption spectrum. Compared with undo&-InSe, electrical properties of Sn-doped InSe were increased and the electrical conductivity type were n-type. But electrical properties along growth direction of crystals and radial direction of wafer showed nearly uniform distribution. The Zn diffusion mechanism in InSe could be explained by interstitial-substitutional and vacancy complex models and the activation energy of 1.15-3.01eV were needed for diffusion.fusion.
The possibility of using cotton stems as a roughage source in animal feeding was explored. Ground cotton stems (T2 and T3) or stems treated with 0.5% urea (T4 and T5) were ensiled with pearl millet green fodder in double lined plastic bags of 3 kg capacity for 50 days. Formic acid (0.4% v/v) was sprayed on T3 and T5 silages. The treatments were compared with pearl millet silage alone (T1) which constituted the control. All the bags were placed in the silo pit of pearl millet silage. Results indicated that urea treatment of cotton stems increased and formic acid application reduced dry matter loss of the silages. Inclusion of cotton stems in the silage significantly (p<0.05) increased CF, ADF, cellulose and ADL due to its higher cell wall content. The hemicellulose was significantly lower in T3 (16.7%) and T5 (22.52%) as compared to T2 (23.45%) and T4 (24.6%) due to formic acid application. Ammoniation significantly increased NH3-N content in T4 (0.202%) and formic acid controlled NH3-N level in T5 (0.107%).The in sacco dry matter digestibility was significantly higher (p<0.05) in formic acid preserved silages T3 and T5 (47.73 and 47.93%) as compared to silages without formic acid (44.94 and 41.22 %) in T2 and T4 respectively, but lower than T1 (54.39%). It is concluded that cotton stems can be ensiled with pearl millet fodder in 1:4 ratio with or without urea treatment. Formic acid application further increases the silage quality.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.10
no.4
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pp.337-343
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2000
Prism plane slip {11$\bar{2}$0}1/3{$\bar{1}$120} location velocity in sapphire ($\alpha$-Al$_2$O$_3$) single crystals was measured by etch-pit method. The dislocation velocities were measured as a function of temperature and stress between $1150^{\circ}C$ and $1400^{\circ}C$ for engineering stresses in the range 140 to 250 MPa. The dependence of temperature and stress in dislocation velocity was investigated. The activation energy for dislocation velocity was determined to be 4.2$\pm$0.4 eV. On the other hand, the stress exponent (m) describing the stress dependence of dislocation velocities was in the range of 4.5$\pm$0.8. Through this experiments, it was reconfirmed that the basal plane in sapphire single crystals has the 3-fold symmetry.
In this investigation, electrochemical characteristics and damage behavior of 316L stainless steel polymer electrolyte membrane fuel cell(PEMFC) were analyzed by potentiodynamic and potentiostatic tests in cathode operating condition of PEMFC. As the result of potentiodynamic polarization test, range of passive region was larger than range of active region. In the result of potentiostatic test, damage depth and width, pit volume, and surface roughness were increased 1.57, 1.27, 2.48, and 1.34 times, respectively, at 1.2 V compared to 0.6 V at 24 hours. Also, as a result of linear regression analysis of damage depth and width graph, trend lines of damage depth and width according to applied potentials were 16.6 and 14.3 times larger, respectively. This demonstrated that applied potential had a greater effect on pitting damage depth of 316L stainless steel. The damage tendency values were 0.329 at 6 hours and 0.633 at 24 hours with applied potentials, representing rapid growth in depth direction according to the test times and applied potentials. Scanning electron microscopy images revealed that surface of specimen exhibited clear pitting damage with test times and applied potentials, which was thought to be because a stable oxide film was formed by Cr and Mo.
Kim, T.H.;Park, G.H.;Son, M.K.;Kim, W.G.;Jang, S.H.;Choe, H.C.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.41
no.5
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pp.226-231
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2008
Titanium and its alloy have been widely used in dental implant and orthopedic prostheses. Electrochemical characteristics of dental implant in the various simulated body fluids have been researched by using electrochemical methods. Ti-6Al-4V alloy implant was used for corrosion test in 0.9% NaCl, artificial saliva and simulated body fluids. The surface morphology was observed using scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive x-ray spectroscopy (EDX). The electrochemical stability was investigated using potentiosat (EG&G Co, 263A). The corrosion surface was observed using scanning electron microscopy (SEM). From the results of potentiodynamic test in various solution, the current density of implant tested in SBF and AS solution was lower than that of implant tested in 0.9% NaCl solution. From the results of passive film stability test, the variation of current density at constant 250 mV showed the consistent with time in the case of implant tested in SBF and AS solution, whereas, the current density at constant 250mV in the case of implant tested in 0.9% NaCl solution showed higher compared to SBF and AS solution as time increased. From the results of cyclic potentiodynamic test, the pitting potential and |$E_{pit}\;-\;E_{corr}$| of implant tested in SBF and AS solution were higher than those of implant tested in 0.9% NaCl solution.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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