• 한국항행학회논문지
• /
• 제21권2호
• /
• pp.193-199
• /
• 2017

본 논문에서는 이중대역 저지 특성을 가지는 2.4 GHz WLAN (2.4 ~ 2.484 GHz) 및 UWB (3.1 ~ 10.6 GHz) 겸용 모노폴 안테나를 제안하였다. 3.5 GHz WiMAX 대역 저지 특성을 얻기 위하여 기존의 방사패치 중앙에 위치한 U-형태 슬롯을 대신하여 방사패치 가장자리에 위치하는 한쌍의 L-형 슬롯이 사용되고, 반면에 7.5 GHz 대역 저지를 위하여 급전선 인근에 배치되는 한 쌍의 C-형태의 스트립 공진기를 사용한다. 제안된 안테나의 제작 및 측정 결과, 임피던스 대역폭 (${\mid}S_{11}{\mid}{\leq}-10dB$) 이 8.62 GHz (2.38 ~ 11 GHz)로 2.4 GHz WLAN 대역을 포함한 UWB 대역을 충분히 만족하고, 반면에 3.5 GHz WiMAX 저지 대역 (${\mid}S_{11}{\mid}$ > -10 dB) 은 1.13GHz (3.15 ~ 4.28 GHz), 7.5 GHz 저지 대역은 800 MHz (7.2~8 GHz) 의 저지 대역폭을 가지는 것을 확인 할 수 있었다. 특히 사용하고자 하는 전 주파수 대역에서 안정되고 우수한 무지향성 방사패턴을 얻을 수 있었으며 2.51~6.81 dBi의 높은 이득 또한 얻을 수 있었다.

• Parasites, Hosts and Diseases
• /
• 제24권2호
• /
• pp.145-158
• /
• 1986

이 연구는 특이 단세포군항체를 이용하여 친화 크로마토그래피를 실시함으로써 유구낭미충의 낭액에 특이한 항원을 순수분리하고 분리한 항원의 진단용 항원으로서의 특성을 관찰하고자 실시하였다. 유구낭미충 낭액을 BALB/c 마우스에 면역시켜 얻은 비장세포와 마우스 형질세포종을 융합하여 얻은 하이브리도마세포가 분비하는 항체의 항원 결합특이성을 면역효소측정 법으로 먼저 관찰하였다. 하이브리도마 세포는 대부분(54.9%) 유구낭미충 낭액에만 반응하는 항체를 생산하였다. 그러나 낭액항원과 기타 기생충항원에 같이 반응하는 항체 또는 기타 기생충항원 한가지에만 반응하는 항체등을 분비하는 하이브리도마세포 집락도 있었다. 무한대 희석법으로 하이브리도마세포를 희석 분주하여 단세포배양을 하였다. 이 경우에도 배양액에 분비한 단세포군 항체는 낭액항원에만 반응하는 경우에 대부분이었으나 기타 기생충 항원에 반응하는 단세포군 항체도 얻을 수 있었다. 따라서 유구낭미충 낭액에는 낭액에 특이한 항원결정기 이외에 유구낭미충의 두절 및 낭벽항원, 무구조충 및 간흡충등과 같은 항원결정기도 갖고 있음을 알 수 있었다. 단세포군 항체중 낭액항원과 가장 높은 항원항체 반응을 일으키며 두절 및 낭벽항원에도 약한 반응을 보였던 단세포군 항체를 선택하고 이를 이용하여 친화 크로마토그래피를 시행하였다. 낭액항원은 순수분리항원(A-Ag) 및 단세포군 항체와 결합하지 않았던 단백질의 총합(U-Ag)으로 분리하였다. 폴리아크릴아마이드 젤 전기영동법으로 낭액항원, A-Ag 및 U-Ag의 단백질 조성을 관찰한 바 낭액항원과 U-Ag는 6개의 band로 되어 있었으나 A-Ag은 band A 및 band C 두가지로 구성되어 있고 그중 대부분은 band C이었다. 순수분리한 A-Ag의 진단용 항원으로서의 가치를 면역효소측정법으로 관찰하였다. 낭액항원을 이용하여 혈청 및 뇌척수액내 IgG 항체가가 양성이었던 뇌유구낭미충증 환자에 대하여 A-Ag(같은 단백질함량)를 항원으로 면역효소측정법을 실시한 바 민감도는 낭액 항원이나 U-Ag에 비하여 70%로 낮아졌다. 그러나 낭액항원 및 U-Ag이 무구조충 감염자, 스파르가눔증 환자 및 체흡충증 환자에 대해 나타내는 교차반응이 A-Ag를 항원으로 사용하였을 때에는 모두 사라졌다. 이와같은 결과에서 단세포군 항체를 친화 크로마토그래피의 반응고리로 사용하여 순수분리한 항원은 유구낭미충 낭액항원중 특이한 항원결정기를 갖는 단백질로 구성되어 있음을 알 수 있었다. 그러나 순수분리항원은 유구낭미충증 환자의 혈청 및 뇌척수액에 존재하는 다세포기원 항체증 A-Ag의 특이항원결정기에만 반응하는 단세포군 항체 하나 또는 몇가지와만 반응하게 함으로써 특이성은 높아지나 혈청학적 민감도는 저하하였다고 판단하였다.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제12권5호
• /
• pp.2249-2253
• /
• 2011

