• 분석과학
• /
• 제24권6호
• /
• pp.493-502
• /
• 2011

본 연구에서는 가시광촉매의 특성을 나타낼 수 있는 촉매를 제조하여 촉매를 특성화 하였으며, toluene, xylene, MEK (methyl ethyl ketone), ammonia를 반응물로 하여 기존의 UV-광촉매와 분해능을 비교 실험하였다. UV-광촉매는 파장범위가 280~360 nm 근처에서 광촉매가 활성화된다. 그러나 가시광촉매는 가시광영역인 400~750 nm의 파장영역에서도 광촉매가 활성화 된다. 이것을 UV-Vis 흡수도로 파악하였다. 그리고 가시광촉매의 성능을 향상시키기 위하여 여러 가지 재료로 도핑하는데, 여기서는 망간에 Pt를 부가하여 성능향상을 꾀하였다. Pt를 첨가한 가시광 촉매의 경우 성능이 향상되었음을 알 수 있었다. 그리고 바인더로 MTMS (methyl tri methoxy silane)를 사용하였으며 바인더양에 따른 접촉각을 측정하였다. MTMS 함량이 증가할수록 접촉각이 커졌다. 따라서 친수성이 줄어든 것으로 나타났다. 그리고 Mn-$TiO_2$ 촉매의 항균성이 매우 우수한 것으로 나타났다.

• Elastomers and Composites
• /
• 제48권3호
• /
• pp.209-215
• /
• 2013

가시광촉매를 이용하여 자동차 내장재에서 발생하는 VOCs의 저감 효과를 알아보았다. 가시광촉매는 sol-gel법으로 제조하였으며 UV-vis peak가 420 nm에서 적색이동 되어 가시광영역에서 감응하는 것으로 나타났다. 이러한 특성을 갖는 가시광촉매를 자동차 내장재에 코팅처리하고, 자동차 내장재에서 발생하는 VOCs를 측정한 결과 분해 저감율이 우수하게 나타났다.

• 한국재난정보학회 논문집
• /
• 제17권2호
• /
• pp.195-205
• /
• 2021

연구목적: 연안건축 재료의 자외선 반사율과 투과율은 건물의 자외선 방출 및 방출의 주요 요인 중 하나이다. 이 연구에서는 건축 자재의 여러 종류의 자외선 스펙트럼 반사율이 측정되었으며 또한 표면 특성 중에 하나인 명도, 거칠기 및 색도와의 관계에 대해서도 검토 및 제안했다. 연구방법: 본 연구에서는 CIE 분류에 의거하여 자외선영역은 단파장 UV-C (10nm~280nm), 중파장 영역 UV-B (280-315 nm), 장파장 영역 UV-A (315-400nm), 가시광선 영역 (400nm~780nm)으로 정했으며, 연속적으로 측정하기 위하여 분광 광도계를 사용했다. 연구결과: 나무의 경우 반사율은 가시광선역 55-68 %, UV-A ^* 7-12 %, UV-B^* 4-5 %로 나타났다. 벽타일은 가시광선역 18-40 %, UV-A^* 8-20 %, UV-B^* 7-8 % 로 나타났으며, 콘크리트는 가사광선역 37 %, UV-A^* 28 %, UV-B^* 19 %로 나타났다. 결론: 가시광선 반사율에 의해 자외선 반사율을 추정 할 수 있으며, 또한 자외선 차단을 할 때에는 용도에 따라 다양한 재료를 선택하는 것이 중요하다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
• /
• pp.582-584
• /
• 2007

In order to improve the accuracy of simulated results, new UV source was designed. Previously the optical simulation was performed with the symmetric planar UV source. To design new UV source, UV distribution from the plasma fluid code was implanted to the 3-dimensional optical code to generate the visible light distribution. The results from planar UV source and new UV source were compared with the ICCD (Intensified CCD) image in real PDP cell and analyzed the variation of geometries and optical properties.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제21권12호
• /
• pp.10-15
• /
• 2020

