We investigated the dielectric relaxation properties $0.5Ba(Zr_{0.2}Ti_{0.8})O_3-0.5(Ba_{0.7}Ca_{0.3})TiO_3$ ceramics with CuO addition. With increasing CuO addition, the lattice parameter was increased by substitution of small amount $Cu^{2+}$ ion in B-site of $0.5Ba(Zr_{0.2}Ti_{0.8})O_3-0.5(Ba_{0.7}Ca_{0.3})TiO_3$ ceramics. Also the grain size and the maximum dielectric constant of $0.5Ba(Zr_{0.2}Ti_{0.8})O_3-0.5(Ba_{0.7}Ca_{0.3})TiO_3$ ceramics was decreased with increasing amounts of CuO addition. Moreover, the diffused phase transition properties (${\gamma}$) of $0.5Ba(Zr_{0.2}Ti_{0.8})O_3-0.5(Ba_{0.7}Ca_{0.3})TiO_3$ ceramics was increased by compositional fluctuation with increasing of CuO amount, changed from 1.45 at 1 wt% CuO addition to 1.94 at 7 wt% CuO addition.
The $TiO_2/Si_3N_4/Ag/Si_3N_4/TiO_2$ multi layered structure was designed for the possible application of transparent electrodes in PDP (Plasma Display Panel). Multi layered film was deposited on a glass substrate at room temperature by DC/RF magnetron sputtering system and EMP (Essential Macleod Program) was adopted to optimize the optical characteristics of film. During the deposition process, the Ag layer in $TiO_2/Ag/TiO_2$ became heavily oxidized and the filter characteristic was degraded easily. In thus study, Si3N4 layer was used as a diffusion buffer layer between $TiO_2$ and Ag. in order to prevent the oxidation of Ag layer in $TiO_2/Si_3N_4/Ag/Si_3N_4/TiO_2$ structure. It was confirmed that $Si_3N_4$ layer is one of candidate materials acting as diffusin barrier between $TiO_2/Ag/TiO_2$.
$PbTiO_3$ thin films have been formed by rapid thermal annealing(RTA) of $TiO_2$/Pb/$TiO_2$ multilayer films deposited on Si wafers by RF sputtering. Based on the optimal depositon conditions of TiO2 and Pb, $TiO_2$/Pb/$TiO_2$ three layers were deposited for 900$\AA$ each. These films were subjected to RTA process at the temperatures ranging from $400^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$ for 30 seconds in air, and were analyzed by X-ray diffraction and transmission electron microscopy to investigate the phases and the microstructures. As a result, perovskite $PbTiO_3$ phases was obtained above $500^{\circ}C$ with the trace of unreacted $TiO_2$. RBS analysis revealed the anisotropic behavior of diffusion that the diffusivity of Pb to the bottom $TiO_2$ layer was faster than that of Pb to the top $TiO_2$ layer. The amorphous Pb-silicate was formed between film and Si substrate due to the diffusion of Pb, but Pb-silicate existed locally at the interface and the amount of that phase was very small. Therefore the effect of bottom $TiO_2$ layer as a diffusion barrier was confirmed. $PbTiO_3$ films formed by current technique showed a relative dielectric constant of 60, and the maximum breakdown field reached 170kV/cm.
PbO 77-80wt%, ZnO 4.5-6wt%, $B_2O_3$ 7.5-8.5wt%, $TiO_2$ 3-7wt%, $P_2O_5$ 0.5-2wt%의 조성을 갖는 IC Package봉착용 저융점($400-460^{\circ}C$) 결정화유리 frit를 제조하였다. DTA-TMA, X-선 회절분석, SEM 등을 이용하여 봉착용 유리의 결정화 특성을 연구하였다. $TiO_2$ 함량이 3wt% 함유시료는 $420-440^{\circ}C$에서 $2PbO{\cdot}ZnO{\cdot}B_2O_3$의 결정이 균일성장하였다. $TiO_2$ 함량이 4wt% 첨가된 시료는 $420-440^{\circ}C$에서 $2PbO{\cdot}ZnO{\cdot}B_2O_3와\;PbTiO_3$ 결정이 섞여서 혼합결정을 이루고 있었다. 또한 $TiO_2$ 5wt% 첨가된 시료는 $440-460^{\circ}C$에서 perovskite $PbTiO_3$ 결정만 석출되었다.
$BaTiO_3$ powders doped with $BaTiO_3$ and $Nb_2O_5$ at 9$0^{\circ}C$ for 1hr. were synthesized by Direct Wet Process. These powders were very homogeneous and fine particle size. To obtain the highe PTCR effect AST($1/3Al_2O_3$.$3/4SiO_2$.$1/4TiO_2$) and $MnO_2$ were added in the semiconduc-ting $BaTiO_3$. In this case $Bi_2O_3$ and $MnO_2$ were used in the form of $Bi(NO)_3$ and $MnCl_2$.$4H_2O$ solution for Direct Wet Process. $BaTiO_3$ doped Nb2O5 and $MnO_2$ demostrated greater PTCR effect than $BaTiO_3$ doped $Nn_2O_5$ only.
