• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.119-119
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• 1999

GaN-based 물질들은 blue와 UV 영역의 LED, LD와 같은 광소자가 상용화되었을 뿐만아니라 HBT, FET와 같은 전기소자로도 널리 응용될 시점이지만 아직까지 해결되지 않은 문제점들이 있다. 그 중에 하나가 바로 GaN의 격자상수와 일치하는 기판이 없어 발생하는 dislocation인데, 이를 해결하기 위한 방법으로 새로운 기판이나, buffer, 또는 새로운 성장방법(ELOG) 등을 시도하고 있으나 dislocation density는 아직 높은 (107~1010cm-2) 상태이다. 이에 본 연구에서는 dislocation을 줄이기 위한 방책으로 InxGa1-xN를 새로운 buffer층으로 사용하여 GaN 박막을 MBE 방법으로 성장하였다. InxGa1-xN를 선택한 이유는 GaN와의 격자상수차이가 In0.12Ga0.88N일 경우 거의 일치한다는 보고가 있으며, 특히 InGaN의 melting point는 GaN의 성장온도 보다는 약간 높기 때문에 GaN 박막을 성장할 때와 식힐 때의 InGaN 원자결합은 약하게 작용되며, 결국 이는 열적인 stress를 줄여주게 된다. 이와 같이 성장된 GaN 박막은 그 결정성을 XRD로 분석하였고, 표면과 계면을 SEM으로 관찰하였다. 그리고 그 광학적 특성을 저온 PL로서 조사하였다. 그 결과를 살펴보면 35$^{\circ}$ 근방에서 GaN(0002) peak가 나온 것으로 보아 wurtzite 구조가 성장됨을 XRD로부터 확인하였다. 그리고 저온 (12K) PL에서는 3.470eV의 D$^{\circ}$X peak뿐만 아니라 3.258eV에 해당하는 peak를 얻었는데, 이는 InxGa1-xN buffer layer의 vapour pressure가 높은 (<50$0^{\circ}C$)에 도달하게 됨으로써 dissociation이 일어나면서 초기 성장이 이루어졌고 이는 다시 계면에서의 inter-diffusion을 발생시킨 것으로 보여진다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.15 no.6
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• pp.419-425
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• 2005

In this paper, we describe the luminescent properties of the phosphors synthesized via sol-gel technique. When the phosphor prepared by sol-gel technique, reaction factors, such as pH condition, $R_w$ and drying temperature affected the luminescent intensity, particle size and morphology of final product. Therefore, we attempt to control these reaction factors in order to improve the luminescent efficiency of phosphors. As a result of our study, when the acid catalyst (HCl) was used, emission intensity was higher than the case of base catalyst $(NH_4OH)$. The product prepared at $R_w=60$ indicated the maximum intensity. As the increase of the $R_w$ value, the particle was agglomerated and emission intensity was decreased. Finally, optimum drying temperature of gel was found to be$ 180^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.114-114
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• 2000

