• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.223-223
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• 2010

본 연구에서는 Al-doped ZnO (AZO) 박막을 linear facing target sputter (LFTS) 시스템을 이용하여 성막 하였고 박막의 특성을 분석하였다. LFTS 시스템은 마주보는 두 AZO 타겟 사이에 고밀도의 플라즈마를 구속시켜 플라즈마 데미지 없이 산화물 박막을 성막 시킬 수 있는 장치이다. LFTS로 성막된 AZO 박막의 인가된 DC 파워에 따른 전기적 특성을 분석하기 위해 four-point probe와 Hall measurement 장비를 이용하여 분석을 진행 하였으며, 광학적 특성 분석을 위해 UV/Vis spectrometer 장비를 이용하여 분석하였다. AZO 박막의 구조적, 표면적 특성을 분석하기 위해 X-ray diffraction(XRD) 및 scanning electron microscope(SEM)을 사용하여 상온에서 성막된 AZO 박막의 특성을 관찰 하였다. 또한 AZO 박막의 PET 기판과의 접합성 및 구부림 시의 안정성을 평가하기 위해 bending test를 진행 하였다. 최적화된 AZO 박막으로부터 기판에 성막 중 열처리공정이나 후 열처리 공정의 진행 없이 35 ohm/square의 낮은 면저항과 약 80 % 이상의 투과율을 얻을 수 있었다. LFTS 시스템을 이용하여 낮은 공정온도에서 AZO 박막을 성막 하였음에도 불구하고 낮은 저항과 높은 투과도 특성을 나타내고 있어 기존의 투명 박막을 대체 할 수 있는 가능성을 제시하였다

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.220-220
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• 2010

대향타겟식 스퍼터링 (Facing Target Sputtering, FTS) 장치를 이용하여 박막태양전지에 응용가능한 GAZO 박막을 플렉시블 기판 (PES) 위에 증착하였다 박막을 증착하는 데 쓰인 각각의 타겟은 AZO(ZnO:$Al_2O_3$=98:2w.t%) : GZO(ZnO:$Ga_2O_3$=97:3w.t%)이였으며, 다양한 스퍼터링 조건(공정압력, 입력 전력 및 박막의 두께)에서 증착 하였다. GAZO 박막의 전기적 특성은 Hall effect measurement, Four Point Probe, 광학적 특성은 UV-VIS spectrometer, 구조적 특성은 XRD, AFM, FE-SEM, 막의 두께는 $\alpha$-step profiler 장비를 이용하여 분석하였다. 가장 낮은 비저항은 작업 압력 1mTorr일 때 $5.123{\times}10^{-4}[\Omega-cm]$를 보였다. 또한 제작된 모든 박막은 (002)회절 피크로 우선성장함을 알 수 있었으며, 가시광선 영역(300nm-800nm)에서 80% 이상의 광 투과율을 나타냄을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.217-217
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• 2010

새로운 물질의 투명전극 제작을 위해 대향타겟식 스퍼터링 (Facing Targets Sputtering, FTS)법을 이용하여 유리 기판위에 AZO와 GZO 이종타겟을 사용하여 유리 기판 위에 GAZO 박막을 제작하였다. FTS는 두 타겟이 서로 마주보는 구조로 인해 서로 다른 종류의 타겟을 장착하여 새로운 물질의 박막을 제작하는데 있어 용이하고, 타겟 뒷면에 위치한 영구자석으로 인해 타겟으로부터 방출되는 2차 전자 등을 구속하여 고밀도 플라즈마를 형성함으로서 고품위 박막의 제작이 가능하다. 본 연구에서는 투입 전력에 따라 제작된 GAZO 박막의 전기적, 광학적 및 구조적 특성 변화를 살펴보았다. 특성 평가는 UV/VIS spectrometer, Hall measurement, X-ray diffractometer (XRD), Atomic Force Microscope (AFM), Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM) 을 이용하여 분석하였다. 그 결과 제작된 GAZO 박막은 비저항 $4.3\;{\times}\;10^{-4}\l;{\Omega}-cm$, 가시광 영역에서 투과율 80% 이상을 나타내는 것으로 분석되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.300.1-300.1
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• 2013

반사방지막 코팅(Anti-reflection coating)은 태양전지(Solar cell), 발광다이오드(LED) 등의 반사율을 낮추어 효율을 증대시키기 위하여 사용되고 있다. 본 실험에서는 유리 기판 위에 실리콘 타겟을 이용한 Reactive magnetron sputtering 장비를 활용하여, 50~100 mTorr의 높은 공정 압력(High pressure)에서 증착하여 SiO2 반사방지막 코팅층을 형성하였다. Ellipsometer를 이용하여 SiO2 박막층의 굴절률(Refractive index)을 측정한 결과, 공정 압력에 따라 SiO2 박막이 다양한 굴절률을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 또한, UV-Vis spectrometer를 이용하여, 450~600 nm 파장에서의 반사율(Reflectance)과 투과율(Transmittance)을 측정하여 비교, 분석하였다. 나아가 증착된 SiO2 반사방지막을 비정질 실리콘 박막 태양전지에 적용하여 효율 향상 효과를 실험하였다. 이를 활용하여 낮은 굴절률을 갖는 반사방지용 SiO2 코팅층을 형성하여 태양전지의 광 변환 효율을 상승 시킬 수 있고, 발광다이오드의 광 추출 효율을 증가시킬 있을 것으로 여겨진다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.286.2-286.2
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• 2013

