This study discusses and demonstrates the structural stability of highly ordered Pt patterns formed on a transparent and flexible substrate through the process of nanotransfer printing (nTP). Bending tests comprising approximately 1,000 cycles were conducted for observing Pt line patterns with a width of $1{\mu}m$ formed along the direction of the horizontal (x-axis) and vertical (y-axis) axes ($15mm{\times}15mm$); and adhesion tests were performed with an ultrasonicator for a period greater than ten minutes, to analyze the Pt crossbar patterns. The durability of both types of patterns was systematically analyzed by employing various microscopes. The results show that the Pt line and Pt crossbar patterns obtained through nTP are structurally stable and do not exhibit any cracks, breaks, or damages. These results corroborate that nTP is a promising nanotechnology that can be applied to flexible electronic devices. Furthermore, the multiple patterns obtained through nTP can improve the working performance of flexible devices by providing excellent structural stability.
무선통신기술의 발달과 전자장치의 고도화된 집적화로 인해 수많은 사물이 인터넷에 연결되는 사물인터넷 시대가 열렸다. 사물인터넷이 적용되는 다양한 장치들은 제한된 전원과 통신 성능을 가지므로 각 장치와 인터넷의 연결을 위한 효율적인 데이터 전달이 필요하다. 본 논문에서는 사물인터넷 게이트웨이와 다중 홉 통신을 수행하는 환경에서 각 장치의 64bit의 IPv6 주소를 작은 크기의 ID로 축약하여 통신의 효율성을 향상시켰다. 시뮬레이션을 통해 성능평가를 수행하였으며, 헤더 부하를 96.5% 감소시키고 전송 성공률이 24.3% 향상됨을 확인하였다.
일반적인 실리콘 트랜지스터는 단방향성특성을 갖는다. 도핑 물질에 따라서 p형 혹은 n형 반도체 물질로 케리어가 달라지고 동작 영역도 달라지기 때문에 반도체 소자는 조건에 따라서 한쪽 방향으로만 동작한다. 이러한 특성은 문턱전압에 의해서 구분된다. 반도체소자인 트랜지스터의 안정성은 문턱전압의 의존도가 높아서 문턱전압이 너무 낮을 경우 한쪽방향으로 동작하는 단방향성 반도체소자를 만들기가 어려워진다. 트랜지스터의 안정성은 반도체센서의 감도에 직접적인 영향을 미치게 되며 현재까지 나와 있는 전자센서들의 감도를 높이기 위해서는 다양한 형태의 화합물의 감지를 전기신호로 변환할 때 얼마나 낮은 전기신호를 감지할 수 있는지에 따라서 달라지며 고감도 센서로써 전자소자의 안정성이 결정된다. 트랜지스터의 안정성을 높이기 위하여 ~ nA 수준의 전기신호에 대한 반응성을 조사 분석하여 고감도의 신호 반응을 나타내는 소재 물질의 양방향성 전달특성에 대하여 분석하고 조사하였다.
The Electric Power Subsystem (EPS) is one of the most critical systems on any satellite because nearly every subsystem requires power. This makes the choice of power systems the most important task facing satellite designers. The main purpose of the Satellite EPS is to provide continuous, regulated and conditioned power to all the satellite subsystems. It has to withstand radiation, thermal cycling and vacuums in hostile space environments, as well as subsystem degradation over time. The EPS power characteristics are determined by both the parameters of the system itself and by the satellite orbit. After satellite separation from the launch vehicle (LV) to its orbit, in almost all situations, the satellite subsystems (attitude determination and control, communication and onboard computer and data handling (OBC&DH)), take their needed power from a storage battery (SB) and solar arrays (SA) besides the consumed power in the EPS management device. At this point (separation point, detumbling mode), the satellite's angular motion is high and the orientation of the solar arrays, with respect to the Sun, will change in a non-uniform way, so the amount of power generated by the solar arrays will be affected. The objective of this research is to select satellite EPS component types, to estimate solar array illumination parameters and to determine the efficiency of solar arrays during both detumbling and normal operation modes.
Jo, Jeong-Dai;Lee, Taik-Min;Kim, Dong-Soo;Kim, Kwang-Young;Esashi, Masayoshi;Lee, Eung-Sug
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.155-158
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2007
Printed organic thin-film transistor(OTFT) to use as a switching device for an organic light emitting diode(OLED) were fabricated in the microcontact printing and direct printing processes at room temperature. The gate electrodes($5{\mu}m$, $10{\mu}m$, and $20{\mu}m$) of OTFT was fabricated using microcontact printing process, and source/drain electrodes ($W/L=500{\mu}m/5{\mu}m$, $500{\mu}m/10{\mu}m$, and $500{\mu}m/20{\mu}m$) was fabricated using direct printing process with hard poly(dimethylsiloxane)(h-PDMS) stamp. Printed OTFT with dielectric layer was formed using special coating system and organic semiconductor layer was ink-jet printing process. Microcontact printing and direct printing processes using h-PDMS stamp made it possible to fabricate printed OTFT with channel lengths down to $5{\mu}m$, and reduced the process by 20 steps compared with photolithography. As results of measuring he transfer characteristics and output characteristics of OTFT fabricated with the printing process, the field effect characteristic was verified.
