We investigated the transient electroluminescence (EL) and modulation characteristics of red organic light-emitting diodes (OLEDs), which consist with 4-(dicyanomethylene)-2-i -propyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-cnyl)-4H-pyran (DCJTI) and rubrene doped into tris(8-hydroxyquinoline)aluminum ($Alq_3$). The transient EL waveforms showed two components, the overshooting peak and constant component, indicating that the excess amount of accumulated charges simultaneously recombine at the onset moment. This overshooting effect reduced the rise time of transient EL and enhanced the optical output of OLEDs when the pulse voltage applied to the device. We demonstrated that the red OLEDs could be use for the high-speed switching application by driving at more than 100 MHz and transmitting the video signals utilized as the electro-optical conversion device
In this paper we proposed transient model for NPT(Non Punch-Through) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) with gate resistances. As gate resistance increases, turn-off time increases. But If gate resistance is small, overshoot voltage increase. To analyze the effect of gate resistance, the transient model is made and the experiments are conducted. We used gate resistances of values; 8[$\Omega$], 140[$\Omega$], 810[$\Omega$] for simulations and experiments. We compared theoretical and experimental results and obtained good agreements.
대한전자공학회 2004년도 ICEIC The International Conference on Electronics Informations and Communications
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pp.209-212
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2004
In this paper, The stress induced leakage currents of thin silicon oxides is investigated in the nano scale structure implementation for Soc. The stress and transient currents associated with the on and off time of applied voltage were used to measure the distribution of high voltage stress induced traps in thin silicon oxide films. The stress and transient currents were due to the charging and discharging of traps generated by high stress voltage in the silicon oxides. The channel current for the thickness dependence of stress current, transient current, and stress induced leakage currents has been measured in oxides with thicknesses between $41\square\;and\;113.4\square,$ which have the channel width x length 10x1um, respectively. The stress induced leakage currents will affect data retention and the stress current, transient current is used to estimate to fundamental limitations on oxide thicknesses. The weight value of synapse transistor was caused by the bias conditions. Excitatory state and inhitory state according to weighted values affected the channel current. The stress induced leakage currents affected excitatory state and inhitory state.
본 논문에서는 저압배전계통에 연계되어 있는 분산전원의 과도특성을 해석하기 위하여, 실 계통을 모의하여 구축한 분산전원 실증시험센터의 설비를 이용하여, 순간전압강하, 순간전압상승, 고조파, 순간정전 등 배전계통에서 일어날 수 있는 비정상 상태 요소를 발생시켜, 분산전원의 과도특성을 해석하였다. 본 연구에서 제시한 과도특성에 대한 시험결과에 의하여, 분산전원 계통연계기술기준(가이드라인)에서 정해진 각종 규정에 대하여 저압선로에 연계되어 운용되고 있는 분산전원의 적합여부를 파악할 수 있었어, 본 연구의 유효성을 확인할 수 있었다.
본 논문에서는 GaAs 풀밴드 E-k관계를 이용하여 전계방향에 따라 임팩트이온화가 전자전송에 미치는 영향을 분석하였다. E-k관계를 구하기 위하여 페르미황금법칙과 local form factor를 이용하는 의사포텐셜방법을 사용하였으며 임팩트이온화율을 구하기 위하여 브릴로우인영역을 사면체로 분할하여 각 사면체마다 적분하는 사면체방법을 이용하였다. 임팩트이온화의 이방성분석을 위하여 Monte Carlo시뮬레이션을 수행하였다. 특히 임팩트이온화의 과도상태분석을 수행한 결과, 이방성은 과도상태에서만 발생하는 것으로 나타났으며 정상상태에서는 등방성 특성을 보이는 것으로 나타났다. 본 연구에서 제시한 GaAs 임팩트이온화의 이방성특성은 GaAs 소자의 과도응답특성분석에 사용될 수 있으리라 사료된다.