파장 400 nm 이하의 자외선은 눈 건강에 매우 해롭다. 또한 고에너지 가시광도 망막 세포에 영향을 줄 수 있음이 최근에 밝혀졌다. 따라서 자외선 및 고에너지 가시광 차단 기능의 안경렌즈 개발이 시대적으로 요청되고 있다. 본 연구에서는 m-자일릴렌 디이소시아네이트 모노머와 2,3-bis((2-mercaptoethyl)thio)-1-propanethiol 모노머 및 벤트리아졸 UV 흡수제, 알킬인산에스터 이형제, 안료혼합물(CI solvent violet 13), 이염화부틸주석 촉매제 등의 혼합물을 인젝션 몰드 방법으로 열중합 공정을 적용하여, 굴절률 1.67의 고굴절률 폴리머 안경렌즈를 제조하였다. 제조된 폴리머 안경렌즈의 양면에 전자빔 진공증착 시스템으로 다층 반사방지 코팅을 하였다. 제조된 안경렌즈의 자외선 및 고에너지 가시광 차단 기능을 UV-visible spectrophotometer로 분석하였다. 그 결과 UV 흡수제를 0.5wt% 첨가한 폴리머 안경렌즈가 411 nm 파장 이하의 자외선 및 고에너지 가시광을 99 % 이상 차단하였다. 또한 460 ~ 660 nm 파장의 명소시 시각 민감도 10% 이상의 영역에서 평균 투과율이 97.9%를 나타내어 명소시에서 선명한 상을 얻을 수 있었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제50권9호
• /
• pp.444-449
• /
• 2001

In this paper, a novel ultraviolet sensor is presented based on a photoluminescent porous silicon. Porous silicon layer was formed by chemical etching of surface of pn junction in a $HF(48%)-HNO_3(60%)-H_20$ solution. Incident ultraviolet(UV) light is converted to visible light by photoluminescent porous silicon layer, and then this visible light generates electron-hole pairs in the pn junction, which produces a photocurrent flow through the device. In order to maximize detection efficiency, the peak sensitivity wavelength of the pn junction diode was matched with the peak wavelength of Photoluminescence from porous silicon layer. The porous silicon ultraviolet sensor showed a large output current as UV intensity increases and but very low sensitivity to visible light. The detection sensitivity of porous silicon sensor was calculated as 2.91mA/mW. These results are expected to open up a possibility that the present porous silicon sensor can be used for detecting UV light in a visible background, compared to silicon UV detectors which have an undesirable response to visible light.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제32권5호
• /
• pp.1657-1661
• /
• 2011

In this study, CdSe-$TiO_2$ photocatalyst were synthesized by a facile solvothermal method and characterized by X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscopy (SEM) with energy dispersive X-ray (EDX) analysis and UV-vis diffuse reflectance spectrophotometer. The photocatalytic activity was investigated by degrading methylene blue (MB) in aqueous solution under irradiation of UV light as well as visible light. The absorbance of degraded MB solution was determined by UV-vis spectrophotometer. The results revealed that the CdSe-$TiO_2$ photocatalyst exhibited much higher photocatalytic activity than $TiO_2$ both under irradiation of UV light as well as visible light.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
• /
• pp.108-111
• /
• 2001

ZnO thin films on (001) sapphire substrates have been deposited by pulsed laser deposition(PLD) technique for light emitting device applications. We have controlled the emission intensity of UV and visible light, depending on film thickness and various post-annealing time. UV emission became strong as the thickness of ZnO thin films increased. The intensity of visible light was strong as post-annealing temperature increased. The optical properties of the ZnO thin films were characterized by PL(photoluminescence) and the structural properties of the ZnO were characterized by XRD for the application of ZnO light emission device.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
• /
• 한국조명전기설비학회 1995년도 추계학술발표회논문집
• /
• pp.115-117
• /
• 1995

This paper describes the O.T aging analysis by non-destructive electrical and UV/visible method. Non-destructive diagnosis method is tan8 test. Also the new method of the aging analysis, UV/visible method was introduced in this paper and compared with the non-destructive electrical method. The UV/visible test could be useful method for the O.T aging electrical diagnosis such as non-destructive electrical method.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.108-111
• /
• 2001

ZnO thin films on (001) sapphire substrates knave been deposited by pulsed laser deposition(PLD) technique for light emitting device applications. We have controlled the emission intensity of UV and visible light, depending on film thickness and various post-annealing time. UV emission became strong as the thickness of ZnO thin films increased. The intensity of visible light was strong as post-annealing temperature increased. The optical properties of the ZnO thin films were characterized by PL(photoluminescence) and the structural properties of the ZnO were characterized by XRD for the application of ZnO light emission device.