• Biotechnology and Bioprocess Engineering:BBE
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• 제8권3호
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• pp.192-198
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• 2003

BiP, immunoglobulin binding protein, is an ER homologue of Hsp70. However, unlit other Hsp70 proteins, regulatory protein(s) for BiP has not been identified. Here, we demo strafed the presence of potential regulatory proteins for BiP using a pull -down assay. Since BiP can bind any unfolded protein, only the ATPase domain of BiP was used for the pull -down assay in order to minimize nonspecific binding. The ATPase domain was cloned to produce recombinant protein, which was then conjugated to CNBr-activated agarose. The structural conformation and ATP hydrolysis activity of the recombinant ATPase domain were similar to those of the native protein, light proteins from metabolically labeled mouse plasmacytoma cells specifically bound to the recombinant ATPase protein. The binding of these proteins was inhibited by excess amounts of free ATPase protein, and was dependent on the presence of ATP. These proteins were eluted by ADP. Of these proteins, Grp170 and BiP where identified. while the other were not identified as known ER proteins, from Western blot analyses. The presence of the ATPase-binding proteins for BiP was first demonstrated in this study, and our data suggest similar regulatory machinery for BiP may exist in the ER, as found in prokaryotes and other cellular compartments.

• 한국재료학회지
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• 제9권4호
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• pp.349-354
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• 1999

Dopant를 첨가하지 않은 시료와 donor dopant로 $CdI_2$를 첨가한 $Bi_2Te_3-10%$ 단결정을 Bridgman법으로 성장시키고 Hall 계수, 전하이동도, 전기비저향, Seebeck 계수, 열전도도 빛 성능지수를 77~600K의 온도범위에서 측정하였다. Dopant를 첨가하지 않은 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$ 단결정에서 포화정공농도는 $5.85\times10_{18}cm^{-3}$ 이고 degenerate 온도는 127K 이었￡며, 전하 이동에 대한 산란인자는 -0.23 이고 전자이동도와 정꽁이동도의 비 ($\mu_e/\mu_h)$는 1.45 이었다. 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Te_3$ 단결정의 OK 에서의 밴드갭 에너지는 0.200 eV 로서 $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$계 단결정에서눈 $Bi_2Se_3$의 놓도가 증가할수록 밴 드갭 에너지가 증가하였다. Donor dopant로 $CdI_2$를 첨가한 90% $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ 조성의 n형 단결정에서 성능지수의 최대값은 $CdI_2$를 0.05 wt% 첨가한 경우에 약 230K에서 $3.2\times10^{-3}/K$를 나타내었다.

• 센서학회지
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• 제23권6호
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• pp.368-376
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• 2014

In order to measure the segmental impedance of the body, a bioelectrical impedance measurement system (BIMS) using multi-frequency applying method and two-electrode method was implemented in this study. The BIMS was composed of constant current source, automatic gain control, and multi-frequency generation units. Three experiments were performed using the BIMS and a commercial impedance analyzer (CIA). First, in order to evaluate the performance of the BIMS, four RC circuits connected with a resistor and capacitor in serial and/or parallel were composed. Bioelectrical impedance (BI) was measured by applying multi-frequencies -5, 10, 50, 100, 150, 200, 300, 400, and 500 KHz - to each circuit. BI values measured by the BIMS were in good agreement with those obtained by the CIA for four RC circuits. Second, after measuring BI at each frequency by applying multi-frequency to the left and right forearm and the popliteal region of the body, BI values measured by the BIMS were compared to those acquired by the CIA. Third, when the distance between electrodes was changed to 1, 3, 5, 7, 9, 11, 13, and 15 cm, BI by the BIMS was also compared to BI from the CIA. In addition, BI of extracellular fluid (ECF) was measured at each frequency ranging from 10 to 500 KHz. BI of intracellular fluid (ICF) was calculated by subtracting BI of ECF measured at 500 kHZ from BI measured at seven frequencies ranging from 50 to 500 KHz. BI of ICF and ECF decreased as the frequency increased. BI of ICF sharply decreased at frequencies above 300 KHz.

• Journal of Welding and Joining
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• 제18권6호
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• pp.42-47
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• 2000

The object of this study is to estimate Sn-Ag-Bi-Ga solder alloy as a substitute for Sn-37Pb alloy. For Sn-Ag-Bi-Ga alloys, Ag, Bi and Ga contents are varied. (Ag : 1~5%, Ga : 3%, Bi : 3~6%) Comparing to Sn-37Pb alloy Sn-Ag-Bi-Ga alloys have wider melting temperature range up to max. $18.7^{\circ}C$. With increasing Ag, Bi contents, the wettability of the alloys increased up to max. 6.6 mN. The vickers hardness of the alloys was max. 46.4 Hv. The ultimate tensile stress of the alloys was max. 60.3 MPa and the elongation was max. 1.2%. The joint strength between circuit board and solder was max. 55.5 N and the joint strength between connector and solder was max. 176.1 N. There were no cracks in this alloys after thermal shock test.

