This study has its purpose in classifying the ways in which transparent materials appear in clothes creating a sample garment on this basis, and studying the formative characteristics of human body expression through materials. The study methods for this study are: first, related documents and precedent theses were researched. Second, the expression methods of transparent materials shown in the clothes collection were classified through objective research. Transparent refers to the lexical definition of being see-through, and the transparency of materials arises from the chemical components and physical characteristics of its raw materials. Transparent materials have been applied to clothes and expressed in diverse ways, revealing the beauty of the human body. Such expression methods of transparent materials are classified by the 'degree of transparency', 'presence of patterns', and 'range of use'. In clothes, transparent materials are depicted through 'revealing' which exposes the body, 'making seemingly lighter' which makes the body livelier, and 'overlapping' which overlaps the body with the structure and patterns of the material. Furthermore, transparent materials express the human body through having the beholder 'peep' into other parts of the body, 'imagine' areas which are covered by looking at the areas which are exposed, and through 'blurring' the boundaries or the shape of the human body, depending on the degree of transparency. As such, the study of the expression methods of transparent materials and human expression has its importance in that it explores the expression methods of materials and formative characteristics of human body expression through these methods.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.620-621
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2008
Transparent electronics has been one of the key terminologies forecasting the ubiquitous technology era. Several researchers have thus extensively developed transparent oxide-based thin-film transistors (TFTs) on glass and plastic substrates although in general high voltage operating devices have been mainly studied considering transparent display drivers. However, low voltage operating oxide TFTs with transparent electrodes are very necessary if we are aiming at logic circuit applications, for which transparent complementary or one-type channel inverters are required. The most effective and low power consuming inverter should be a form of complementary p-channel and n-channel transistors but real application of those complementary TFT inverters also requires electrical- and even photo-stabilities. Since p-type oxide TFTs have not been developed yet, we previously adopted organic pentacene TFTs for the p-channel while ZnO TFTs were chosen for n-channel on sputter-deposited $AlO_x$ film. As a result, decent inverting behavior was achieved but some electrical gate instability was unavoidable at the ZnO/$AlO_x$ channel interface. Here, considering such gate instability issues we have designed a unique transparent complementary TFT (CTFTs) inverter structure with top n-ZnO channel and bottom p-pentacene channel based on 12 nm-thin nano-oxide/self assembled monolayer laminated dielectric, which has a large dielectric strength comparable to that of thin film amorphous $Al_2O_3$. Our transparent CTFT inverter well operate under 3 V, demonstrating a maximum voltage gain of ~20, good electrical and even photoelectric stabilities. The device transmittance was over 60 % and this type of transparent inverter has never been reported, to the best of our limited knowledge.
Transparent and flexible electronic devices that are light-weight, unbreakable, low power consumption, optically transparent, and mechanical flexible possibly have great potential in new applications of digital gadgets. Potential applications include transparent displays, heads-up display, sensor, and artificial skin. Recent reports on transparent and flexible field-effect transistors (tf-FETs) have focused on improving mechanical properties, optical transmittance, and performances. Most of tf-FET devices were fabricated with transparent oxide semiconductors which mechanical flexibility is limited. And, there have been no reports of transparent and flexible all-organic tf-FETs fabricated with organic semiconductor channel, gate dielectric, gate electrode, source/drain electrode, and encapsulation for sensor applications. We present the first demonstration of transparent, flexible all-organic sensor based on multifunctional organic FETs with organic semiconductor channel, gate dielectric, and electrodes having a capability of sensing infrared (IR) radiation and mechanical strain. The key component of our device design is to integrate the poly(vinylidene fluoride-triflouroethylene) (P(VDF-TrFE) co-polymer directly into transparent and flexible OFETs as a multi-functional dielectric layer, which has both piezoelectric and pyroelectric properties. The P(VDF-TrFE) co-polumer gate dielectric has a high sensitivity to the wavelength regime over 800 nm. In particular, wavelength variations of P(VDF-TrFE) molecules coincide with wavelength range of IR radiation from human body (7000 nm ~14000 nm) so that the devices are highly sensitive with IR radiation of human body. Devices were examined by measuring IR light response at different powers. After that, we continued to measure IR response under various bending radius. AC (alternating current) gate biasing method was used to separate the response of direct pyroelectric gate dielectric and other electrical parameters such as mobility, capacitance, and contact resistance. Experiment results demonstrate that the tf-OTFT with high sensitivity to IR radiation can be applied for IR sensors.