유기전계발광소자(OELD)의 성능 향상을 위한 많은 연구가 진행되고 있지만 아직까지 금속전극과 유기발 광층 사이의 접촉저항(Contact Resistance)에 관한 연구는 거의 보고되지 않고 있다. Ohmic 접합에서 접촉 저항은 효율적이고 신뢰성 있는 소자제작에 있어서 간과되어서는 안될 매우 중요한 부분이다. 본 연구에서는 금속전극과 유기발광충 사이의 접촉저항에 관해서 논의하고자 한다. 본 연구에서 제작된 샘플은 금속전극으로 Ag, 유기발광재료로서 Alq$_3$를 사용하였으며, Alq3의 두께를 100 $\AA$에서 500 $\AA$까지 각각 다르게 하여 서로 다른 두께의 유기발광층을 가지는 샘플을 제작하였다. 금속전극의 매트릭스 구조에 의해 형성된 적선의 크기는 3 mm x 2 mm이며, 제작된 샘플의 접촉비저항은 TLM(Transmission Line Measurement) 방법을 이용하여 구하였다. Planar한 TLM model로부터 새로운 vertical model을 유추하였으며, 이를 근거로 접촉저항 및 transfer length 등을 계산하였다. 상온에서 측정된 전체 저항값은 유기발광층의 두께가 증가함 에 따라 증가하는 경향을 나타냈으며, 이 때 계산된 접촉비저항은 1.49$\times$$10^1$$\Omega$-$\textrm{cm}^2$ 이다. 접촉저항은 전극 사이의 거리의 증가에 따라 증가하지만, 측정시간의 thermal budget의 영향으로 상대적으로 전체저항이 감 소하였으나, 저항감소분의 포화에 따라서, 거리에 비례하여 다시 저항이 증가하였다.
We have fabricated poly-Si TFTs by two-step crystallizaton. Poly-Si films have been prepared by furnace annealing(FA) and rapid thermal annealing(RTA) followed by subsequent the post-annealing, excimer laser annealing. The measured crystallinity of RTA and FA annealed poly-Si film is 77% and 68.5%, respectively. For two-step annealed poly-Si film, the crystallinity has been drastically to 87.7% and 86.3%. The RMS surface roughness from AFM results have been improved from 56.3${\AA}$ to 33.5${\AA}$ after post annealing. The measured transfer characteristics of the two-step annealed poly-Si TFTs have been improved significantly for the both FA-ELA and RTA-ELA. Leakage currents of two-step annealed poly-Si TFTs are lower than that of the devices by FA and RTA. From these results, we can describe the fact that the intra-grain defects has been cured drastically by the post-annealing.
본 논문에서는 선박 내 UWB 기술 기반 WiMedia WSS 환경에서 WLP 디바이스와 WUSB/DRD 전송 모드의 우선순위에 따른 전송대역폭 자원 할당 방법을 제안한다. 기존의 QoS를 고려한 D-SoQ 방식은 동일한 데이터 전송률을 가져도 우선순위에 따른 스트림에게는 역차별을 가져오는 문제가 발생한다. WLP 디바이스와 WUSB/DRD 전송 모드의 우선순위에 따른 차등화된 서비스 전송률을 부여하는 제안하는 방법은 트래픽 스트림의 우선순위에 따라 수율 및 SoQ 성능의 차등화를 가능하게 한다.
During the last decade, the exploration of nanoscale device and circuitry based on molecules has gained increasing interest. In parallel with this, considerable effort is being devoted to the development of molecular photonic/electronic materials based on various porphyrin arrays. This involves light as an input/output signal and excitation energy migration as a mechanism for signal transmission. Absorption of a photon at the light collector end of the porphyrin array yields the excited state, which migrates among the intervening pigments until reaching the emitter, whereupon another photon is emitted. As a consequence, it is relevant to understand the excitation energy transfer (EET) processes occurring in various forms of porphyrin arrays for the applications as artificial light harvesting arrays and molecular photonic/electronic wires. Since the excitonic (dipole) and electronic (conjugation) couplings between the adjacent porphyrin moieties in porphyrin arrays govern the EET processes, we have characterized the EET rates of various forms of multiporphyrin arrays (linear, cyclic, and box) based on various time-resolved spectroscopic measurements. We believe that our observations provide a platform for further development of molecular photonic/electronic materials based on porphyrin arrays.
By using Density Functional Theory (DFT), we have performed alkali metal and alkaline earth metal inside fullerene-like BeO cluster (FLBeOC) in terms of energetic, geometric, charge transfer, work function and electronic properties. It has been found that encapsulated processes of the alkali metal are exothermic and thermodynamically more favorable than alkaline earth metal encapsulation, so that interaction energy ($E_{int}$) of the alkali metal encapsulation FLBeOC is in the range of -0.02 to -1.15 eV at level of theory. It is found that, the electronic properties of the pristine fullerene-like BeO cluster are much more sensitive to the alkali metal encapsulation in comparison to alkaline earth metal encapsulation. The alkali and alkaline earth metal encapsulated fullerene-like BeO cluster systems exhibit good sensitivity, promising electronic properties which may be useful for a wide variety of next-generation nano-sensor device components. The encapsulation of alkali and alkali earth metal may increase the electron emission current from the FLBeOC surface by reducing of the work function.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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