III-nitride 게 물질들은 blue와 UV 영역의 LED, LD와 같은 광소자뿐만 아니라 HBT, FET와 같은 전자소자로도 널리 응용되고 있다. 이와 같은 물질을 이용한 소자를 제작할 경우 낮은 저항의 ohmic contact은 필수적이다. p-GaN의 ohmic contact은 아직까지 많은 문제점을 내포하고 있다. 그 중의 하나는 높은 doping 농도(>1018cm-3)의 p-GaN 박막을 성장하기가 어렵다는 것이며, 또 하나는 낮은 접촉 비저항을 얻기 위해선 7.5eV 이상의 큰 재가 function을 지닌 금속을 선택해야 한다. 그러나 5.5eV 이상의 재가 function을 갖는 금속은 존재하지 않는다. 위와 같은 문제점들은 p-GaN의 접촉 비저항이 10-2$\Omega$cm2이상의 높은 값을 갖게 만들고 있으며 이에 대한 해결방안으로는 고온의 열처리를 통하여 p-GaN와 금속사이에서 화학적 반응을 일으킴으로써 표면근처에서 캐리어농도를 증가시키고, 캐리어 수송의 형태가 tunneling 형태로 일어날 수 있도록 하는 tunneling current mechaism을 이용하는 것이다. 이에 본 연구에서는 MOCVD로 성장된 p-GaN 박막을 Mg의 activation을 증가시키기 위해 N2 분위기에서 4분간 80$0^{\circ}C$에서 RTA로 annealing을 하였으며, ohmic 접촉을 위한 금속으로 높은 재가 function과 좋은 adhesion 그리고 낮은 자체저항을 가지고 있는 Ni/ZSi/Ni/Au를 ohmic metal로 하여 contact한 후에 $700^{\circ}C$에서 1분간 rapid thermal annealing (RTA) 처리를 했다. contact resistance를 계산하기 위해 circular-TLM method를 이용하여 I-V 특성을 조사하였고, interface interaction을 알아보기 위해 SEM과 EDX, 그리고 XRD로 분석하였다. 또한 추가적으로 Si 계열의 compound metal인 PdSi와 PtSi에 대한 I-V 특성도 조사하여 비교하여 보았다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.34 no.11
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• pp.3420-3424
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• 2013

The reaction of $LnCl_3{\cdot}7H_2O$ [Ln = La (1), Ce (2)] with salicylic acid (HL) and 1,10-phenanthroline (Phen) at $20^{\circ}C$ in $H_2O$/ethanol gave after work-up and recrystallization two novel lanthanide complexes with general formula $[Ln(Phen)_2(L)_3(HL)]{\cdot}H_2O$. Compounds 1 and 2 were characterized by IR and UV-Vis spectroscopy, TGA, CHN as well as by X-ray analysis. According to these results, compounds 1 and 2 are isostructural and contain $Ln^{3+}$ ions with coordination number nine. Complexes 1 and 2 consist of two Phen, one neutral HL and three L anions (two L anions act as monodentate ligands and the third one is chelating to $Ln^{3+}$). Thermal decomposition led to primary loss of the Phen molecules. Then HL molecules and finally L moieties left the material to give $Ln_2O_3$.

• KOREAN JOURNAL OF PACKAGING SCIENCE & TECHNOLOGY
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• v.14 no.2
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• pp.81-88
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• 2008

There are increasing public concerns that the disposal of most synthetic carbon-based plastics is a great threat to the environment. These have led to intensive research and development of degradable plastics, such as biodegradable plastics, photodegradable plastics, and multi-degradable plastics. Although these degradable plastics may not completely replace common synthetic plastics, these minimize environmental impacts caused by non degradable plastics. Photodegradable plastics are synthetic polymers into which have been incorporated copolymers or light-sensitive additives to weaken the structural bonds in polymer chains when exposed to UV radiation. A better understanding of photodegradable plastics, which also play an important role in the degradation of multi-degradable plastics, will expand the usage of degradable plastics. The aim of present article is to review the formation, degradation mechanism and properties of photodegradable plastics.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.7 no.4
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• pp.19-22
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• 2008

Thin film has been an increasing important subject of intensive research, owing to the fact that these films possess desirable optical, electrical and electrochemical properties for uses in many semi-conducting nano-crystal applications, such as light-emitting diodes, lasers and solar cell applications. Here, ZnSe thin films were deposited by electrochemical method for the applications of light emitting diode. Electrochemical deposition of ZnSe thin film is not easy, because of the high difference of reduction potential between zinc ion and selenium acid. In order to handle the band gap of ZnSe crystal thin films easily, electrochemical methods are promising to manufacture these films economically. Therefore we have investigated the present study to characterize zinc selenide thin films deposited on ITO glass plates electrochemically. The luminescent properties of ZnSe films have been evaluated by UV-Vis spectrometer and luminescence spectrometer. And the morphology of the film surface has been discussed qualitatively from SEM images.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.30 no.5
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• pp.1035-1038
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• 2009

