• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.17 no.11
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• pp.1230-1233
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• 2004

The ITO thin films were prepared by the FTS(Facing Targets Sputtering) system. The ITO thin films are deposited by changing the input current and working gas pressure. Then, electric characteristics, transmittance and surface roughness of ITO thin films were measured by Hall effect measurement, UV-VIS spectrometer and AFM. As a result, the ITO thin film was fabricated with resistivity 6xl0$^{-4}$ Ωㆍcm, carrier mobility 52.11 $\textrm{cm}^2$/Vㆍsec, carrier concentration 1.72 x $10^{20}$ $cm^{-3}$ transmittance over 85 % of ITO film at working gas pressure 1 mTorr and input current 0.6 A.

• Journal of Powder Materials
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• v.14 no.4
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• pp.256-260
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• 2007

The surface of magnetite ($Fe_{3}O_{4}$) nanoparticles prepared by coprecipitation method was modified by carboxylic acid group of poly(3-thiophenacetic acid (3TA)) and meso-2,3-dimercaptosuccinic acid (DMSA). Then the lysozyme protein was immobilized on the carboxylic acid group of the modification of the magnetite nanoparticles. The magnetite nanoparticles are spherical and the particle size is approximately 10 nm. We measured quantitative dispersion state by dispersion stability analyzer for each $Fe_{3}O_{4}$ nanoparticles with and without surface modification. The concentration of lysozyme on the modified magnetite nanoparticles was also investigated by a UV-Vis spectrometer and compared to that of magnetite nanoparticles without surface modification. The functionalized magnetite particles had higher enzymatic capacity and dispersion stability than non-functionalized magnetite nanoparticles.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.420-421
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• 2007

본 연구에서는 유기물 발광 다이오드(OLED)의 효율을 향상시키기 위하여 버퍼층 역할을 하는 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) : poly styrene sulfonate)의 공정조건을 확립하고 두께에 따른 전기적 광학적 특성을 조사하였다. PEDOT:PSS는 spin coating 방법으로 증착을 하였으며, 흘효과측정을 통하여 ITO기판과 유기버퍼층이 코팅된 기판의 전하운반체의 이동도와 전류-전압 특성을 조사하였다. 그리고 UV-vis spectrometer를 이용하여 광투과도, 굴절률, 밴드갭을 측정하였고 SEM을 이용하여 시료의 표면도 관찰하였다. 유기물 버퍼층(PEDOT:PSS)의 두께가 얇을수록 정공의 이동도가 향상됨을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.368-368
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• 2007

Zinc oxide (ZnO) has drawn much interest as a potential transparent conducting oxide (TCO) for applying to solar cell and front electrode of electro-luminescent devices. For the enhancement of electrical property of TCOs, dopant introduction and hybridization with conductive nanoparticles have been investigated. In this work, ZnO films were formed on glass substrate by using photochemical solution deposition of Ag nanoparticles dispersed or various metal (Ag, Cd, In, or Sn) contained photosensitive ZnO solutions. The usage of photosensitive solution permits us to obtain a micron-sized direct patterning of ZnO film without using conventional dry etching procedure. The structural, optical, and electrical characteristics of ZnO films with the introduction of metal dopants with/without Ag nanoparticles have been investigated to check whether there is a combined effect between metal dopants and Ag nanoparticles on the characteristics of ZnO film. The phase formation and crystallinity of ZnO film were monitored with X-ray diffractometer. The optical transmittance measurement was carried out using UV-VIS-NIR spectrometer and the electrical properties such as sheet resistance and conductivity were observed by using four-point probe.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.444-445
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• 2007

IZO/Al multilayer anode films for flexible top emitting organic light emitting diodes (TOLEDs) were grown on PEN (polyethylen-enaphthelate) substrate using twin target sputter (TTS) system. To investigate electrical and optical properties of IZO/Al multilayer films, 4-point probe method and UV/Vis spectrometer were used, respectively. From a IZO/Al multilayer films with 100nm-thick Al, sheet resistance of $1.4{\Omega}/{\square}$ and reflectance of above 62% at a range of 500~550nm wavelength could be obtained, In addition, structural and surface properties of IZO/Al multilayer films were analyzed by XRD (X-ray diffraction) and FESEM (field emission scanning electron microscopy) and AES (auger electron spectroscope), respectively. Moreover, flexibility of IZO/Al multilayer anode films were examined by bending test method.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.446-447
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• 2007

The rapid thermal annealing effect of transparent IZTO(indium zinc oxide) and IAZO(indium alminium zinc oxide) films grown on glass substrate for solar cell or flat panel displays(FPDs) was studied. We prepared IZTO using RF magnetron sputtering and IAZO using DC co-sputtering method. Subsequently, using rapid thermal annealing(RTA) system, prepared IZTO and IAZO films were annealed at 300, 400, 500, $600^{\circ}C$ for 90sec. In addition, Electrical and optical characteristics were measured by Hall effect measurement and UV/Vis spectrometer examinations, respectively. To analyze structural properties and surface smoothness of the IZTO and IAZO films, XRD and SEM examinations were performed, respectively. It was shown that IZTO and IAZO films exhibited microcrystalline structure over $400^{\circ}C$ and amorphous structural regardless of RTA temperature, respectively.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.455-456
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• 2006

