• 에너지공학
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• 제28권4호
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• pp.42-47
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• 2019

본 연구에는 유화제, 살충제, 첨가제, 고무 가황 촉진제, 부식 억제제제 및 염료 생산의 원재료 등으로 다양하게 사용되고 있는 디노말부틸아민(di-n-buthylamine)을 선정하여 연소특성치를 측정하였다. 디노말부틸아민의 인화점은 밀폐식 Setaflash와 Pensky-Martens 그리고 개방식 Tag, Cleveland 장치로 측정하였고, 연소점은 개방식 장치를 이용하였다. 최소자연발화온도(AIT)는 ASTM 659E를 사용하였다. 그리고 디노말부틸아민의 폭발한계는 측정된 인화점을 이용하여 예측하였다. Setaflash와 Pensky-Martens에 의한 인화점은 38 ℃와 43 ℃로 측정되었고, Tag와 Cleveland는 각각 48로 동일하게 측정되었다. 디노말부틸아민의 AIT는 247 ℃로 측정되었다. Setaflash에서 측정된 인화점에 의한 폭발하한계는 0.69 vol%, 상한계는 7.7 vol%로 계산되었다. 본 연구에서 제시한 인화점 측정과 폭발한계의 예측 방법은 다른 가연성액체의 화재 및 폭발특성 연구에 활용이 가능하다.

• 에너지공학
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• 제23권4호
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• pp.169-175
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• 2014

에틸벤젠의 안전한 취급을 위해, 폭발한계는 문헌을 통해 고찰하였으며, 인화점과 발화지연시간에 의한 자연발화온도는 시험장치를 이용하여 측정하였다. 인화점의 경우 밀폐식 장치인 Setaflash와 Penski-Martens에 의한 하부인화점은 각 각 $20^{\circ}C$와 $22^{\circ}C$로 측정되었으며, 개방식인 Tag와 Cleveland에서는 각 각 $25^{\circ}C$와 $28^{\circ}C$로 측정되었다. ASTM E659 장치를 사용하여 자연발화온도와 발화지연시간을 측정하였고, 최소자연발화온도는 $430^{\circ}C$로 측정되었다. 에틸벤젠의 측정된 인화점을 이용하여 폭발하한계와 상한계는 0.93 Vol.%와 7.96 Vol.%로 계산되었다.

• 한국가스학회지
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• 제18권4호
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• pp.44-50
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• 2014

아닐린의 안전한 취급을 위해, 폭발한계는 문헌을 통해 고찰하였으며, 인화점과 발화지연시간에 의한 자연발화온도는 시험장치를 이용하여 측정하였다. 인화점의 경우 밀폐식 장치인 Setaflash와 Penski-Martens 에 의한 하부인화점은 각 각 $66^{\circ}C$와 $73^{\circ}C$로 측정되었으며, 개방식인 Tag와 Cleveland 에서는 각 각 $72^{\circ}C$와 $78^{\circ}C$로 측정되었다. ASTM E659 장치를 사용하여 자연발화온도와 발화지연시간을 측정하였고, 최소 자연발화온도는 $590^{\circ}C$로 측정되었다. 아닐린의 측정된 인화점을 이용하여 폭발하한계와 상한계는 1.16 Vol.%와 8.36 Vol.%로 게산되었다.

• 한국가스학회지
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• 제23권6호
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• pp.17-24
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• 2019

산업현장에서 사용되고 있는 인화성물질의 연소특성치로는 하부/상부인화점. 폭발하한계/상한계, 최소자연발화온도(AIT), 연소점, 최소산소농도(MOC) 등이 있다. 공정 및 근로자 안전을 위해서는 이들 특성치의 정확한 평가가 이루어져야 한다. 본 연구에서는 에폭시수지와 폴리우레탄의 용매, 올레핀의 산화제, 연료용 기름과 바이오물질의 주원료 등으로 다양하게 사용되고 있는 tert-Amylalcohol(TAA)를 선정하였다. 그 이유는 다른 가연성물질에 비해 연소특성치의 신뢰성에 비교 고찰하였다. TAA의 인화점은 밀폐식 Setaflash, Pensky-Martens와 개방식 Tag, Cleveland 장치로 측정하였고, AIT는 ASTM 659E를 사용하였다. 그리고 TAA의 폭발하한계/상한계는 측정된 하부/상부인화점을 이용하여 예측하였다. Setaflash, Pensky-Martens에 의한 인화점은 19 ℃와 21 ℃, Tag와 Cleveland는 각각 28 ℃와 34 ℃, AIT는 437 ℃로 측정되었다. Setaflash에서 측정된 인화점에 의한 폭발하한계/상한계는 1.1 vol%와 11.95 vol%로 계산되었다.

• 한국가스학회지
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• 제26권5호
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• pp.22-27
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• 2022

반도체 생산 설비 중 ALD는 열이나 플라즈마로 분해한 Gas를 Wafer에 증착시켜 원자층을 형성시키는 설비로 주로 인화성 물질인 NH₃와 SIH4이 사용된다. 이중 NH₃는 연소·폭발 범위가 상한(UFL) 33.6%, 하한(LEL) 15%로 폭발 범위가 비교적 좁지만 많은 양이 갑자기 한곳에 모이면 폭발할 수 있고, 피부에 닿거나 흡입하면 치명적이다. NH₃는 ALD Gas inlet의 배관과 전기·기계 기구를 통해 Chamber로 공급되는데 많은 누출 가능점이 존재하여 누출 시 화재·폭발 또는 중독 사고로 이어질 수 있어 NH₃ 누출 시나리오에 대한 내부 유동과 제어 속도를 이해하고 고환기가 가능한 배기장치를 설계하는 것이 필요하여 본 연구자는 NH₃의 누출시나리오를 CFD에 적용하여 내부유동과 제어 속도를 수치 분석하여 설계 시 반영할 수 있도록 하였다.