• 제목/요약/키워드: Ultra Wide Band

검색결과 373건 처리시간 0.025초

용액 공정 기반 NiO/ZnO계 자외선 센서용 재료 특성 연구 (A Study on the Material Characteristics of the NiO/ZnO Ultraviolet Sensor Based on Solution Process)

  • 문성철;이지선;노경재;양성주;이성의
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제30권8호
    • /
    • pp.508-513
    • /
    • 2017
  • Ultraviolet (UV) photodetectors are used in various industries and fields of research, including optical communication, flame sensing, missile plume detection, astronomical studies, biological sensors, and environmental research. However, general UV detectors that employ Schottky junction diodes and p-n junctions have high fabrication cost and low quantum efficiency. In this study, we investigated the characteristics of materials used to manufacture UV photodetectors in a low-cost solution process that requires easy fabrication of flexible substrates. We fabricated p-type NiO and n-type ZnO substrates with wide band gap by the sol-gel method and compared the characteristics of substrates prepared under different spin-coating and heat-treatment conditions.

에지를 가진 평면 모노폴 안테나의 무선랜 대역 저지에 관한 연구 (A Study on Notched Wi-Fi Bandwidth of Planar Monopole Antenna with Edge)

  • 이윤민;이재춘
    • 디지털산업정보학회논문지
    • /
    • 제9권4호
    • /
    • pp.43-49
    • /
    • 2013
  • In this paper, it is designed inverted triangle structural planar monopole antenna with edge and rectangle slot for UWB(Ultra Wide Band) communication (3.1~10.6 GHz) and researched in about 5.8 GHz notch structure to prevent interference between UWB systems and existing wireless systems for using Wi-Fi service. The antenna have broadband property structurally through inverted triangle structural planar monopole which have edge. and rectangle form addition planned notch slot of 1 mm and height 0.1 mm. Monopole and ground of proposed antenna exist on coplanar plane, and excite as CPW. It used FR4 epoxy dielectric substrate of ${\varepsilon}r$=4.4, and the size is $20{\times}20{\times}1.6$ mm dimension. The measured results that are obtained return loss under -10 dB through 3.1~10.6 GHz(7.5 GHz) without Wi-Fi bandwidth and maximum gain of 8.44 dBi at E-plane. Radiation pattern is about the same that of dipole antenna at all frequency. And using notch slot and it will be able to confirm the quality which becomes notch from 5.8 GHz which are a radio LAN frequency range.

UWB 센서 설계를 통한 고압회전기의 부분방전 진단 연구 (PD Diagnosis On High Voltage Rotating Machines using UWB Sensor)

  • ;임광진;신동훈;김희동;박노준;박대희
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
    • /
    • pp.197-198
    • /
    • 2007
  • We studied the partial discharge detecting by sensing electromagnetic pulse emitted from the partial discharge source in the stator winding of HV Rotating Machine with UWB sensor. In this study, we designed new type of compact low frequency UWB sensor based on micro-strip technology and made experiments of offline dismantled testing compare with the traditional HFCT as a reference sensor in the laboratory. We investigated internal discharge, surface discharge, corona discharge and non-defected state normal stator on pre-made stator winding by using UWB patch sensor.

  • PDF

구내용 전력케이블기반의 UWB통신용 채널특성분석에 관한 연구 (A Channel modeling and analysis of Indoor power cable for UWB communication system)

  • 차재상;정재호;김대식;김효진;문경환;이종주
    • 대한전기학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 전기설비
    • /
    • pp.78-80
    • /
    • 2006
  • 전력계통망 및 수용가는 다양한 형태의 전력케이블 및 전력선이 연계된 분 배전망을 형성하고 있다. 특히, 이렇게 구성된 분 배전망은 하나의 전력계통으로서 연계된 전력망을 형성하고 있으며, 이를 전력선통신의 인프라로 활용할 수 있다. 최근 들어, 전력선통신 기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 계통에 연계된 부하와 분기선로 그리고 매질의 특성에 따라 통신환경이 달라진다. 특히 전송 주파수에 따른 신호의 감쇠, 연계된 부하의 종류와 이들 부하로 인한 잡음원의 유입 및 전송신호의 왜곡 등이 주요한 채널환경 요소이다. 본 논문에서는 상기 나열한 한계점을 극복하기 위한 대안으로 전력선 및 케이블의 매질특성을 평가하고, 이에 따른 전송신호의 영향을 분석, 연계된 다양한 부하들의 변동에 따른 통신환경의 변화 영향 그리고 통신성능에 미치는 영향을 분석하였으며, 또한 전력 케이블 및 선로의 특성과 부하변동 특성을 반영하여 구내용 전력케이블 기반의 UWB(Ultra Wide Band) 통신용 채널 환경을 모델링하는 방안을 제안하고자 한다.