최근 많은 학자들에 의해서 차세대 디스플레이로 각광 받고 있는 유기EL에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 그 중에서 본 연구에서 수행하고자 하는 분야는 유기EL의 발광재료의 개발에 대한 연구이다. 그 분야중 하나가 세계적으로 많은 학자들에 의해서 연구되고 있는 전이금속을 이용한 발광재료의 개발이다. 그 중 본 연구에서는 양 말단 금속을 가교체로 연결한 이 핵 금 착체에 관한 연구를 수행하였다. 이러한 가교체들은 유기물의 결합 상태에서 나타나는 전자전이외에 금속과 유기물사이의 결합에 의해 나타날 수 있는 전자전이 또 한 가지고 있다. 이러한 전자전이로 인해 발광재료로서의 특징을 가질 수 있다. 이러한 착체를 합성하기위해 가교체 $H-C{\equiv}C-C{\equiv}C-C-H$와 $(Cis)H-C{\equiv}C-CH=CH-C{\equiv}C-H$를 이용하여 금과 N-Heterocyclic-Carbene가 배위결합된 양말단의 금속 그룹을 연결하여 합성하였다. 합성된 착체는 FT-IR, $^1H$-NMR, $^{13}C$-NMR, UV/VIS/NIRspectrophotometer, Emission spectrometer를 사용하여 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.412-413
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• 2007

We report on the electrical, optical, and structural properties of indium zinc tin oxide (IZTO) anode films grown at room temperature on glass substrate. The IZTO anode films grown by a RF magnetron sputtering were investigated as functions of RF power, working pressure, and process time in pure Ar ambient. To investigate electrical, optical and structural properties of IZTO anode films, 4-point probe, Hall measurement, UV/Vis spectrometer, Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM), and X-ray diffraction (XRD) were performed, respectively. A sheet resistance of $13.88\;{\Omega}/{\square}$, average transmittance above 80 % in visible range were obtained from optimized IZTO anode films grown on glass substrate. These results shown the amorphous structure regardless of RF power and working pressure due to low substrate temperature.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.116-116
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• 2000

질화물 반도체는 LED, LD, Transistor, 그리고 Photodetector 등 광소자 및 전자소자를 실현할 수 있는 소재로써 최근에 각광 받고 있으며, 또한 국·내외적으로 연구가 활발히 진행되고 잇다. 질화물 발광 다이오드 제작에는 소자의 효율과 수명시간의 향상을 위하여 질화물 반도체와 금속과의 접합시 고 품질의 오믹 접합이 필수적이다. 특히 p-형 GaN의 경우에는 높은 정공 농도를 갖는 p-형 GaN를 얻기가 어렵고 GaN의 일함수에 비하여 높은 일함수를 갖는 금속이 없기 때문에 매우 낮은 접합 저항을 가지며 안정성이 매우 우수한 금 접합을 얻기가 어렵다고 알려져 있다. 또한, GaN 계열의 발광 다이오드는 일반적으로 표면 발광 다이오드 형태로 제작되기 때문에 p-형 GaN 층의 오믹 접촉으로 사용되는 금속의 전기적 특성뿐만 아니라 발광 다이오드의 활성층에서 발광되어 나오는 빛에 대한 투과도 또한 우수하여야 발광 다이오드의 효율이 우수해진다. 본 연구에서는 p-형 GaN층의 접합 금속으로 Pt(80nm)과 Ni(5nm)/Au(7nm)를 사용하여 InGaN/GaN 다중양자우물 구조의 발광 다이오드를 제작하여 전기적 특성 및 발광효율을 측정하였다. 그리고, Pt(80nm)과 p-형 GaN와의 접합시 온도 변화에 따른 전기적 특성을 TLM 방법으로 조사하고, 가시광선 영역에서의 빛에 대한 투과도를 UV/VIS spectrometer, X-ray reflectivity, 그리고 Atomic Force Microscopy 등을 이용하여 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.196-196
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• 2010

본 연구에서는 플렉시블 GZO 단일 박막과 GZO/Ag/GZO (GAG) 다층 박막을 연속 성막이 가능한 롤투롤 스퍼터링 시스템을 이용하여 상온 공정을 통해 성막하여 그 특성을 분석 하였다. 일반적으로 고품위의 GZO 박막을 제작하기 위해서는 고온 공정이 필수적인 것으로 알려져 있으나 본 실험에서는 플렉시블 PES 기판상에 상온 공정을 통해 후 열처리 없이 고품위의 GZO, GAG 박막을 얻을 수 있었다. 단일 GZO 박막은 공정 압력과 산소 유입량을 변화하여 제작하였고 GAG 다층 박막은 GZO-Ag-GZO로 이루어진 3개의 sputter gun을 이용하여 Ag 두께를 변수로 연속공정을 통해 제작하였다. 구조적, 표면석 특성 분석을 위해 XRD(X-ray diffraction), FE-SEM(Field emission scanning electron microscopy), HRTEM (High resolution electron microscopy)를 이용하였으며 광학적, 전기적 특성을 분석하기 위해 UV/Vis spectrometer, Hall effect measurement를 각각 이용하였다. 최적화된 GZO 단일 박막은 상온에서 열처리 없이 성막되었음에도 불구하고 38 ohm/sq의 낮은 저항과 86 %의 높은 투과도를 나타내었으며 GAG 다층 박막은 12 nm의 Ag 두께에서 6.4 ohm/sq의 낮은 저항과 88 %의 높은 투과율을 나타내었다. 특히 기계적 특성을 분석하기 위해 진행된 bending test에서 GAG 박막은 초기와 test 후에 저항과 표면에 변화가 없는 우수한 특성을 보였으며 이를 통해 플렉시블 태양전지와 디스플레이등 광학소자의 투명 전극으로서의 적용 가능성을 확인 할 수 있었다.