• 분석과학
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• 제15권1호
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• pp.15-19
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• 2002

텅스텐이 첨가된 $BaTiO_x$계 세라믹재료 중 Ba, Ti 및 W의 회수율을 증가시키기 위하여 가압 산 분해법을 이용하여 전처리하였다. $BaTiO_x$계 세라믹재료 시료를 가압 산 부내장치 내에서 HF : HCI ( 1 : 2 ) 혼합산을 가하여 $220^{\circ}C$에서 3시간동안 분해시킨 후 ICP-AES를 이용하여 Ba, Ti 및 W을 정량하였다. 그 결과 Ba는 99.6% Ti는 99.8% W는 99.2%의 회수율과 Ba는 1.02% Ti는 0.73% W는 1.79%의 C.V.값을 각각 얻었다. 이 전처리 방법을 실제시료에 적용하여 25.9% Ba38.8% Ti과 3.31% W 함량을 각각 구할수 있었다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권3호
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• pp.117-125
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• 1996

The variation of the interfacial and the electrical properties of SiO$_{2}$TiW layers as a function of anneal temperature was extensively investigated. During the deposition of SiO$_{2}$ on TiW chemical bonds such as SiO$_{2}$, TiW, WO$_{3}$, WO$_{2}$ TiO$_{2}$ Ti$_{2}$O$_{5}$ has been created at the SiO$_{2}$/TiW interface. At the anneal temperature of 300$^{\circ}C$, WO$_{3}$ and TiO$_{2}$ bonds started to break due to the reduction phenomena of W and Ti and simultaneously the metallic W and Ti bonds started to create. Above 500$^{\circ}C$, a part of Si-O bonds was broken and consequently Ti/W silicide was formed. Form the current-voltage characteristics of Al/Sico$_{2}$(220$\AA$)/TiW antifuse structure, it was found that the breakdown voltage of antifuse device wzas decreased with increasing annealing temperature for SiO$_{2}$(220$\AA$)/TiW layer. When r, the insulating property of antifuse device of the deterioration of intermetallic SiO$_{2}$ film, caused by the influw of Ti and W.W.

• 한국재료학회지
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• 제2권2호
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• pp.110-118
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• 1992

형성방법이 다른 세종류의 TiN기판상에 CVD텅스텐막을 도포할 때의 W의 핵생성 양상을 비교조사하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 반응성 스팟터법에 의하여 형성한 TiN과 $NH_3$분위기에서 RTP처리한 $SiH_4$환원에 의하여 CVD-W막을 증착할 때, 증착속도(deposition rate)는 sputtered TiN>RTP TiN>annealed TiN의 순서로 감소하며, W 핵생성에 대한 잠복기는 sputtered $TiN{\leq}RTP$ TiNTiO_{X}N_{Y}$로 바뀌기 때운에 그 위에서 W의 핵성성이 어려워지고, 증착속도도 낮아진 것이다. RTP-TiN의 미세한 결정립구조는 W의 핵성성과 성장에 유리한 효과를 미치지만, 그것의 높은 압축응력이 W의 핵생성과 성장에 미치는 불리한 효과가 더 크기 때문에, RTP-TiN 기판상에 W를 증착할 경우가 sputtered TiN 기판상에 W를 증착할 경우보다 증착속도가 더 낮고, 잠복기도 더 긴 것으로 사료된다.

• 한국재료학회지
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• 제3권6호
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• pp.593-597
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• 1993

Subhalfmicron ULSI의 컨택홀을 메꾸는 기술로 각광받고있는 전면도포(blanket W)법에서 부착특성고양층(glue layer)인 TiN막에대한 CVD-W의 부착특성을 조사하였다. 부착강도는 텅스텐막의 두께가 증가함에 따라 TiN막내의 응력의 감소로 인해 부착특성이 향상되었다. TiN막표면을 스퍼터 에칭하는 진처리를 실시할 경우 막표면의 불순물 제거, 표면 거칠기 증가등의 효과로 부착특성이 개선되었다. 또한 TiN막표면에 Ar이온 주입에 의한 손상을 줄 경우에도 TiN막 표면이 활성화되어 부착특성이 향상되었다.

• 한국진공학회지
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• 제10권2호
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• pp.189-193
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• 2001

TiN을 불소의 확산 방지막으로 사용한 W-TiN 복층 게이트 소자의 물리적.전기적 특성 변화를 살펴보았다. TiN 스퍼터링 증착시 $N_2$/Ar 가스 비율이 증가할수록 TiN 박막은 N-과다막이 되어 비저항이 증가하였으나, W-TiN복층 구조에서는 $N_2$/Ar가스 비율이 증가할수록 상부 텅스텐 박막의 결정화가 증가하여 비저항이 감소하였다. 한편, 같은 $N_2$/Ar 비율의 경우, TiN 박막 열처리 온도 변화(600~$800^{\circ}C$)에 무관하게 W(110) 방향으로 우선 배향된 결정 구조를 보였다. 누설 전류 특성은 TiN증착시 $N_2$/Ar 비율 변화에 무관하게 우수하였으며, TiN을 확산 방지막으로 사용함으로서 순수 텅스텐 전극만을 적용시 나타나는 초기 저전계 누설 특성을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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• pp.28-30
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• 1992

