The luminescence behaviors of Yttrium niobate and Bi doped Yttrium niobate were investigated under UV and low voltage electron excitations and interpreted with the first-principle calculations. In the UV excitation and emission spectra of $YNbO_4$ and $YNbO_4:Bi$, we were able to separate host contribution and Bi contribution and found that the shift in emission peak to longer wavelength is mainly due to Bi contribution. Using density functional theory, the cluster calculations were carried out for both $YNbO_4$ and $YNbO_4:Bi$. From the calculated density of states, we were also able to explain the charge transfer gap in the host and the effect of Bi in the excitation and emission spectra theoretically.
Iminoxyl biradical may be useful biradical spin probe for the investigation of the dynamic distribution of the directors in some liquid crystal. The iminoxyl biradical has been synthesized by a new convenient method and the intermediate products of each step were identified by the measurement of melting point and spectroscopic methods such as IR, UV, NMR and Mass spectrometry. The final product, iminoxyl biradical, was identified by the electron paramagnetic resonance spectroscopy and the interaction between two spins of the radical was discussed based on the EPR peaks.
In this study, we studied the photocatalytic functionality such as deodorant, antibacterial, antistatic of polyester fabrics treated with visible-light responsive photocatalyst. According to UV/visible spectrometry result, the UV-visible peak of visible-light responsive photocatalyst was found to be red shift at 420 nm sensitive in the visible light region. Also, the deodorizing and antimicrobial performance were shown to be retained more than 99% both before washing and even after 25 times washing. According to washing durability of polyester fabrics treated with visible-light responsive photocatalyst, the reduction effects for gas such as ammonia, trimethylamine, formaldehyde and toluene after 25 times washing appeared to be retained as much as before washing. At both before washing and after 25 times washing, antistatic property showed frictional voltage of approximately 250V.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.15
no.3
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pp.114-119
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2005
This study has been carried out with the eight HPHT processed NOUV diamonds - two yellow, two yellowish green, two green and two orangy yellow color stones. The gemological properties of these diamonds included a highly saturated body color, graphitized fractures around the girdles, tension cracks around crystalline inclusions, long-wave UV with medium yellowish green to a very strong yellowish green luminescence, and short-wave UV with faint yellowish green to a strong yellowish green luminescence. Distinctive features of spectroscopic properties include absorption peaks at 415 nm and 503 nm a strong absorption band at $460{\sim}480nm$ and a H2 center at 986nm. Infrared spectra showed an absorption peak at $1344cm^{-1}$ (C center), which is the characteristics related to single substitutional nitrogen.
We propose a new reliable, fast, and low cost identification method for similarly looking 0.3ct vivid yellow color of natural, HPHT treated, and synthesized diamonds. Conventional optical microscopy as well as low temperature PL(photoluminescence), FT-IR, UV-VIS-NIR, micro-Raman spectroscopy, and vibrating sample magnetometry(VSM) characterization were executed. We could not distinguish the natural diamonds from the treated or the synthesized stones with an optical microscopy, PL, FT-IR, and UV-VIS-NIR spectroscopy. However, we could identify the treated diamond with micro-Raman spectroscopy due to unique $1440cm^{-1}$ peak appearance. VSM revealed easily the synthesized diamond because of its ferromagnetic behavior. Our preliminary propose on employing the Micro-Raman spectroscopy and VSM might be suitable for identification of the similar looking vivid yellow colored diamonds.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.151-152
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2005
ZnO films were deposited on MgO substrates (ZnO/MgO) by ultrasonic spray pyrolysis. Substrate temperature varied from $250^{\circ}C$ to $350^{\circ}C$. The crystallographic properties and surface morphologies of the ZnO/MgO films were studied by X ray diffraction and scanning electron microscopy. The properties of photoluminescence (PL) for the films were investigated by dependence of PL spectra on the substrate temperature and the annealing temperature. The ZnO/MgO films prepared at $350^{\circ}C$ showed the strongest UV emission peak at 18 K and 300 K among the films in this study.
The material processing of UV nanosecond pulse laser cannot be avoided the material shape change and contamination caused by interaction of base material and laser beam. Nowadays, ultra short pulse laser shorter than nanosecond pulse duration is used to overcome this problem. The advantages of this laser are no heat transfer, no splashing material, no left material to the adjacent material. Because of these characteristics, it is so suitable for micro material processing. The processing of sapphire wafer was done by UV 355nm, green 532nm, IR 1064nm. X-Y motorized stage is installed to investigate the proper laser beam irradiation speed and cycles. Also, laser beam fluence and peak power are calculated.
Lee, Jugyeong;Afandi, Mohammad M.;Kim, Jongsu;Heo, Hoon
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.20
no.2
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pp.1-5
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2021
Ultraviolet (UVA)-emissive BaSiO3:Ce3+ phosphor was astonishingly reproducible by vacuum-sintering at a high temperature through a simple solid-state reaction method. It was conveniently formed in BaSiO3 phases. The compound showed the UVA emission and the UV-VUV excitation due to 5d-4f transitions from Ce3+ ions: emission peak at 380 nm with a 56 nm width. Its temperature dependence and vacuum UV excitability were examined for practical application as an excimer discharge lamp, which showed the high thermal stability (80% at 100℃) and the strong VUV excitations at 145 nm and 172 nm.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.23
no.1
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pp.101-113
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1986
In this paper, a real-time pitch detector LPC vocoder as implemented on a high speed digital signal processor, NEC 7720, is described. The pitch detector was based mainly on the SIFT algorithm. The SIFT pitch detector consists primarily of a digital low pass filter, inverse filter, computation of autocorrelation, a peak picker, interpolation, V/UV defcision and a final pitch smoother. In our approach, modification, mainly on the V/UV decision and a final pitch smoother, was made to estimate more accurate pitches. An 16-bit fixed-point aithmatic was employed for all necessary computation and the simulated results were compared with the eye detected pitches obtained from real speech data. The pitch detector occupies 98.8% of the instruction ROM, 37% of the data ROM, and 94% of internal RAM and takes 15.2ms to estimate a pitch when an analysis frame is consisted of 128 sampled speech data. It is observed that the tested results were well agreed with the computer simulation results.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.5
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pp.15-20
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2007
We fabricated ZnO thin films on quartz substrate using pulsed laser deposition method and investigated structural and optical properties of ZnO thin films with various substrate temperatures. Regardless of the substrate temperature variation, all ZnO thin films had grown to (002) and the thin film deposited at 400 $^{\circ}C$ exhibited an excellent crystallinity having 0.24$^{\circ}$ of Full-Width-Half-Maximum (FWHM). In the result of photoluminescence property, UV and deep-level emission peaks were observed in all ZnO films and the emission peaks were changed with various substrate temperatures. An highest UV emission was exhibited on the specimen deposited at 400 $^{\circ}C$ and the FWHM of UV peak was 14 nm. The optical transmittance was about 85 % in visible region regardless of the substrate temperature. The comparison result of the bandgap energies obtained from optical transmittance and UV emission centers, the two values were about the same. From these results, it is found that UV emission center has close relationship with near band edge emission of ZnO thin film.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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