Phytochemical investigation of the methanolic extract of Diospyros kaki leaves led to the isolation of osmanthuside H (1) and a new phenol glycoside, named gamnamoside [4-(3-hydroxypropyl)-2-methoxyphenol $\beta$-D-apiofuranosyl( 1 $\rightarrow$ 6)$\beta$-D-glucopyranoside] (2) along with (-) catechin (3) through a series of reversed phase column chromatography and preparative C18 HPLC. The structures of the isolates were determined by spectroscopic methods including IR, UV, HRTOFMS, and 2D NMR. Compounds 1, 2, and 3, showed good inhibitory activities ($IC_{50}$) of 175.4, 94.4, and 126.6 ${\mu}g/mL$ respectively, whereas a reversible ADH inhibitor, 4-methylpyrazole, showed the $IC_{50}$ of 326.6 ${\mu}g/mL$ against alcohol dehydrogenase (ADH).

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.53 no.4
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• pp.445-449
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• 2015

This study was directed to finding an optimum extraction condition of genistein from the S. flavescens with supercritical carbon dioxide as a solvent. In this effort, effects of the extraction conditions including pressure, temperature and a co-solvent on the extraction efficiency were investigated. The aqueous ethanol and methanol solutions were used as co-solvents while the tested operating pressure and temperature ranges were from 200 bar to 300 bar and from 308.15 K to 323.15 K, respectively. The concentration of genistein was determined by means of HPLC equipped with a UV detector. From the results, it was observed that an increase in pressure led to the higher extraction efficiency. Further, methanol showed better performance as a co-slovent than ethanol. The DPPH radical scavenging activities were measured to compare antioxidant activities of S. flavescens extracts.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.22 no.6
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• pp.265-268
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• 2012

The growth of AlN single crystals of large size and good quality is of prime importance for UV LEDs and power devices applications. However, the crystals having the size of more than 1 inch and high quality have not been reported in the world. In the PVT growth of AlN, the crystal morphology of as grown were important because the preferred orientation of growth of it was evaluated for growth rate increase. In the present study, the AlN single crystals grown by PVT process were evaluated by the side of the growth morphology. Optical microscopic characterization was carried out to observe the shape of the crystals and the growth facets. Furthermore the growth habit of it were discussed by observation of the surface of AlN crystals.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.21.2-21.2
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• 2009

발광다이오드는 에너지 변환 효율이 높고 친환경적인 장점으로 인하여 차세대 조명용 광원으로 각광받고 있다. 하지만 현재 발광다이오드는 낮은 광추출효율로 인하여 미래의 수요를 충족시킬 수 있을 만큼 충분한 성능의 효율을 나타내지 못하고 있다. 발광다이오드의 낮은 광추출효율은 반도체소재와 외부 공기와의 큰 굴절률 차이로 인하여 발생하는 전반사 현상에 기인한 것으로 이 문제를 해결하기 위하여 발광다이오드 소자의 발광면 및 기판을 텍스처링하는 방법이 중요하게 인식되고 있다. 하지만 현재까지 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석한 연구는 미진한 상황이다. 본 연구에서는 임프린팅 및 건식식각 공정을 이용하여 다양한 구조의 나노 및 micron 급 패턴을 발광다이오드의 p-GaN층에 형성하였다. 발광다이오드 기판 위에 하드마스크로 사용하기 위한 SiO2를 50nm 증착한 후 그 위에 UV 임프린팅 공정을 진행하여 폴리머 패턴을 형성시켰다. 임프린팅 공정으로 형성된 폴리머 패턴을 CF4CHF3 플라즈마를 이용하여 SiO2를 건식식각하였고, 이후에 SiCl4와 Ar 플라즈마를 이용한 ICP 식각 공정을 진행하여 p-GaN층을 100nm 식각하였다. 마지막으로 BOE를 이용한 습식식각 공정으로 p-GaN층에 남아있는 SiO2층을 제거하여 p-GaN층에 sub-micron에서 micron급의 홀 패턴을 형성하였다. Photoluminescence(PL) 측정을 통해서 발광다이오드 소자에 형성된 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석하였다.