기존의 이온성 고분자-금속 복합체(IPMC)는 백금(Pt)전극을 이온성 전기활성 고분자(Ionic electroactive polymer)인 나피온에 무전해 도금으로 만들어졌다. 본 연구는 백금전극을 그래핀으로 대체하여 투명 이온성 고분자-그래핀 복합체(IPGC)를 제작하였다. 그래핀은 근적외선 화학기상증착법(NIR-CVD)으로 전이금속 (Cu, Ni) 위에 탄화수소 가스(CH4)를 이용하여 성장하였다. 전이 금속위에 성장된 그래핀을 나피온 양쪽면에 van der Waals 결합력을 이용하는 습식 전이공정으로 전극을 형성하였다. IPGC는 면 저항(4-point probe), 투과도(UV/Vis spectrometer) 및 라만 분광법(Micro Raman spectroscopy)의 측정으로 그래핀 전극의 특성평가를 하였고, 전계방사 주사전자현미경(Field Emisson Scanning Electron Microscope; FE-SEM)을 사용하여 IPGC의 구조적 특성을 확인하였다. 제작된 IPGC의 성능은 백금전극을 이용한 IPMC의 변위(displacement), 힘(force), 작동 주파수(Operating frequency) 분석을 통해 비교 평가하였다.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.25 no.2
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• pp.226-231
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• 2008

In this study, benzoxazolo carbocyanine is of industrial importance as green-sensitizing dye in the spectral sensitization. Sensitizing dye was prepared by the reaction of 2-methyl-3-sulfopropyl-4,5-benzoxazolium (inner salt) with triethyl orthobenzoate in the presence of triethylamine. The product was identified by using various analytical tools such as elemental analyzer, IR spectrophotometer, UV-Vis spectrophotometer, $^1H$-NMR spectrometer, TGA and DSC. The maximum absorption peak in methanol solvent was 507 nm. Therefore, it was concluded that benzoxazolo carbocyanine dye can be used as sensitizing dye for the spectral sensitization of photographic emulsion and color cosmetics.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.31 no.3
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• pp.416-421
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• 2014

Naphthothiazolo carbocyanine is of industrial importance as red-sensitizing dye in the spectral sensitization. Sensitizing dye was prepared by the reaction of 2-methyl-3-sulfopropyl-4,5-naphthothiazolium (inner salt) with triethyl orthopropionate in the presence of triethylamine. The product was identified by using various analytical tools such as elemental analyzer, IR spectrophotometer, UV-Vis spectrophotometer, $^1H$-NMR spectrometer, TGA and DSC. The maximum absorption peak in methanol solvent was 578nm. Therefore, it was concluded that naphthothiazolo carbocyanine dye can be used as sensitizing dye for the spectral sensitization of photographic emulsion and color cosmetics.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.547-550
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• 2004

Indium tin oxide(ITO) films were prepared as a function of varying the proportion of oxygen$[0{\sim}1.0sccm]$ at fixed he gas[20sccm] by facing targets sputtering(FTS) system. Then electrical and optical properties of ITO thin films were estimated by Hall effect measurement system and UV/VIS-spectrometer. In the result, at very little oxygen rate, we can prepare a low resistivity ITO thin film of $3.40{\times}10^{-4}[\Omega{\cdot}cm]$ and transmittance of over 80%. So we noticed that the ITO thin film with low resistivity and high transmittance was prepared by FTS at room temperature.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.586-589
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• 2004

In this study, AZO(ZnO:Al) thin film were prepared by FTS(Facing Target Sputtering) system. The electrical, optical properties and crystalline of AZO thin film with thickness have been investigated. The thickness, transmittance, crystalline and electrical properties of AZO thin film were measured by a-step, UV-VIS spectrometer, hall effect measurement system, XRD and four-point probe, respectively. As a result, AZO thin film deposited with the transmittance over 80% and the resistivity about $10^{-4}\;\Omega-cm$.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.09a
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• pp.93-96
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• 2005

In this study, AZO(ZnO:Al) thin film were Prepared by FTS(Facing Target Sputtering) system. The electrical, optical properties and crystalline of AZO thin film with thickness have been investigated. The thickness, transmittance, crystalline and electrical Properties of AZO thin film were measured by $\alpha$-step, UV-VIS spectrometer, hall effect measurement system, XRD and four-point probe, respectively. As a result, AZO thin film deposited with the transmittance over $80\%$ and the resistivity about $10^{-4}{\Omega}-cm$.