• 한국결정성장학회지
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• 제23권4호
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• pp.189-194
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• 2013

기계적 합금법을 이용하여 Mg, Sb, Bi을 planetary 볼밀에서 24~48시간 볼 밀링하여 $Mg_3Sb_2$와 $Mg_3Bi_2$ 단일 결정상의 합금분말을 얻었다. 출발조성은 $Mg_3Sb_2$상의 경우 3Mg : 1.8Sb, $Mg_3Bi_2$상은 3Mg : 1.6Bi이었다. 얻어진 두 합금 분말을 여러 비율로 혼합하여 70 MPa의 압력 하, 723 K에서 1시간 가압소결하여 $Mg_3Sb_2-Mg_3Bi_2$ 복합체를 제조하였다. 복합체의 주 결정상은 $Mg_3Bi_2$상과 유사한 안정한 상이었고 미량의 Bi상이 존재하였다. EDS 맵핑결과 가압소결체들의 조성분포는 불연속적이며 독립적으로 나타나서 $Mg_3Sb_2-Mg_3Bi_2$계 복합체가 제조되었다는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회
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• pp.536-539
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• 2007

BSCCO 박막은 다양한 기판온도와 산화 가스압에 변화에서 증발법에 의해 제작되었다. 박막조성을 Bi2212 또는 Bi2223으로 설정했음에도 불구하고, 어느 경우나 Bi2201, Bi2212 및 Bi2223상이 생성되었다. 이들 안정상의 생성 영역은 기판 온도-산화 가스압의 Arrhenius 플롯에서 우측 하단 방향으로 경사진 직선으로 표시되며 매우 좁은 영역에 분포되어 있다. 생성막의 XRD 피크는 기판 온도에 따라 연속적으로 변화했다. 이는 Bi2201, Bi2212, Bi2223의 각상이 결정 구조 내에 혼합되어 있는 혼합 결정계의 존재를 나타내고 있으며, 각 상의 단상막은 매우 좁은 온도, 가스압 범위에서만 생성되었다.

• 한국진공학회지
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• 제2권2호
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• pp.236-245
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• 1993

SbSI : V, SbSeI : V, BiSI : V, BiSeI : V, SbSI : Cr, SbSeI : Cr, BiSI : Cr, BiSeI : Cr, SbSI : Ni, SbSeI : Ni, BiSI : Ni, 및 BiSeI : Ni 단결정을 고순도(99.9999%)의 성분원소에 혼합물을 투명석 영관내에 넣고, $1{\times}10^{-6}mmHg$의 진공에서 봉입하여 합성한 ingot를 사용하여, 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 단결정의 구조는 orthorhombic 구조이며, 광학적 energy band gap 구조는 간접전이형 이었고, energy gap의 온도의존성은 상전이에 관계되는 2개의 변곡점이 나타났으며, 연속된 영역에서는 Varshni 방정식을 만족하였다. 첨가한 3d 불순문(V, Cr, Ni)은 모결정의 $T_d$ 대칭을 갖는 주격자점에 +2가 ion으로 위치하며, 이들 ion의 energy 준위간의 전자전이에 의하여 불순물 광흡수 peak가 나타난다.

• Korean Journal of Mathematics
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• 제21권2호
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• pp.161-170
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• 2013

Bae and W. Park [3] proved the Hyers-Ulam stability of bi-homomorphisms and bi-derivations in $C^*$-ternary algebras. It is easy to show that the definitions of bi-homomorphisms and bi-derivations, given in [3], are meaningless. So we correct the definitions of bi-homomorphisms and bi-derivations. Under the conditions in the main theorems, we can show that the related mappings must be zero. In this paper, we correct the statements and the proofs of the results, and prove the corrected theorems.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.65-68
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• 1999

A well oriented Bi2212 superconductor thick films were fabricated by screen printing with a Cu-free Bi-Sr-Ca-O mixture powder on a copper plate and heat-treating at 820-88$0^{\circ}C$ for several minute in air. During the heat-treatment, the printing layer partially melted by reaction between the Cu-free precursor and CuO of the oxidizing copper plate. In the partial melting state, it is believed that the solid phase is Bi-free phase and Cu-rich phase and the composition of the liquid is around Bi : Sr : Ca : Cu = 2 : 2 : 0 : 1. Following the partial melting, the Bi2212 superconducting phase is formed at Bi-free phase/liquid interface by nucleation and grows. With decreasing the Bi composition in the precursor powder, the critical temperature(T$_{c}$) of the fabricated Bi2212 thick film increased to about 79 K.K.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.615-618
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• 2003

동시 성막법에 의한 저속 성장으로 Bi 2201 및 Bi 2212 박막을 제작하였다. Bi 2212의 조성이 되도록 각 원소를 공급하고 기판 온도 및 산화 가스 압력을 변화시켜 성막을 한 결과 낮은 기판 온도에서는 Bi 2201의 단상이 생성되었으며 75$0^{\circ}C$ 이상이 되면 Bi 2212 상이 생성되었다. 이 중간 온도 영역에서는 Bi 2212와 Bi 2201의 고용체가 생성되고 있음을 해석하였다. 순차 성막법에서 생성막을 평가한 결과 성막이 이루어지고 있는 박막의 가장 표면은 목적 조성으로부터 벗어난 상태에 있으며 결정 구조의 전하 중성 조건을 예상한 곳의 표면은 불안정하다는 것을 알 수 있었다. Bi 2201 상이 생성된 막에서도 순차 성막 과정에 의한 막 생성이라기보다는 오히려 박막 내부에서의 원자 확산 과정에 의해 생성된 것으로 생각된다.