• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제5C권3호
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• pp.115-118
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• 2005

Currently, molecular devices are reported utilizing active self-assembled monolayers (SAMs) containing the nitro group as the active component, which has active redox centers [1]. SAMs are ordered molecular structures formed by the adsorption of an active surfactant on a solid surface. The molecules will be spontaneously oriented toward the substrate surface and form an energetically favorable ordered layer. During this process, the surface-active head group of the molecule chemically reacts with and chemisorbs onto the substrate In this paper, the electrical properties of the 4'4- di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-benzenethiolate was confirmed. This material is well known as a conducting molecule having possible application to molecular level negative differential resistance (NDR) device. To deposit the self-assembly monolayers onto the gold electrode, the prefabricated Au(1 l l) substrates were immersed into 0.5[mM/l] self-assembly molecule in THF solution. Then, the electrical properties and surface morphologies of 4' 4-di(ethynylphenyl)-2' -nitro-1-benzenethiolate were measured by using the ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy (UHV-STM).

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1390-1391
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• 2006

본 연구에서는 전도성 분자로 잘 알려진 4,4-Di(ethynyl phenyl) -2'-nitro-1-(thioacetyl)-benzene(nitro - benzene) 분자를 Au (111) 표면에 자기조립하고, ultra high vacuum scanning tunneling microscopy (UHV-STM)을 사용하여 STM tip과 sample 사이의 거리를 변화시키면서 전기전도 특성을 측정하였다. Au 기판제작은 연증착시스템 (Thermal Evaporation System)으로 제작하였으며, piranha 용액 ($H_{2}SO_{4}\;:\;H_{2}O_{2}$=3:1)을 사용하여 전치리한 후, 자기조립 단분자막 (SAMs)을 형성하였다. 먼저 1-octanethiol을 ethanol solution용액 1 mM/L 농도에서 24시간 동안 자기조립한 후에, ethanol를 solution 용액으로 이용하여 nitro-benzene를 0.1 nM/L 농도로 암실에서 30분간 자기조립 하였다. 자기조림 후 solution을 제거하기 위해 에탄올로 세척하여 $N_2$로 건조시켰다. 이 조건하에서 UHV-STM을 사용하여 nitro-benzene SAMs의 실시간 모폴로지의 변화에 따른 nitro-benzene의 전기전도 특성을 STM tip - SAMs - Au 기판의 수직구조로 STM tip과 nitro-benzene의 거리를 변화시키면서, tunneling current을 조사하였다. 측정 결과 Z-position 변화에 대한 tunneling current와 resistance의 변화를 확인할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전력기술부문
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• pp.36-38
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• 2004

In many countries, including Korea, in order to transmit the more electric power, the higher transmission line voltage is inevitable. So, a rapid reclosing scheme is important for UHV transmission lines to ensure requirements for high reliability of main lines. But, because of the high voltage and long span of UHV lines, the secondary arc current flows across the fault point even after the interruption of the fault current. i.e. A critical aspect of reclosing operation is the extinction of the secondary arc since it must extinguish before successful reclosure can occur. In Korea transmission lines, it is scheduled to energize 765kV single transmission line(79km) between Sin-Ansung S/S and Sin-Gapyeong S/S at June 2006. Therefore this paper analyzes characteristics of the secondary arc extinction on 765kV single transmission line using EMTP. Simulation results shows that the average value of the secondary arc is $30A_{rms}$ and the auto-extinction time of it is longer at closer point to Sin-Gapyeong S/S.

• 전기전자학회논문지
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• 제23권3호
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• pp.811-816
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• 2019

초고진공 화학기상증착장치(UHV-CVD)에 의해 성장된 실리콘-흡착된 산소(Si-O) 초격자가 실리콘 양자전자소자를 위한 에피택셜 장벽으로 소개되었다. 전류-전압 측정 결과 높은 브레이크다운 전압을 갖는 매우 안정하고 양호한 절연특성을 나타내었다. 에피택셜 성장된 Si-O 초격자는 SOI(silicon on insulator)를 대체할 수 있는 절연층으로도 사용될 수 있음을 보여준다. 이 두꺼운 장벽은 전계효과트랜지스터(FET)의 절연 게이트로 유용하게 사용될 수 있어 FET 위에 또 다른 FET를 제작할 수 있으므로 미래 실리콘계 3차원 집적회로의 궁극적인 목표에 한층 더 다가갈 수 있는 가능성을 보여주는 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.7-8
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• 2010