Long incubation period of W nucleation on the TiN glue layer is a serious problem in blanket W process. In this study we investigated the dependence of W nucleation and growth rate on the preparation method of the TiN film, deposition temperature, chemistry, $SiH_4/WF_6$ ratio and sputter etching, ion implantation, and $SiH_4$ flushing pre-treatments. Incubation periods of W nucleation and deposition rates of W growth on three different TiNs are in the order of TiN>RTP-TiN> annealed TiN and TiN${\leq}$RTP-TiN${\leq}$ annealed TiN, respectively. $\beta$-W is not found on TiN substrate even for high $SiH_4/WF_6$ ratio. Sputter etching pre-treatment increases incubation period of W nucleation, while it decreases deposition rate. $SiH_4$ flushing pre-treatment decreases incubation period, but it slightly decreases deposition rate.

• 폴리머
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• 제38권1호
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• pp.103-107
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• 2014

이축압출공정을 이용하여 poly(acrylonitrile-butadiene-styrene)(ABS)에 titanium dioxide($TiO_2$), barium sulfate($BaSO_4$), calcium carbonate($CaCO_3$)를 함량별로 첨가하여 복합체 쉬트를 제조하였고 복합체 쉬트의 반사율과 굴곡 탄성률을 측정하였다. ABS에 첨가된 충전제의 분산성이 우수한 것을 형태학을 통해 알 수 있었다. $TiO_2$와 $BaSO_4$의 함량에 따라 복합체 쉬트의 반사율이 증가하였고, 특히 $TiO_2$ 20 wt%에 $BaSO_4$를 5~20 wt%를 첨가한 복합체 쉬트의 경우 반사율이 95%이상이 얻어졌다. 굴곡 탄성률 또한 $TiO_2$와 $BaSO_4$의 함량에 따라 증가하여 $ABS/TiO_2/BaSO_4$ 조성비 85/10/5(w/w/w)의 1864 MPa에서 $ABS/TiO_2/BaSO_4$ 조성비 55/20/25(w/w/w)의 3134 MPa로 증가하였다.

• 한국재료학회지
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• 제10권3호
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• pp.218-222
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• 2000

W에 소량의 Ti를 첨가하여 그 함량 변화에 따른 X-선 마스크 흡수체용 W-Ti 박막의 물성을 연구하였다. W-Ti 박막은 DC magnetron sputtering system을 이용하여 증착하였다. Sputtering 증착시 증착압력의 증가에 따라 박막의 밀도는 감소하였으며 박막의 응력은 압축응력으로 바뀌었다. Ti 함량이 증가함에 따라 천이 압력 근방에서의 응력곡선의 기울기가 감소하였으며 천이 압력도 점차 낮아지는 경향을 보였다. Pure-W 시편의 경우 천이 압력이 약 6.5mTorr로 비교적 높았으며, 이 때 박막의 밀도는 $17.8g/\textrm{cm}^3$이었고 함량 6.5%에서 가장 낮은 천이 압력(4.3mTorr)을 보였으며, 이때의 박막 밀도는 $17.7g/\textrm{cm}^3$로 pure-W과 거의 차이가 없음을 알 수 있었다. SEM을 이용한 미세구조 분석결과 pure-W 박막은 원형의 주상정 조직을 보이고 있으며, Ti가 첨가된 W-Ti 박막의 경우에는 가늘고 긴 침상 모양을 가지는 주상정 조직을 형성하고 있다. 또한 이러한 침상조직은 Ti함량이 증가할수록 더욱 발달하고 있으며, AFM 분석결과 Ti 첨가 시편 모두 $18{\AA}$이하의 우수한 평균 표면 평활도를 나타내었다. 나타내었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권4호
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• pp.418-424
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• 1996

(Ti.W)C complex carbide was synthesized by self-propagating high temperature synthesis (SHS) chemical furnace. Attempt to find the optimal condition for synthesis of (Ti.W)C the effects of molar ratio of Ti:W:C on the synthesized powders and mechanical properties were investigated, Optimum molar ratio of these synthe-sized powder was Ti:W:C=0.7:0.2:1.0 The bulk density M,O.R Hardness Fracture toughness of (Ti.W)C complex carbide sintered at 200$0^{\circ}C$ for 60 min by hot-pressing under the pressure of 20 MPa were 7.6g/cm3, 475 MPa, 17,.7 GPa respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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• pp.133-136
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• 2004

In this study, the characteristics of 3C-SiC ohmic contact were investigated. Titanium-tungsten(TiW) films were used for contact metalization. The ohmic contact resistivity between 3C-SiC and TiW was measured by HP4155 and then calculated with the circular transmission line method(C-TLM). And also the physical properties of TiW and the interface between TiW and 3C-SiC were analyzed using XRD and AES. TiW films make a good role of a diffusion barrier and their contact properties with 3C-SiC are stable at high temperature.