  • PDF

초 광대역 옴니-광자 밴드 갭을 갖는 광자결정 미러 (Photonic Crystal Mirror with Ultra Wide-Band omnidirectional-photonic bandgap)

  • 남기연;조성준;이현용
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
    • /
    • pp.455-458
    • /
    • 2005
  • 옴니(omnidirectional)-PBG(photonic bandgap)의 크기는 쌍을 이루는 광자결정 재료의 고유 굴절률, 충진율 및 두께에 의해 결정되는 것이 일반적이다. 그러나 광자결정체가 다중주기를 가지도록 제작하면 옴니-PBG의 크기를 변화 시킬 수 있다. 본 연구에서는 Si/$SiO_2$를 기본 구조로 하는 광대역 옴니-PBG용 광자결정 구조를 설계, 제작하고 그 특성을 평가 하였다. 각각 단일 주기 $\Lambda_1$(426.9nm) 및 $\Lambda_2$(306.9nm)를 갖는 8N-Si/$SiO_2$ 광자결정에 대해 TE/TM-편광광 $5^{\circ}$$45^{\circ}$ 입사각에 대한 반사-스펙트라 측정결과는 설계값과 일치하였다. 특히 이중주기 $(8N\cdot{\Lambda}_1+8N\cdot{\Lambda}_2)$를 갖도록 제작된 Si/$SiO_2$ 광자결정은 입사각 $5^{\circ}$의 TE-편광광 반사-스펙트라 측정결과, 약 1050-2500nm의 광대역 파장범위에서 광자 밴드 갭을 보였다.

  • PDF

RANDOM SAMPLING AND RECONSTRUCTION OF SIGNALS WITH FINITE RATE OF INNOVATION

  • Jiang, Yingchun;Zhao, Junjian
    • 대한수학회보
    • /
    • 제59권2호
    • /
    • pp.285-301
    • /
    • 2022
  • In this paper, we mainly study the random sampling and reconstruction of signals living in the subspace Vp(𝚽, 𝚲) of Lp(ℝd), which is generated by a family of molecules 𝚽 located on a relatively separated subset 𝚲 ⊂ ℝd. The space Vp(𝚽, 𝚲) is used to model signals with finite rate of innovation, such as stream of pulses in GPS applications, cellular radio and ultra wide-band communication. The sampling set is independently and randomly drawn from a general probability distribution over ℝd. Under some proper conditions for the generators 𝚽 = {𝜙λ : λ ∈ 𝚲} and the probability density function 𝜌, we first approximate Vp(𝚽, 𝚲) by a finite dimensional subspace VpN (𝚽, 𝚲) on any bounded domains. Then, we prove that the random sampling stability holds with high probability for all signals in Vp(𝚽, 𝚲) whose energy concentrate on a cube when the sampling size is large enough. Finally, a reconstruction algorithm based on random samples is given for signals in VpN (𝚽, 𝚲).

MB-OFDM 방식의 UWB 시스템을 위한 CMOS LNA 설계 (Design of a CMOS LNA for MB-OFDM UWB Systems)

  • 이재경;강기섭;박종태;유종근
    • 한국정보통신학회논문지
    • /
    • 제10권1호
    • /
    • pp.117-122
    • /
    • 2006
  • 본 논문에서는 MB-OFDM 방식의 초광대역 시스템 응용을 위한 단일 단 cascode 구조의 CMOS 저잡음증폭기를 설계하였다. 광대역 ($3.1GHz\~4.9GHz$) 입력 매칭은 칩 면적과 잡음지수를 줄이기 위해 간단한 대역 통과 필터를 사용하여 수행하였다. $0.18{\mu}m$ CMOS 공정변수를 사용하여 모의실험 한 결과, 설계된 증폭기는 9.7dB의 최대 이득, $2.1GHz\~7.1GHz$의 3dB 대역폭, 2dB의 최소잡음지수, -2dBm의 IIP3, -11.8dB 이하의 입력 반사 손실 특성을 보이며, 1.8V 공급 전원전압에 25.8mW의 전력을 소모한다. 칩면적은 패드를 포함해서 $0.74mm^2$이다.