The surface conductive layer (SCL) of chemical vapor deposition (CVD) diamonds has attracting much interest. However, neither photoemission electron microscopic (PEEM) nor micro-spectroscopic (PEEMS) information is available so far. Since SCL retains in an ultra-high vacuum (UHV) condition, PEEM or PEEMS study will give an insight of SCL, which is the subject of the present study. The sample was made on a Ib-type HTHP diamond (001) substrate by non-doping CVD growthin a DC-plasma deposition chamber. The SCL properties of the sample in air were; a few tens K/Sq. in sheet resistance, ${\sim}180\;cm^2/vs$ in Hall mobility, ${\sim}2{\times}10^{12}/cm^2$ in carrier concentration. The root-square-mean surface roughness (Rq) of the sample was ~0.2nm as checked by AFM. A $2{\times}1$ LEED pattern and a sheet resistance of several hundreds K/Sq. in UHV were checked in a UHV chamber with an in-situ resist-meter [1]. The sample was then installed in a commercial PEEM/S apparatus (Omicron FOCUS IS-PEEM) which was composed of electro-static-lens optics together with an electron energy-analyzer. The presence of SCL was regularly monitored by measuring resistance between two electrodes (colloidal graphite) pasted on the two ends of sample surface. Figure 1 shows two PEEM images of a same area of the sample; a) is excited with a Hg-lamp and b) with a Xe-lamp. The maximum photon energy of the Hg-lamp is ~4.9 eV which is smaller that the band gap energy ($E_G=5.5\;eV$) of diamond and the maximum photon energy of the Xe-lamp is ~6.2 eV which is larger than $E_G$. The image that appear with the Hg-lamp can be due to photo-excitation to unoccupied states of the hydrogen-terminated negative electron affinity (NEA) diamond surface [2]. Secondary electron energy distribution of the white background of Figs.1a) and b) indeed shows that the whole surface is NEA except a large black dot on the upper center. However, Figs.1a) and 1b) show several features that are qualitatively different from each other. Some of the differences are the followings: the two main dark lines A and B in Fig.1b) are not at all obvious and the white lines B and C in Fig.1b) appear to be dark lines in Fig.1a). A PEEMS analysis of secondary electron energy distribution showed that all of the features A-D have negative electron affinity with marginal differences among them. These differences can be attributed to differences in the details of energy band bending underneath the surface present in SCL [3].

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1979년도 하계 전자.전기연합학술발표회논문집
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• pp.142-146
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• 1979

전력용(電力用) 병렬(竝列) 콘덴서는 변전소(變電所)에서 설치되어 계통(系統)의 전압조정 및 역률개선에 사용되어 왔으며 콘덴서의 원-용(元-用) 범위를 송전전선(送電電線)의 직렬(直列)보상에까지 활용하게 되어 선로의 운용도(云誘導) reactance를 보상함으로서 등가적으로 선로의 길리을 단축시키게 되어 장거리, UHV 손전선(送電線) 및 배전선(配電線)에 채용(採用)되고 있다. 본(本) 연구는 각국에서 채용되고 있는 직렬(直列)콘덴서 보상방식을 우리나라의 모델 선로에 적용시켰을 경우에 대한 전압(電壓), 전류(電流) 전력(電力) 및 전력손실(電力損失) 등의 제특성에 대하여 고찰한 결과이다.

• ETRI Journal
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• 제19권2호
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• pp.71-81
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• 1997

We report on the room-temperature-growth of highly uniform and ultrathin Ag films on Sb-terminated Si(111) surfaces, as evidenced from a scanning tunneling microscopy (STM) study in an UHV system. With predeposition of one monolayer (ML) of Sb, uniform growth of Ag islands was observed at room temperature. The Sb layer suppresses the surface diffusion of Ag atoms on Si surface and increases the Ag island density, and then the increased island density is believed to cause coalescence of Ag islands before the beginning of multilayer growth in higher coverages, resulting in the growth of atomically flat and uniform islands on the Sb surfactant layer.

• 한국진공학회지
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• 제2권3호
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• pp.275-281
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• 1993

본 논문은 포항가속기에서 건설 중인 진공 chamger의 용접에 관한 것이다. 저장링에 전자빔을 5시간 이상 저장하기 위하여 10-10torr 이하로 진공도를 유지하도록 설계되어 있기 때문에 초고진공에 적합한 TIG 용접(tungsten inert gas welding)을 하였다. 진공 chamber는 Al 5083-H321이며 flange의 재질은 Al 2219-T852이다. Sector chamber I, II의 총 용접 길이는 각각 27m, 37m이며 진공에 유해한 균열과 virtual leak가 생기지 않도록 하는 용접조건 등을 선정하였다.

• 한국진공학회지
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• 제3권2호
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• pp.173-178
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• 1994

박막성장을 위한 초고진공 응용시스템을 제작하고 이것의 특성을 사중극질량분석계로 측정하였 다. 초고진공 시스템을 박막성장에 활용하기 위해서는 챔버 뿐만 아니라 펌프, 이온게이지, 전자총 등도 베이킹이 요구되었다. 또한 이온게이지와 전자총은 적어도 박막성장 20분전에 탈가스를 하여야함을 알 았다. 이 시스템으로 달성된 진공도는 7x10-11 torr이었다.

• 한국진공학회지
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• 제15권3호
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• pp.231-240
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• 2006

본 총설논문에서는 초고진공 이온펌프의 개발에 대한 고찰을 하였으며, 이온펌프의 동작원리와 특정 디자인에 대하여 설명하였다. 다양한 가스를 사용할 때의 이온펌프의 성능과 동작범위, 그리고 응용분야 등을 논의하였다.