본 논문에서는 저전력 u-IT 기기의 기술 기준에 대한 현재 각국의 동향과 그 기준치를 분석 및 비교를 통하여 해당 대역의 국내기준의 문제점을 분석하였다. 전자파 적합 등록에서 제시하고 있는 각국의 출력기준 기준치와 연계하여 이에 적합한 국내의 u-IT 기기의 실질적인 도입 가능한 출력 기준의 기준치를 제시함을 목적으로 한다. 본 논문에서 제시한 출력 기준 허용치를 바탕으로 국내 기준을 상향하면 저전력 u-IT 기기의 보급과 발전에 기여할 것으로 예상되며 국내 통신 시장은 물론 국제 통신 시장에서 경쟁력을 갖출 수 있을 것으로 예상된다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제15권1호
• /
• pp.57-63
• /
• 2011

본 논문에서는 대역폭 조정이 가능한 다중 생체 신호 처리용 대역 통과 필터 회로에 관한 것이다. 일반적인 대역 통과 필터는 출력 단에 연결되는 커패시터 배열의 값을 조절하여 고역 -3dB 차단 주파수를 결정한다. 하지만 본 논문에서 제안하는 대역 통과 필터 회로는 커패시터 대신에, 증폭기에 사용되는 바이어스 전압을 통해 증폭기의 트랜스 컨덕턴스 값을 조절하여 차단 주파수를 조절한다. 이러한 방법은 기존의 방식보다 칩 면적을 최소한 1/10로 줄일 수 있어 저면적 설계가 가능하다. 조정 가능한 고역 -3dB 차단 주파수의 대역은 100Hz에서 1KHz이며 사용된 공정은 0.18um CMOS 표준 공정이다. 저 전력 설계를 위해 회로는 서브 스레쉬 홀드 영역에서 동작하며 공급전압은 1V이고, 회로의 총 전류 소모는 1uA이다.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제11권10호
• /
• pp.3917-3922
• /
• 2010

본 논문은 U-band(40~60 GHz)대역에 최적화된 epitaxial로 pHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)을 제작, 대신호 모델링하여 특성분석 및 60 GHz 대역의 3단 증폭기를 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)로 설계 제작하였다. 본 논문에 사용된 pHEMT는 $0.12\;{\mu}m$의 게이트 길이와 총 게이트 면적 $100\;{\mu}m$, $200\;{\mu}m$를 사용하여 대신호 모델링하였으며 설계시 안정도의 향상을 위하여 부궤환회로와 함께 MIM(Metal-Insulator-Metal) 커패시터 대신 MCLF(Microstriop Coupled Line Filter)를 사용하여 안정도를 향상시켰다. 제작결과 크기가 $2.5{\times}1.5mm^2$이고 소모된 전류는 약 40 mA, 동작주파수 59.5 ~ 60.5 GHz에서 이득 19.9 dB ~ 18.6 dB, 입력정합특성 -14.6 dB ~-14.7 dB, 출력정합 특성 -11.9 dB ~-16.3 dB와 출력 -5 dBm의 특성을 얻었다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제25권2호
• /
• pp.172-182
• /
• 2014