A Feedback Wideband CMOS LNA Employing Active Inductor-Based Bandwidth Extension Technique

  • Choi, Jaeyoung;Kim, Sanggil;Im, Donggu
    • 스마트미디어저널
    • /
    • 제4권2호
    • /
    • pp.55-61
    • /
    • 2015
  • A bandwidth-enhanced ultra-wide band (UWB) CMOS balun-LNA is implemented as a part of a software defined radio (SDR) receiver which supports multi-band and multi-standard. The proposed balun-LNA is composed of a single-to-differential converter, a differential-to-single voltage summer with inductive shunt peaking, a negative feedback network, and a differential output buffer with composite common-drain (CD) and common-source (CS) amplifiers. By feeding the single-ended output of the voltage summer to the input of the LNA through a feedback network, a wideband balun-LNA exploiting negative feedback is implemented. By adopting a source follower-based inductive shunt peaking, the proposed balun-LNA achieves a wider gain bandwidth. Two LNA design examples are presented to demonstrate the usefulness of the proposed approach. The LNA I adopts the CS amplifier with a common gate common source (CGCS) balun load as the S-to-D converter for high gain and low noise figure (NF) and the LNA II uses the differential amplifier with the ac-grounded second input terminal as the S-to-D converter for high second-order input-referred intercept point (IIP2). The 3 dB gain bandwidth of the proposed balun-LNA (LNA I) is above 5 GHz and the NF is below 4 dB from 100 MHz to 5 GHz. An average power gain of 18 dB and an IIP3 of -8 ~ -2 dBm are obtained. In simulation, IIP2 of the LNA II is at least 5 dB higher than that of the LNA I with same power consumption.

The environments of GRB 100205A field

  • Kim, Yongjung;Im, Myungshin
    • 천문학회보
    • /
    • 제38권2호
    • /
    • pp.42.1-42.1
    • /
    • 2013
  • GRB 100205A is a Gamma Ray Burst (GRB) which is suspected to be at $11{\leq}Z{\leq}13.5$ due to its very red H-K color ($(H-K)_{vega}=2.1{\pm}0.5$). We observed a field centered at GRB 100205A with the Wide Field Camera (WFCAM) at the United Kingdom Infrared Telescope (UKIRT) in Hawaii, so as to find a 11 < z < 13 quasar that could be located around the GRB. The images were obtained in J, H, and K filters covering a square area of 0.75 $deg^2$ to the depths of 22.5, 21.4, and 20.2 in Vega magnitude at $5{\sigma}$, respectively. Also using a z-band image observed by MegaCam in Canada France Hawaii Telescope (CFHT), we found 12 candidates that have colors consistent with a quasar at 11 < z < 13 with two criteria; (1) non-detection in z-, J-bands and $(H-K)_{vega}$ > 1.6 (2) only detection in K-band with $(Hlimit-K)_{vega}$ > 1.6. However, we also find 627 red ($(H-K)_{vega}$ > 1.4) objects that are likely to be old or dusty galaxies at $z{\leq}3$, so the 12 candidates could be these red objects. These red objects are found to be strongly clustered in the Ultra Deep Survey (UDS) fields of UKIRT Infrared Deep Sky Survey (UKIDSS) than those in the GRB 100205A field. We suggest a lack of a strongly clustered region surrounding an extremely high-redshift GRB with some limitations.

  • PDF

3~5 GHz 광대역 저전력 Single-Ended IR-UWB CMOS 수신기 (A Low Power Single-End IR-UWB CMOS Receiver for 3~5 GHz Band Application)

  • 하민철;박병준;박영진;어윤성
    • 한국전자파학회논문지
    • /
    • 제20권7호
    • /
    • pp.657-663
    • /
    • 2009
  • 본 논문에서는 IR-UWB 통신에 적합한 저전력, 저복잡도의 CMOS RF 수신기를 제작하였다. 제안된 IR-UWB 수신기는 비교적 구조가 간단한 non-coherent demodulation 방식으로 설계, 제작되었다. 설계된 IR-UWB 수신기는 single-ended 2-stage LNA, S2D, envelop detector, VGA, comparator로 구성되어 있으며, 0.18 ${\mu}m$ CMOS 공정 기술을 이용하여 단일 칩으로 설계, 제작하였다. 측정 결과 data rate이 1 Mbps 일 때 BER값이 $10^{-3}$ 조건에서 sensitivity는 -80.8 dBm이다. 제작된 단일 칩 CMOS IR-UWB 수신기의 전류 소모는 전압이 1.8 V 일 때, 13 mA이며 23.4 nJ/bit 의 성능을 갖는다.