본 논문에서는 병렬 운전 PWM 컨버터의 고성능 제어를 위하여 우수한 성능을 나타내는 퍼지 제어기를 제안하고 구현하였으며, 제안된 고성능 퍼지 제어기와 Pl 제어기와의 특성 비교를 위하여 PI 제어기도 구현하였다. 시뮬레이션과 실험 결과를 통하여, 특히 부하 급변시 병렬 PWM 컨버터의 U전압 과도응답 특성과 전류제어 과도응답 특성이 기존의 PI 제어기에 비해 제안된 퍼지 제어기가 우수한 특성을 나타내고 있음을 확인하였다. 제안된 퍼지 제어기의 우수한 특성을 입증하고 실제 제품에 적용하기 위하여 7.5kW PWM 컨버터 2대를 병렬 연결한 15kW PWM 컨버터를 구현하고 실험하였다.
생체 뉴론은 일반적으로 지속적 또는 과도적인 카오틱 특성을 가지고 있다. 생체 뉴론의 카오틱 반응에 대한 분석적인 해석은 아직까지 이루어지지 않고 있다. 동적 카오틱 반응에 대한 카오틱 뉴런의 과도 카오틱 특성은 지역 수렴 문제를 극복하는데 도움이 되지만 일반적으로 지속적인 카오틱 응답은 최적화 문제에 악영향을 미치게 되므로 초기 카오틱 특성은 사라져야 한다. 패턴 인식, 확인, 예측, 그리고 제어에 사용되는 대부분의 신경회로망 응용에 있어서 필요한 최적화 문제를 해결하기 위해서는 뉴론은 한 개의 안정적인 고정점을 가지고 있어야 한다. 본 논문에서는 동적 카오틱 뉴런의 동적 특성과 카오틱 응답을 발생시키는 조건을 분석하고, 카오틱 뉴런의 수렴조건을 제안하였다.
접지시스템은 전기설비의 기준 전위점을 확보할뿐만 아니라 낮은 대지저항으로 고장전류나 과도 전류를 흐르게 한다. 접지임피던스는 주파수에 대한 함수로 고장이나 과도전류가 넓은 범위의 주파수 성분을 포함하기 때문에 접지성능을 평가하는데 중요한 역할을 한다. 본 논문에서는 스테인리스강판 접지전극의 접지특성을 파악하기 위하여 3점 전위강하법으로 접지저항, 접지임피던스와 과도접지임피던스를 측정하였다. 측정된 데이터를 이용하여 접지임피던스와 과도접지임피던스의 등가 전달함수 모델은 ARMA 기법으로 모델링 되었고, 규약접지임피던스로 비교하여 평가하였다.
본 논문에서는 고효율 증폭 기능을 가지는 이중경로증폭 구조의 고정이득 L-band EDFA를 구현하였다. 선형공진기로부터 생성된 발진광에 의해 신호채널들이 분기결합 되더라도 잔류채널의 요동을 줄일 수 있다. 잔류채널의 과도응답 특성에 대해 발진출력광 변화율이라는 정량적인 척도를 제시하였고 이를 이용해 발진파장 및 발진방향에 따른 과도응답 특성을 측정하였다. 결과적으로 단파장 및 펌프광의 반대 방향으로 전파하는 후방 발진광이 가장 양호한 것으로 판명되었다.
Converging flows of a gas and a liquid at a microchannel cross junction, under proper conditions, can result in the formation of periodic, dispersed microslugs. This microslug formation phenomenon has been proposed as the basis for a fuel injection system in a novel, 'discrete' monopropellant microthruster designed for use in next-generation miniaturized satellites. Previous experimental studies demonstrated the ability to generate fuel slugs with characteristics commensurate with the intended application during steady-state operation. In this work, numerical and experimental techniques are used to study the effect of valve actuation on slug characteristics, and the results are used to compare with equivalent steady-state slugs. Computational simulations of a valve with a 1 ms valve-actuation cycle show that as the ratio of the response time of the valve to the fully open time is increased, transient effects can increase slug length by up to 17%. The simulations also demonstrate that the effect of the valve is largely independent of surface tension coefficient, which is the thermophysical parameter most responsible for slug formation characteristics. Flow visualization experiments performed using a miniature valve with a 20 ms response time showed less than a 1% change in the length of slugs formed during the actuation cycle. The results of this study indicate that impulse bit and thrust calculations can discount transient effects for slower valves, but as valve technology improves transient effects may become more significant.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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