본 논문에서는 능동 위상 배열 레이더에 사용되는 X대역 반도체 송수신기의 설계와 측정 결과에 대해 기술한다. 기존의 50 W 이하의 X대역 송수신 모듈 대비, 단위 증폭 소자로 GaN 소자를 사용하여 증폭회로를 설계하여 고출력, 고효율의 성능을 구현하였다. 제작된 반도체 송수신기의 송신 출력은 200 W(53 dBm) 이상이며, 최장 펄스 폭은 20 us에서 펄스 평탄도는 0.4 dB를 만족한다. 최대 듀티 비는 20 %이다. 수신 이득은 26 dB, 잡음 지수는 4.5 dB의 수신 특성을 갖는다. 송신 출력에 의한 수신 경로 및 단위 증폭 소자의 손상을 방지하기 위한 구조를 적용하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제13권1호
• /
• pp.94-105
• /
• 1988

본 논문은 ISDN 실현 초기 단계에서 제공되는 서비스중 협대역 정보신호(2B+D)를 기존의 가입자 선로를 이용하여 전송할 때 요구되는 국내가입자 선로의 특성을 조사하고 전송선로 특성 조건에 관한 국제적인 동향과 비교, 분석하였으며, 그 결과를 분석하여 이를 모델링하였다. 그 결과 U-트랜시버의 수신레벨이 -31dBm 이하일 경우에는 기준품질 확보가 불가능하며, 측정회선의 3.6%는 협대역 ISDN 전송로로는 사용할 수 없는 것으로 나타났다. 선로잡음의 주요 형태는 임펄스성 잡음과 근단누화가 주류를 이루고 있으며 착오발생 형태는 버스트 모드보다 순간성이 강한 것으로 확인되었다. BER 측정결과 측정회선중 70% 이상의 회선이 품질기준을 충족시키는 구간은 2.5km이내로 관측되었다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신설비학회 2008년도 정보통신설비 학술대회
• /
• pp.3-6
• /
• 2008

In this paper, we propose the folded PIFA with its made an alteration to a factor of resonance for L-slot PIFA. Proposed antenna maintain diminished size patch and improve each bandwidth of GSM(0.88$\sim$-0.96 GHz) and W-CDMA(1.92$\sim$2,17 GHz) for miniaturized repeater. The non-slot step folded PIFA's structure that design of essence was general L-slot PIFA for dual-band. It has no U-slot, multi band and the another slot. The parameters of proposed antenna were optimized for dual-band and compact size by folded singleness patch. Proposed antenna by using folded singleness patch take satisfaction main point, bandwidth of GSM and W-CDMA, compact patch size($39{\times}21{\times}13mm^3$). The antenna was designed by FDTD simulation tool and it was made from result of simulation. Measured data shown that the proposed non-slot step folded PIFA was strong possibility.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제33권1호
• /
• pp.153-158
• /
• 2012

The hydrogenation of $AlB_2$-type BaGaGe exhibits a metal to insulator (MI) transition, inducing a puckering distortion of the original hexagonal [GaGe] layers. We investigate the electronic structure changes associated with the hydrogen-induced MI transition, using extended H$\ddot{u}$ckel tight-binding band calculations. The results indicate that hydrogen incorporation in the precursor BaGaGe is characterized by an antibonding interaction of $\pi$ on GaGe with hydrogen 1s and the second-order mixing of the singly occupied antibonding $\pi^*$ orbital into it, through Ga-H bond formation. As a result, the fully occupied bonding $\pi$ band in BaGaGe changes to a weakly dispersive band with Ge pz (lone pair) character in the hydride, which becomes located just below the Fermi level. The Ga-Ge bonds within a layered polyanion are slightly weakened by hydrogen incorporation. A rationale for this is given.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.612-612
• /
• 2013

The band-gap opening in graphene is a key factor in developing graphene-based field effect transistors. Although graphene is a gapless semimetal, a band-gap opens when graphene is formed into a graphene nanoribbon (GNR). Moreover, the band-gap energy can be manipulated by the width of the GNR. In this study, we propose a site-specific synthesis of a width-tailored GNR directly onto an insulating substrate. Predeposition of a diamond-like carbon nanotemplate onto a SiO2/Si wafer via focused ion beam-assisted chemical vapor deposition is first utilized for growth of the GNR. These results may present a feasible route for growing a width-tailored GNR onto a specific region of an insulating substrate.