The thermal effect of a transparent insulated opake wall with solar energy was investigated theoretically. The heat gain through transparent insulated opake wall was studied for relative simple conditions. The stationary heat transport effect was studied for layer which is built on the opake wall. This study shows that a relative low solar radiation intensity causes a great heat reduction through the transparent insulated opake wall. Because the transparent insulation layer is mostly transparent to solar radiation, it is opaque to heat radiation.
고성능 시스템이 개발됨에 따라 실시간 테스트의 중요성이 증가하고 있다. 메모리의 경우 저장된 값을 보존하면서 테스트할 수 있는 Transparent 테스트 알고리듬들이 개발되고 있다. 본 논문에서는 테스트 시간과 오버 헤드를 줄일 수 있는 새로운 Transparent 테스트 알고리듬을 제안한다. 제안하는 알고리듬은 SRAM의 전이 쓰기 동작 중에 발생하는 동적 전원 전류를 이용하는 방법이다. 동적 전원전류와 고장 모델과의 상관 관계를 규명한 결과 기존의 알고리듬보다 많은 고장 모델들을 테스트 할 수 있음을 발견하였다. 또한 쓰기 동작 중의 전류를 감지하기 때문에 압축치를 생성할 필요가 없어 그에 따른 테스트 시간과 오버 헤드를 줄일 수 있다. 본 논문에서는 기존의 March 알고리듬들을 본 테스트 방법론에 적합하도록 변형하는 방법을 설명하고 기존의 transparent 알고리듬과의 테스트 시간 고장 검출률 그리고 BIST 구현시의 하드웨어 오버헤드 측면에서 비교를 한다.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.898-901
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2006
To fabricate mono layer green sheet (MLGS) of transparent dielectric for PDP front panel, dispersion of transparent dielectric slurry and various properties of green sheets were examined as a function of amount and kinds of organic additives. Sedimentation height and viscosity of slurry were measured to determine proper types and amount of dispersant in non-aqueous system transparent dielectric slurry. Many MLGS having various ratios of the transparent dielectric glass frit, binder and plasticizer were fabricated. Finally we got the transparent dielectric layer of high transparency and free from residual pore might be remained in the gap between the electrodes.
We have developed transparent OLED with green phosphorescent doped layer using transparent metal cathode deposited by thermal evaporation technique. Phosphorescent guest molecule, $Ir(ppy)_3$, was doped in host mCP for the green phosphorescent emission. Ca/Ag double layers were used as a cathode material of transparent OLED. The turn-on voltage of OLED was 5.2 V. The highest efficiency of the device reachs to 31 cd/A at 2 mA/$cm^2$.
We reported on antireflective ZnSnO (ZTO)/Ag bilayer and ZTO/Ag/ZTO trilayer source/drain (S/D) electrodes for all-transparent ZTO channel based thin film transistors (TFTs). The ZTO/Ag bilayer is more transparent (83.71%) and effective source/drain (S/D) electrodes for the ZTO channel/Al2O3 gate dielectric/ITO gate electrode/glass structure than ZTO/Ag/ZTO trilayer because the bottom ZTO layer in the trilayer increasea contact resistance between S/D electrodes and ZTO channel layer and reduce the antireflection effect. The ZTO based all-transparent TFTs with ZTO/Ag bilayer S/D electrode showed a saturation mobility of 4.54cm2/Vs and switching property (1.31V/decade) comparable to TTFT with Ag S/D electrodes.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.339-341
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2009
A transparent plasma display was developed using transparent glass barrier ribs. Glass barrier ribs were fabricated via a wet etching process. Glass barrier ribs created using a top and bottom etching process showed better transparency compared to those created through only a top etching process. A see-through phosphor layer was obtained by coating the sidewall of the barrier ribs with a conventional opaque phosphor. A fabricated prototype of a transparent plasma display was clear enough to see the background beyond the panel and was well operated by a conventional driving scheme. The maximum luminance was 1150 cd/$m^2$ and the maximum luminous efficacy was 1.35 lm/W in a Ne+13.5%Xe gas-mixture and green cells.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.474-475
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2009
As a substitute of ITO material, carbon nanotube (CNT) is widely studied for transparent conductive film (TCF). Current sheet resistance of CNT-TCF is about 100 ${\Omega}$/sq at 80% transmittance. But CNT-TCF performance in manufacturable level is about 500 ${\Omega}$/sq at 83% based on the Topnanosys Co's result. Therefore, critical issue in CNT-TCF research is to reduce the sheet resistance with manufacturing reliability. In this report, recent developments using CNT-TCF are introduced. Touch panel, transparent LED signboard, transparent speaker and transparent heater are representative examples. Also I describe the future issues and prospect of CNT-TCF for the flexible display.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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