과잉의 CaO와 $TiO_2$를 각각 포함한 $CaTiO_3$의 결함구조를 평형상태의 전기전도도를 $85O^{\circ}C$와 $1050^{\circ}C$사이에서 산소분압의 함수로 측정하여 연구하였다. 과잉의 CaO는 A site와 B site에 나누어져서 용해되어 $Ca_{Ti}$"와 Vo", 결함을 생성하였으며, 과잉의 $TiO_2$는 $V_{Ca}$"과 Vo"을 생성했다. 평형상태의 전기전도도는 CaO 용해도 5000ppm과 $TiO_2$ 용해도 2000ppm을 각각 나타냈다. 과잉의 양이온에 의하여 생성된 산소공공은 이온전도를 하여 넓은 영역의 산소 분압에 무관한 전도도 최소값을 보였으며, 반대로 대전된 음이온 결함과 결함쌍은 관찰되지 않았다.온 결함과 결함쌍은 관찰되지 않았다.
아크 용융을 사용하여 예비 건조된$La_2O_3,\;V_2O_3,\;TiO_2$,Ti의 혼합물로부터 제조된$LaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$ 고용체의 결정구조를 투과전자현미경과 컴퓨터 이미지 시뮬레이션을 이용하여 연구하였다. 컴퓨터 이미지 시뮬레이션은 multislice 방법으로 여러 시편 두께와 초점 거리에서 실시하였다. $LaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$ 의 결정구조는 Pnma 공간군을 가진 GdFeO3 형태의 사방정계$(a\approx5.58{\AA},\;b\approx7.89{\AA},\;and\;c\approx5.58{\AA})$로 결정되었다. $LaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$에서 Ti와 V 원자의 규칙화에 대한 증거를 찾아 볼 수 없었다.
초음파 진동자를 사용 분무 열분해시켜 $Pb(NO_3)_2$와 $TiO(NO_3)_2$ 용액으로부터 $PbTiO_3$ 미분말을 합성하고 미립자의 특성을 조사하였다. 또한 미립자 형성과정을 같은 방법으로 합성되어 문헌에 보고된 $BaTiO_3$, $ZrO_2$, ZnO 등의 미립자 형성과정과 비교 검토하였다.
In this paper dielectric and electrostrictive strain properties of (1-y-x)Pb(Mg$_{1/3}$Nb$_{2/3}$)O$_{3}$-PbTiO$_{3}$$-yPbTiO_{3}-xSrTiO_{3}[(1-y-x)PMN-yPT-xST]$ ceramics fabricated by using columbite precursor method have been investigated with the substitution of SrTiO$_{3}$(ST). Dielectric constant of the specimens increased with the increase of ST content up to 5[m/o] and decreased with further substitution of ST. And the pyrochlore phase decreased with the increase of ST content up to 5[m/o] in XRD analysis. The elimination of the pyrochlore phase improved dielectric constants. The electrostrictive strains generated by AC electric field have the highest value at 5[m/o] SrTiO$_{3}$ addition and the hysteresis of strain ranged from 12 to 20[%]. The electrostrictive strain at various temperature investigated in the temperature range of $-50[^{\circ}C]~74[^{\circ}C].$ In higher temperature than phase transition region, it showed paraelectric property which shows very small hystersis.
The effects of Mn2O3 and Y2O3 additives on the microstructure and dielectric properties of Sr(Zr, Ti)O3 have been investigated. Powders with Sr(Zr1-xTix)O3(0$\leq$x$\leq$0.1) composition were prepared by the conventional solid state processing from commercial TiO2 and precipitation-processed ZrO2. The powders containing sintering additives of Mn2O3 and Y2O3 were compacted and then sintered at 1,55$0^{\circ}C$ for 4 h to get>97% relative density. Mn2O3 suppressed the grain growth and Y2O3 enhanced the density of sintered body. The oxidation state of Mn ions were determined by a chemical wet method and EPR spectroscopy. Mn ions were present as Mn2+ and Mn4+ in SrZrO3, while as Mn3+ and Mn4+ in Ti-substituted Sr(Zr, Ti)O3. With the substitution of Ti, the lattice parameters of SrZrO3 decreased and its dielectric constant increased with remarkable decrease in Q value. The dielectric constant of Sr(Zr, Ti)O3 was in the range of 30 to 40, Q values 1,200~5,400 at 6 GHz and temperature coefficient of resonant frequency -67~100 ppm/K.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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